MCU双BootROM程序启动方法技术

技术编号:40564428 阅读:34 留言:0更新日期:2024-03-05 19:28
本发明专利技术属于半导体技术领域,尤其涉及MCU双BootROM程序启动方法,该双BootROM程序包括两个启动程序BootROM1和BootROM2,两个启动程序BootROM1和BootROM2分别存储于ROM存储区以及内部flash存储区,且两个启动程序可独立完成芯片启动工作,两个启动程序并行存在并均为一级引导程序,芯片启动时根据外部pin或者非易失性存储器值,选择其中一个BootROM程序进行芯片启动流程,用户可通过ROM区的BootROM1程序来更新内部flash区BootROM2程序。与现有技术相比,解决了单ROM区启动程序出现缺陷时,芯片厂商在设计阶段无法对功能样片进行正常功能验证问题,避免了芯片报废的风险;既解决了原有BootROM的软件缺陷问题,同时也不会因此而增加芯片的启动时间,而ROM区和内部flash存储BootROM区都是对用户不可见的,也不会带来安全隐患。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,更具体地说,它涉及一种mcu双bootrom程序启动方法。


技术介绍

1、mcu(microcontroller unit ,微控制器,以下简称芯片) bootrom启动引导程序是mcu上电启动时最先运行的一段程序,该程序主要作用是在用户image(用户应用程序)运行前进行相关软硬件的初始化工作,为用户程序运行创建合适运行环境,最终加载引导用户程序运行,所需的软硬件环境配置,包含时钟、外设(uart、wdt、timer、lpspi、flexspi、ecc)、内存(ram、dtcm、itcm)、中央处理器(cpu)等初始化、栈和堆内存分配、中断向量表获取、用户程序搬移、用户程序更新和参数配置以及cpu跳转到用户程序执行用户程序等。

2、mcu bootrom程序是由mcu芯片厂商设计完成的,该程序在芯片销售到客户前已经固化到芯片内部,内容对用户不可见,用户无法删除和修改该引导程序,程序主要存储在2个存储区域——rom存储区(read only memory)以及内部flash(internal flash)存储区域;

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【技术保护点】

1.MCU双BootROM程序启动方法,其特征在于,所述双BootROM程序包括两个启动程序BootROM1和BootROM2,两个启动程序BootROM1和BootROM2分别存储于ROM存储区以及内部flash存储区,且两个启动程序可独立完成芯片启动工作,两个启动程序并行存在并均为一级引导程序,

2.根据权利要求1所述的MCU双BootROM程序启动方法,其特征在于,所述芯片可根据外部pin选择和存储器值,选择BootROM1或者BootROM2其中一个程序进行启动;

3.根据权利要求2所述的MCU双BootROM程序启动方法,其特征在于,所述启动程序默认从R...

【技术特征摘要】

1.mcu双bootrom程序启动方法,其特征在于,所述双bootrom程序包括两个启动程序bootrom1和bootrom2,两个启动程序bootrom1和bootrom2分别存储于rom存储区以及内部flash存储区,且两个启动程序可独立完成芯片启动工作,两个启动程序并行存在并均为一级引导程序,

2.根据权利要求1所述的mcu双bootrom程序启动方法,其特征在于,所述芯片可根据外部pin选择和存储器值,选择bootrom1或者bootrom2其中一个程序进行启动;

3.根据权利要求2所述的mcu双bootrom程序启动方法,其特征在于,所述启动程序默认从rom区的bootrom1启动,芯片厂商和用户可以通过rom区bootrom1程序,对flash区的bootrom2程序进行更新,使得当rom区的...

【专利技术属性】
技术研发人员:厉政张晓冬
申请(专利权)人:浙江智行微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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