【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及构造体、物理量传感器、惯性传感器及构造体的制造方法等。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了这样的技术，考虑到应力容易集中在根据结晶面而产生的残渣的端部，采用不易产生残渣的设计。
2、专利文献1：日本特开2019-144148号公报
技术实现思路
1、假设在专利文献1所公开的构造体中，当定义构造体的切槽端部的端面在俯视观察时形成根据不同的结晶面而相互相交的两条线的情况下，应力集中在这两条线的交点处。
2、本公开的一个方式涉及一种构造体，在设有切槽的晶体基板的构造体中，作为所述切槽的内壁，包括：第一侧面，沿着作为所述切槽的长度方向的第一方向；第二侧面，沿着所述第一方向；第一端面，与所述第一侧面相连续且沿着所述晶体基板的第一结晶面；以及第二端面，与所述第二侧面相连续且沿着所述晶体基板的第二结晶面，在俯视观察所述晶体基板时，沿着相当于所述第一端面的第一线段的直线和沿着相当于所述第二端面的第二线段的直线相交的交点位于所述晶体基板内。
3、另外，本公开的另一种方式涉及一种包括上述所记载的构造体的物理量传感器。
4、另外，本公开的另一种方式涉及一种惯性传感器，包括：第一物理量传感器，检测第一检测轴上的第一物理量；第二物理量传感器，检测第二检测轴上的第二物理量，所述第二检测轴与所述第一检测轴正交；以及第三物理量传感器，所述第三物理量传感器为权利要求3所述的物理量传感器，检测第三检测轴上的第三物理量，所述第三检测轴与所述第一检测轴以及所述
5、另外，本公开的另一种方式涉及一种制造方法，所述制造方法为制造晶体基板的构造体的制造方法，其包括：掩膜形成工序，在所述晶体基板形成掩膜；以及蚀刻工序，通过使用所述掩膜对所述晶体基板进行蚀刻，在所述晶体基板形成切槽，在所述蚀刻工序中使用如下形状的掩膜：在俯视观察所述晶体基板时，所述掩膜覆盖沿着第一线段的直线和沿着第二线段的直线相交的交点，所述第一线段相当于沿着所述晶体基板的第一结晶面的第一端面，所述第二线段相当于沿着所述晶体基板的第二结晶面的第二端面，所述晶体基板形成于所述切槽的端部。
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1.一种晶体基板的构造体，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的晶体基板的构造体，其特征在于，
3.一种物理量传感器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的物理量传感器，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的物理量传感器，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的物理量传感器，其特征在于，
7.一种惯性传感器，其特征在于，包括：
8.一种晶体基板的构造体的制造方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种晶体基板的构造体，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的晶体基板的构造体，其特征在于，
3.一种物理量传感器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的物理量传感器，其特征在于，
5...
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