【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于蚀刻液，具体涉及一种用于蚀刻氧化硅薄膜的boe蚀刻液。
技术介绍
1、随着全球面板行业的快速发展，oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示屏的制造技术也在不断更新换代，各个工序的要求也更加苛刻。湿法蚀刻，主要是利用缓冲氧化物蚀刻液(boe)去蚀刻没有光刻胶保护的氧化硅层，从而得到满足需求的轮廓和蚀刻参数，而不需要蚀刻的区域在氧化硅层上方的光刻胶保护下则可以完整的保留下来，因此，湿法蚀刻是整个面板制造工艺中非常关键的环节之一。
2、源极(source)和漏极(drain)作为oled的重要组成部分，分别起着集电作用和发射作用，而它们的形成主要是通过物理气相沉积法(pvd)在隔离层氧化硅上方沉积不同种类的金属层。因此，氧化硅层的轮廓和蚀刻参数对源极(source)和漏极(drain)的形成至关重要。在氧化硅湿法蚀刻过程中，由于不同区域氧化硅形成时产生的差异性以及蚀刻液润湿性能不好等因素，氧化硅层斜面的蚀刻速率会存在较大差异，从而导致斜面产生二段角(如图3)，这不利于金属粒子在其表面沉积，对源极和漏极的电学性能影响较大。
3、在实际工业生产过程中，为了提高生产效率，增加boe蚀刻液对氧化硅层的蚀刻速率是非常必要的。然而，蚀刻速率增大，会进一步加剧斜面二段角缺陷。此外，氟化氢对铝合金等金属合金具有较强的腐蚀作用，这会导致工业生产过程中设备损坏严重，从而带来不必要的经济损失。
技术实现思路
1、针对现有技术
2、为解决上述技术问题，本申请提供一种用于氧化硅层的boe蚀刻液，所述蚀刻液包括氟化氢、氟化铵、含氟羧酸化合物、阳离子表面活性剂和水，所述含氟羧酸化合物的质量百分含量为0.05％～0.30％，所述阳离子表面活性剂的质量百分含量为0.005％～0.050％。
3、优选的，所述含氟羧酸化合物和阳离子表面活性剂的质量比为(2～12)：1。
4、优选的，所述含氟羧酸化合物和阳离子表面活性剂的质量比为(3～8)：1。
5、优选的，所述氟化氢的质量含量为1％～10％，所述氟化铵的质量含量为15％～38％。
6、优选的，所述含氟羧酸化合物为具有至少一个位于碳上的氢原子被氟原子取代、且含羧基的化合物，包括全氟辛酸、全氟壬酸、2-(n-乙基全氟辛烷磺酰氨基)乙酸和3-乙基-全氟辛烷磺酰胺乙酸中的一种或多种。
7、优选的，所述含氟羧酸化合物为2-(n-乙基全氟辛烷磺酰氨基)乙酸。
8、优选的，所述阳离子表面活性剂包括季铵盐阳离子表面活性剂或胺盐阳离子表面活性剂中的一种或多种。
9、优选的，所述季铵盐阳离子表面活性剂包括十二烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵、双十八烷基二甲基氯化铵、n,n,n-三甲基-1-十四烷基溴化铵和聚塞氯铵中的一种或多种。
10、优选的，所述胺盐阳离子表面活性剂为n-油酰肌氨酸十八胺盐。
11、优选的，所述季铵阳离子表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。
12、优选的，所述boe蚀刻液还包括抑腐蚀剂，所述抑腐蚀剂包括硫脲、二苯基硫脲、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑、5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和8-羟基喹啉中的一种或多种；所述抑腐蚀剂的质量百分含量为0.10％～0.50％。
13、优选的，所述抑腐蚀剂为二苯基硫脲。
14、优选的，所述抑腐蚀剂的质量百分含量为0.15％～0.30％。
15、有益效果：
16、与现有技术相比，本申请提供的用于氧化硅层的boe蚀刻液，能够实现对氧化硅层的蚀刻性能，具有蚀刻轮廓好、无残留；阳离子表面活性剂和含氟羧酸化合物相互协同，能够较好的降低氧化硅斜面底部和顶部的速率差异，从而消除斜面二段角，得到满足需求的刻蚀轮廓和参数。
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1.一种用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括氟化氢、氟化铵、含氟羧酸化合物、阳离子表面活性剂和水，所述含氟羧酸化合物的质量百分含量为0.05％～0.30％，所述阳离子表面活性剂的质量百分含量为0.005％～0.050％。
2.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述含氟羧酸化合物和阳离子表面活性剂的质量比为(2～12)：1。
3.根据权利要求1或2所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述含氟羧酸化合物和阳离子表面活性剂的质量比为(3～8)：1。
4.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述氟化氢的质量含量为1％～10％，所述氟化铵的质量含量为15％～38％。
5.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述含氟羧酸化合物包括全氟辛酸、全氟壬酸、2-(N-乙基全氟辛烷磺酰氨基)乙酸和3-乙基-全氟辛烷磺酰胺乙酸中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述阳离子表面活性剂包括季铵盐阳离子表
7.根据权利要求6所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述季铵盐阳离子表面活性剂包括十二烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵、双十八烷基二甲基氯化铵、N,N,N-三甲基-1-十四烷基溴化铵和聚塞氯铵中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述胺盐阳离子表面活性剂为N-油酰肌氨酸十八胺盐。
9.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述BOE蚀刻液还包括抑腐蚀剂，所述抑腐蚀剂包括硫脲、二苯基硫脲、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑、5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和8-羟基喹啉中的一种或多种；
10.根据权利要求9所述的用于氧化硅层的BOE蚀刻液，其特征在于，所述抑腐蚀剂为二苯基硫脲；
...【技术特征摘要】
1.一种用于氧化硅层的boe蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括氟化氢、氟化铵、含氟羧酸化合物、阳离子表面活性剂和水，所述含氟羧酸化合物的质量百分含量为0.05％～0.30％，所述阳离子表面活性剂的质量百分含量为0.005％～0.050％。
2.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的boe蚀刻液，其特征在于，所述含氟羧酸化合物和阳离子表面活性剂的质量比为(2～12)：1。
3.根据权利要求1或2所述的用于氧化硅层的boe蚀刻液，其特征在于，所述含氟羧酸化合物和阳离子表面活性剂的质量比为(3～8)：1。
4.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的boe蚀刻液，其特征在于，所述氟化氢的质量含量为1％～10％，所述氟化铵的质量含量为15％～38％。
5.根据权利要求1所述的用于氧化硅层的boe蚀刻液，其特征在于，所述含氟羧酸化合物包括全氟辛酸、全氟壬酸、2-(n-乙基全氟辛烷磺酰氨基)乙酸和3-乙基-全氟辛烷磺酰胺乙酸中的一种或多种。
【专利技术属性】
技术研发人员：庾明茂，鄢艳华，周达文，姜希松，夏明鹏，
申请(专利权)人：深圳新宙邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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