基于硫杂杯芳烃的单分子树脂光刻胶制造技术

本发明专利技术公开了如下式(I)或(II)所示一类基于硫杂杯芳烃的单分子树脂光刻胶，其原料便宜易得、合成过程简单，可作为单组分非化学放大光刻胶，避免了化学放大光刻胶中产酸剂以及防酸扩散剂分布不均匀、酸扩散不均匀等问题，所得到的图案具有高的分辨率和低的线宽粗糙度。并且所述单分子树脂本身具有确定的分子结构，分子尺寸单一，可以很好地满足高分辨光刻的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料，具体涉及一类基于硫杂杯芳烃的单分子树脂光刻胶。

技术介绍

1、随着半导体工业的迅速发展，半导体器件的集成度越来越高，对光刻技术要求达到的分辨率也越来越高，高分辨光刻图形的质量也提出了更高的要求，尤其是图形的线宽粗糙度(lwr)和线边缘粗糙度(ler)要求越来越严苛。光刻胶是半导体器件加工过程中光刻图形转移的关键材料。将光刻胶涂覆在不同基底上，通过光束、电子束、离子束或x射线等能量辐射后，溶解度发生变化，再通过显影、刻蚀工艺将对应的图案转移到基底上，光刻胶形成的图案所能达到的分辨率对器件的集成度具有决定影响，光刻胶的综合性能需要匹配当前光刻技术的发展。

2、传统使用的化学放大型光刻胶(cars)依赖于混合或聚合物键合光产酸剂(pags)来实现溶解度差异。该化学放大型光刻胶体系存在一系列问题，如高的线边缘粗糙度(ler)和线宽粗糙度(lwr)、曝光后不稳定性等。为了解决这些问题，新型非化学放大型光刻胶(n-cars)的研究正受到越来越多的关注。n-cars是一种对辐射直接敏感的材料，在其配方中不需要pags的加入，仅包含主体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.式(I)或式(II)所示化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，Ra相同或不同，彼此独立选自氢，无取代或任选被一个，两个或更多个Ra1取代的C1-8烷基；

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，所述Ra选自以下基团：

4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物，其特征在于，式(I)或式(II)所示化合物选自如下化合物：

5.权利要求1-4任一项所述化合物的制备方法，包括：将式(III)所示化合物与化合物RcY反应得到式(I)或式(II)所示化合物：

6.权利要求1-4任一项所述化合物的用途，其特征在于，用作光刻胶。...

【技术特征摘要】

1.式(i)或式(ii)所示化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，ra相同或不同，彼此独立选自氢，无取代或任选被一个，两个或更多个ra1取代的c1-8烷基；

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，所述ra选自以下基团：

4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物，其特征在于，式(i)或式(ii)所示化合物选自如下化合物：

5.权利要求1-4任一项所述化合物的制备方法，包括：将式(iii)所示化合物与化合物rcy反应得到式(i)或式(ii)所示化合物：

...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金平，王志昊，李嫕，于天君，曾毅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：