【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压电陶瓷，特别涉及一种利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法。
技术介绍
1、目前，国内外学者解决压电陶瓷迟滞问题的主要方法集中在对器件的建模与控制方面。但这些数学模型都是基于器件测试位移数据，很少深入到迟滞产生的机理即陶瓷的制备工艺和微观结构，对材料制备过程无指导作用，过程繁琐而且精度不高。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，以提高精度。
2、一种利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，包括以下步骤：
3、步骤s10，在不同烧结温度条件下，采用固相反应法制备第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷；
4、步骤s11，对进行xrd、sem测试后的第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷分别进行被银、极化；
5、步骤s12，对极化后的第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷进行压电性能、电滞回线测试与分析，以研究相界对两组压电陶瓷的迟滞非线性的影响规律；
6、步骤s13，对极化后的第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷进行位移电压关系测试，并对位移电压关系进行回归分析，以构建线性度和迟滞特性模型。
7、进一步地，在步骤s10中，烧结温度条件为：1140℃、1160℃、1180℃，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷的组分为0.9625knns-0.0375bnkz。
8、进一步地，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷处于r-t多晶型相界，
9、进一步地，在步骤s12中，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷处于r-t多晶型相界具有最大应变。
10、进一步地，在步骤s13中，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷具有最大位移值，拥有最好线性度，且迟滞最小。
11、相较现有技术，本专利技术通过组分设计和烧结温度的调控，构建knn基压电陶瓷的多晶型相界(ppb)，研究材料线性特性与迟滞特性，从根源提高驱动器的精度。
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1.一种利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，在步骤S10中，烧结温度条件为：1140℃、1160℃、1180℃，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷的组分为0.9625KNNS-0.0375BNKZ。
3.根据权利要求2所述的利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷处于R-T多晶型相界，压电性能最好(d33＝146pC/N)，且晶粒尺寸最大。
4.根据权利要求1所述的利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，在步骤S12中，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷处于R-T多晶型相界具有最大应变。
5.根据权利要求1所述的利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，在步骤S13中，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷具有最大位移值，拥有最好线性度，且迟滞最小。
【技术特征摘要】
1.一种利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，在步骤s10中，烧结温度条件为：1140℃、1160℃、1180℃，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷的组分为0.9625knns-0.0375bnkz。
3.根据权利要求2所述的利用多晶型相界改善压电陶瓷迟滞非线性的方法，其特征在于，当烧结温度条件为1140℃时，第一组压电陶瓷和第二组压电陶瓷处于r-t...
【专利技术属性】
技术研发人员：张幼明，柳小平，王凤秀，臧子欣，梁伟杰，
申请(专利权)人：九江学院，
类型：发明
国别省市：
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