System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有表面形状的陶瓷晶圆片及其制造方法技术_技高网

具有表面形状的陶瓷晶圆片及其制造方法技术

技术编号:40563283 阅读:8 留言:0更新日期:2024-03-05 19:26
本发明专利技术公开了一种具有表面形状的陶瓷晶圆片及其制造方法,该陶瓷晶圆片具有一上表面及一下表面,且该上表面及该下表面的至少一者具有不规则的表面形状。该两表面之间的厚度差(total thickness variation,TTV)值介于0.1~100μm。本发明专利技术的具有表面形状的陶瓷晶圆片,藉由控制晶圆片的厚度差异,除了有助于镀膜外,亦能增进流体的流动,在后续制程中能提升镀膜接合力,并降低表面缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷晶圆片,特别涉及一种具有表面形状的陶瓷晶圆片。


技术介绍

1、一般晶圆片的制造流程包含将获得的晶圆片经过研磨,使其晶圆片的表面平坦化,且同时具有一特定厚度,再经过抛光,以消除研磨后所造成的晶圆片的表面凹凸,即可获得一平坦的晶圆片。

2、研磨目的是将晶圆片打磨,以将厚度控制在能接受的范围内,而抛光的目的在于改善研磨所造成的瑕疵,提高晶圆表面平坦化、平整化及平面化,使晶圆片表面平滑,不易有微粒附着,由于晶圆片缺陷来源多为微粒、晶体原生的空坑、残余物或刮痕。因此,研磨抛光过程决定晶圆片最终的厚度及表面粗糙度,也会影响晶圆片最后的完成度。当晶圆片太厚时,会造成散热不良,而太薄又容易导致破片。


技术实现思路

1、综上可知,一般晶圆的制程都必须将晶圆片表面加工处理为平面;然而,本案专利技术人发现,在半导体的制程中,许多流体(液体或气体)在经过厚度不同的晶圆表面时,即具有表面形状的陶瓷晶圆片,将有助于增进流体的流动,以提升薄膜良率。

2、因此,本专利技术藉由提供一种具表面形状的陶瓷晶圆片,该陶瓷晶圆片有助于后续镀膜制程与陶瓷接合强度。

3、本专利技术的目的为提供一种具有表面形状的陶瓷晶圆片,其具有一上表面及一下表面,且该上表面及该下表面的至少一者具有不规则表面形状;其中,该上表面与该下表面之间的厚度差(total thickness variation,ttv)值介于0.1~100μm。

4、根据本专利技术的一实施例,该表面厚度差值介于0.1~10μm。

5、根据本专利技术的一实施例,该表面形状为正凸背平、正凹背平、正不规则背平、正凸背凸、正凹背凸、正不规则背凸、正凸背凹、正凹背凹、正不规则背凹、正凸背不规则、正凹背不规则、正不规则背部规则。

6、根据本专利技术的一实施例,该陶瓷晶圆的材料为氮化铝、氮化矽,氧化铝、氧化矽、碳化矽之氮化物、氧化物或碳化物。

7、本专利技术的另一目的为提供一种上述的具有表面形状的陶瓷晶圆片的制备方法,包含:(1)将一陶瓷生胚经高温处理后加工产生一陶瓷片材;或(2)提供一表面具薄膜或电路的欲受再生之陶瓷晶圆;将该陶瓷片材或该欲受再生的陶瓷晶圆放置于载盘上,对该陶瓷片材的上表面及下表面进行加工处理,形成一具有表面形状的陶瓷晶圆片;其中,该加工处理包含研磨、抛光、蚀刻、电浆或机械加工。

8、根据本专利技术的一实施例,该研磨为单面研磨,且系经由调整该载盘的角度,使一砂轮对该陶瓷晶圆片的表面进行研磨;或调整一砂轮或研磨盘的角度或控制该砂轮角度的形状,对该陶瓷晶圆片的表面进行研磨。

9、根据本专利技术的一实施例,该研磨为双面研磨,且系修整一研磨盘的形状,以对该陶瓷晶圆片的表面进行研磨。

10、根据本专利技术的一实施例,该抛光为单面抛光,且系以修整一抛光盘的角度或形状,以对该陶瓷晶圆片的表面进行抛光。

11、根据本专利技术的一实施例,该抛光为双面抛光,且系修整一抛光盘的角度或形状,以对该陶瓷晶圆片的表面进行抛光。

12、根据本专利技术的一实施例,该蚀刻方式为干式蚀刻或湿式蚀刻。

13、本专利技术所提供的优势在于:本专利技术的具有表面形状晶圆片,可帮助镀膜制程,且流体在经过不同厚度之表面时,有助于流体的流动,以增进后续制程中薄膜良率。

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【技术保护点】

1.一种具有表面形状的陶瓷晶圆片,其具有一上表面及一下表面,且该上表面及该下表面中的至少一者具有表面形状;

2.根据权利要求1所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片,其特征在于,该表面厚度差值介于0.1~10μm。

3.根据权利要求1所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片,其特征在于,该表面形状为正凸背平、正凹背平、正不规则背平、正凸背凸、正凹背凸、正不规则背凸、正凸背凹、正凹背凹、正不规则背凹、正凸背不规则、正凹背不规则、正不规则背部规则。

4.根据权利要求1所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片,其特征在于,该陶瓷晶圆的材料为氮化铝、氮化矽,氧化铝、氧化矽、碳化矽之氮化物、氧化物或碳化物。

5.一种权利要求1-4任一项所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片的制造方法,其特征在于,包含:

6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该研磨为单面研磨,且系经由调整该载盘的角度,使一砂轮对该陶瓷晶圆片表面进行研磨;或调整一砂轮或研磨盘的角度或控制该砂轮角度的形状,对该陶瓷晶圆片表面进行研磨。

7.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该研磨为双面研磨,且系修整研磨盘的形状,以对该陶瓷晶圆片的表面进行研磨。

8.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该抛光为单面抛光,且系以修整一抛光盘的角度或形状,以对该陶瓷晶圆片的表面进行抛光。

9.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该抛光为双面抛光,且系修整一抛光盘的角度或形状,以对该陶瓷晶圆片的表面进行抛光。

10.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该蚀刻方式为干式蚀刻或湿式蚀刻。

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【技术特征摘要】

1.一种具有表面形状的陶瓷晶圆片,其具有一上表面及一下表面,且该上表面及该下表面中的至少一者具有表面形状;

2.根据权利要求1所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片,其特征在于,该表面厚度差值介于0.1~10μm。

3.根据权利要求1所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片,其特征在于,该表面形状为正凸背平、正凹背平、正不规则背平、正凸背凸、正凹背凸、正不规则背凸、正凸背凹、正凹背凹、正不规则背凹、正凸背不规则、正凹背不规则、正不规则背部规则。

4.根据权利要求1所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片,其特征在于,该陶瓷晶圆的材料为氮化铝、氮化矽,氧化铝、氧化矽、碳化矽之氮化物、氧化物或碳化物。

5.一种权利要求1-4任一项所述的具有表面形状的陶瓷晶圆片的制造方法,其特征在于,包含:

【专利技术属性】
技术研发人员:曾彦凯江柏萱江瑞凤
申请(专利权)人:鸿创应用科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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