【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，具体为一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法、晶圆片及器件。
技术介绍
1、现有市场上，在经过电子辐照和质子辐照来制备半绝缘碳化硅材料的方法中，电子辐照和质子辐照在碳化硅晶圆片中形成的深能级缺陷的效率低，且当形成高阻率的半绝缘碳化硅时，电子辐照和质子辐照产生的简单点缺陷较多，在经过高温退火的热稳定性处理后，容易出现点缺陷消失，导致电阻率下降，而且简单点缺陷中的碳空位虽然提高了电阻率，但会导致少子寿命降低。且电子辐照和质子辐照在碳化硅晶圆中产生的缺陷峰值位置离入射面较远，不能满足某些特定器件的要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有制备半绝缘碳化硅晶圆片的方法效果不好的问题，提供了一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法及半绝缘碳化硅晶圆片。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，包括：
3、提供碳化硅晶圆片；
4、利用高能量射线或高质量粒子辐照所述碳化硅晶圆片表面，在所述碳化硅晶圆片中产生深能级缺陷，且在所述碳化硅晶圆片中靠近入射面的位置形成缺陷峰值，并增加所述深能级缺陷为陷阱中心的数量、减少所述深能级缺陷为复合中心的数量，从而得到半绝缘碳化硅晶圆片。
5、作为一种可实施方式，所述高能量射线的能量范围为1mev-8mev，剂量的范围为1kgy-500kgy。
6、作为一种可实施方式，所述高能量射线的能量范围为3mev-6mev，剂量的范围为1kgy-500kgy。<...
【技术保护点】
1.一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述高能量射线的能量范围为1MeV-8MeV，剂量的范围为1KGy-500KGy。
3.根据权利要求2所述的利用高能量射线制备半绝缘碳化硅的方法，其特征在于，所述高能量射线的能量范围为3MeV-6MeV，剂量的范围为1KGy-500Kgy。
4.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述高能量射线包括伽马射线。
5.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述高质量粒子的能量范围为50MeV-300MeV,剂量范围为0.1Gy-10 Gy。
6.根据权利要求1所述的利用高质量粒子制备半绝缘碳化硅的方法，其特征在于，所述高质量粒子包括重离子。
7.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，还包括：利用预定退火温度对所述半绝缘碳化硅晶圆片进行快速退火处理，使得消除不稳定的缺陷。
8.根据权利要求7所述的半绝缘碳化硅
9.一种根据权利要求1-8任一项所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法制备得到的半绝缘碳化硅晶圆片。
10.一种包含根据权利要求1-8任一项所述的半绝缘碳化硅晶圆的制备方法制备得到的半绝缘碳化硅晶圆片的半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述高能量射线的能量范围为1mev-8mev，剂量的范围为1kgy-500kgy。
3.根据权利要求2所述的利用高能量射线制备半绝缘碳化硅的方法，其特征在于，所述高能量射线的能量范围为3mev-6mev，剂量的范围为1kgy-500kgy。
4.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述高能量射线包括伽马射线。
5.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述高质量粒子的能量范围为50mev-300mev,剂量范围为0.1gy-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋立辉，皮孝东，杨德仁，黄渊超，熊慧凡，刘帅，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：
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