【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电磁屏蔽材料制备,涉及一种多孔中空mxene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着超大规模集成电路、大功率电子器件和高集成电子设备的快速发展,人们对电子设备高速运行的需求使电子元器件正向轻量化、微型化、集成化方向发展。不同电子设备运行中产生的电磁辐射和电磁干扰已渗透到国防建设、国民经济和人们生活的方方面面,严重影响电子设备的正常运行和信息的安全传递。为了减少或抑制电磁辐射的影响,研究人员对电磁干扰(emi)屏蔽领域进行了深入研究与探索。
2、传统金属材料虽然具有高效的电磁干扰屏蔽能力,但较高的密度和难于加工限制了其在电磁干扰屏蔽中的应用。过渡金属碳化物或氮化物(mxenes)是一种新型的二维(2d)纳米材料,具有导电性好、密度低、比表面积大以及易于加工等特性,这使得mxene在emi屏蔽领域具有巨大潜力,但mxene容易氧化,导致材料的电磁屏蔽寿命较短,且现有技术中的电磁屏蔽以反射为主,会造成环境的二次污染,限制了mxene作为电磁屏蔽材料的广泛应用。
>技术实现思路...
【技术保护点】
1.一种多孔中空MXene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种多孔中空MXene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,MXene纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯微球的质量比为(1~2):(1~4)。
3.根据权利要求1所述的一种多孔中空MXene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述芳纶纳米纤维的直径为30~60nm。
4.根据权利要求1所述的一种多孔中空MXene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,在采用芳纶纳米
...【技术特征摘要】
1.一种多孔中空mxene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种多孔中空mxene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤s1中,mxene纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯微球的质量比为(1~2):(1~4)。
3.根据权利要求1所述的一种多孔中空mxene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述芳纶纳米纤维的直径为30~60nm。
4.根据权利要求1所述的一种多孔中空mxene/芳纶纳米纤维电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,在采用芳纶纳米纤维与所述mxene/pmma复合微球制备(mxene/pmma复合微球)/芳纶纳米纤维复合薄膜过程中,首先将芳纶纳米纤维分散于水中,得到芳纶纳米纤维水分散液,然后利用逐层真空辅助过滤法制备所述(mxene/pmma复合微球)/芳纶纳米纤维复合薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种多孔中空mxene/芳纶纳米纤维电磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢璠,刘巧玲,陆赵情,代曦怡,魏海涛,刘涛,尚玉轩,
申请(专利权)人:陕西科技大学,
类型:发明
国别省市:
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