【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子信息领域，尤其涉及一种电压比较器。
技术介绍
1、现有的高压比较器通常是把被比较的输入电压先进行电阻分压，利用电阻分压之后的输入电压再跟低压的基准电压vref_low做比较，从而进行高压比较器的工作任务，如附图1所示。但是，这种采用电阻分压的方式，会因为分压电阻跟寄生电容c_parasitic而引入rc延迟，导致整体比较器delay增加，从而使整体的比较速度降低。在这种电路结构下，若要减小rc延迟，则需要将分压电阻做小，但这样会导致功耗的增加。
技术实现思路
1、本技术针对现有技术中的不足，提供一种电压比较器。
2、为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：
3、本技术提供一种电压比较器，包括基准电路、输入电路、第三mos管和第四mos管；所述基准电路其中一个输入端电性接入基准电压，输出端与所述第三mos管源极耦接；所述输入电路其中一个输入端电性接入输入电压，输出端与所述第四mos管源极耦接；所述第三mos管漏极与接地之间电性接入第一电流源，所述第三mos管漏极还与栅极耦接；所述第四mos管漏极与接地之间电性接入第二电流源，所述第四mos管漏极输出输出信号，所述输出信号表征所述输入电压与所述基准电压的比较结果。
4、可选的，所述基准电路包括第一mos管，所述输入电路包括第二mos管；所述第一mos管栅极电性接入所述基准电压，漏极电性接入供电电源，源极与所述第三mos管源极耦接；所述第二mos管栅极电性接入输入电压，漏极电
5、可选的，所述第四mos管漏极耦接输出电路的输入端，所述输出电路在处理所述第四mos管漏极提供的信号后通过输出端输出用于表征比较结果的所述输出信号。
6、可选的，所述输出电路为施密特触发器。
7、可选的，所述第一mos管为nmos管，所述第二mos管为nmos管，所述第三mos管为pmos管，所述第四mos管为pmos管。
8、可选的，所述第一mos管栅极与漏接耦接。
9、可选的，在所述第一mos管源极和所述第三mos管源极之间电性接入电阻，所述基准电压的值为所述供电电源减去所述电阻两端电压而获得的值。
10、本技术能够避免使用分压电阻，从而避免了因分压电阻与器件的寄生电容所引入的rc延迟风险，能够不依赖电阻分压，具有比较速度更快的优点。
11、本技术还可以不采用外接基准电压，使得电路结构更为简洁高效。
12、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
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1.一种电压比较器，其特征在于，包括基准电路、输入电路、第三MOS管和第四MOS管；所述基准电路其中一个输入端电性接入基准电压，输出端与所述第三MOS管源极耦接；所述输入电路其中一个输入端电性接入输入电压，输出端与所述第四MOS管源极耦接；
2.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述基准电路包括第一MOS管，所述输入电路包括第二MOS管；
3.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述第四MOS管漏极耦接输出电路的输入端，所述输出电路在处理所述第四MOS管漏极提供的信号后通过输出端输出用于表征所述比较结果的所述输出信号。
4.根据权利要求3所述的电压比较器，其特征在于，所述输出电路为施密特触发器。
5.根据权利要求2所述的电压比较器，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管，所述第二MOS管为NMOS管，所述第三MOS管为PMOS管，所述第四MOS管为PMOS管。
6.根据权利要求2所述的电压比较器，其特征在于，所述第一MOS管栅极与漏接耦接。
7.根据权利要求6所述的电压比较器，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种电压比较器，其特征在于，包括基准电路、输入电路、第三mos管和第四mos管；所述基准电路其中一个输入端电性接入基准电压，输出端与所述第三mos管源极耦接；所述输入电路其中一个输入端电性接入输入电压，输出端与所述第四mos管源极耦接；
2.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述基准电路包括第一mos管，所述输入电路包括第二mos管；
3.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述第四mos管漏极耦接输出电路的输入端，所述输出电路在处理所述第四mos管漏极提供的信号后通过输出端输出用于表征所述比较结果的所述输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶俊，周宗杰，
申请(专利权)人：厦门市必易微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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