【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单片机芯片，具体涉及一种单片机芯片的模式切换方法及电路。
技术介绍
1、随着单片机技术的发展，单片机芯片在开发或使用过程中，需要在不同的模式之间进行切换，包括正常运行模式和串口引导模式(又称下载模式)，在串口引导模式下，能够实现对单片机芯片的调试或烧录。为实现两种模式之间的切换，通常需要利用特定引脚，例如usb转串口芯片(又称usbttl芯片)中实现模式切换的特定引脚为串口引导模式判断脚(又称boot模式判断引脚)。
2、在相关技术中，通常通过usb转串口芯片的流控脚来直接控制复位引脚和串口引导模式判断脚，从而实现模式的切换。但是这种方式由于流控脚是直接与复位引脚以及串口引导模式判断脚相连，当复位引脚或串口引导模式判断脚被流控脚占用以控制单片机芯片的工作模式时，复位引脚或串口引导模式判断脚就无法同时作为普通的通用输入输出(general purpose input/output，gpio)引脚来读取或发送数据，导致实现模式切换的特定引脚的正常gpio功能受到影响。
技术实现思路
1、本申请提供一种单片机芯片的模式切换方法及电路，通过设置外围的单片机芯片的模式切换电路，使得单片机芯片能够自动实现正常运行模式和串口引导模式两个模式之间的切换，并且在完成模式切换之后能够解除串口引导模式判断脚的模式切换功能，使得串口引导模式判断脚的正常gpio功能不受影响。
2、第一方面，本申请提供了一种单片机芯片的模式切换电路，所述电路包括第一三极管、第二三极管、第一电
3、所述单片机芯片的模式切换电路，用于通过所述第一流控引脚以及所述第二流控引脚的信号，控制所述复位引脚以及所述串口引导模式判断脚的电平，以使单片机芯片在进行模式切换时，通过所述复位引脚恢复所述串口引导模式判断脚的模式切换功能，并在完成模式切换之后，解除所述串口引导模式判断脚的模式切换功能。
4、在一些实施例中，所述电路还包括延时电容，所述延时电容的第一极与所述第一三极管的集电极连接，所述延时电容的第二极接地；
5、所述延时电容，用于延长所述复位引脚被所述第一三极管拉低复位再释放后上拉至高电平的时长，以在所述复位引脚上拉至高电平之前，控制所述串口引导模式判断脚的电平切换。
6、在一些实施例中，所述第一三极管为npn型三极管，所述第二三极管为pnp型三极管。
7、在一些实施例中，所述第一电阻与所述第二电阻均为限流电阻。
8、第二方面，本申请提供了一种单片机芯片的模式切换方法，应用于单片机芯片的模式切换电路，所述方法包括：
9、接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，所述复位引脚被下拉至低电平，以复位所述单片机芯片，进而在所述单片机芯片复位之后恢复所述串口引导模式判断脚的模式切换功能；
10、接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，以释放对所述复位引脚及所述串口引导模式判断脚的控制，所述复位引脚在所述延时电容的作用下延时上电；
11、在所述复位引脚延时上电至高电平之前，接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，所述串口引导模式判断脚被上拉为高电平，以使所述复位引脚在延时上电至高电平时，根据所述串口引导模式判断脚的高电平状态，将所述单片机芯片切换至串口引导模式；
12、在所述单片机芯片切换至串口引导模式之后，接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，以解除所述串口引导模式判断脚的模式切换功能。
13、通过采用上述技术方案，通过第一流控引脚以及第二流控引脚的信号控制，能够实现单片机芯片的模式切换，同时还能够实现串口引导模式判断脚以及复位引脚的模式切换功能的恢复与解除，使得串口引导模式判断脚以及复位引脚的正常gpio功能不受影响。
14、在一些实施例中，所述在所述单片机芯片切换至串口引导模式之后，接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，以解除所述串口引导模式判断脚的模式切换功能之后，还包括：
15、接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，所述复位引脚被下拉至低电平，以复位所述单片机芯片，进而在所述单片机芯片复位之后恢复所述串口引导模式判断脚的模式切换功能；
16、接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，解除所述串口引导模式判断脚的模式切换功能。
17、通过采用上述技术方案，能够通过复位重新恢复串口引导模式判断脚的模式切换功能，从而能实现从串口引导模式切换回正常运行模式，并且在正常运行模式下同样能够解除串口引导模式判断脚的模式切换功能，使得串口引导模式判断脚的正常gpio功能不受影响。
18、在一些实施例中，所述接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，所述复位引脚被下拉至低电平，以复位所述单片机芯片，进而在所述单片机芯片复位之后恢复所述串口引导模式判断脚的模式切换功能，包括：
19、接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，所述第一三极管的基极为高电平，所述第一三极管的发射极为低电平，所述第一三极管存在基极到发射极的正电流，所述复位引脚被下拉至低电平；
20、所述第二三极管的基极为高电平，所述第二三极管的发射极为低电平，所述第二三极管不导通，所述串口引导模式判断脚为低电平，所述单片机芯片复位，以恢复所述串口引导模式判断脚的模式切换功能。
21、在一些实施例中，所述接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，以释放对所述复位引脚及所述串口引导模式判断脚的控制，所述复位引脚在所述延时电容的作用下延时上电，包括：
22、接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，第一三极管以及第二三极管均不导通，以释放对所述复位引脚及所述串口引导模式判断脚的控制，所述延时电容处于充电状态，以使所述复位引脚在所述延时电容的作用下延时上电。
23、在一些实施例中，所述在所述复位引脚延时上电至高电平之前，接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，所述串口引导模式判断脚被上拉为高电平，以使所述复位引脚在延时上电至高电平时，根据所述串口引导模式判断脚的高电平状态，将所述单片机芯片切换至串口引导模式，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻，所述第一电阻的第一端连接第一流控引脚，所述第一电阻的第二端连接所述所述第一三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接复位引脚，所述第一三极管的发射极分别连接所述第二三极管的发射极以及第二流控引脚，所述第二三极管的集电极连接串口引导模式判断脚，所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接；
2.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述电路还包括延时电容，所述延时电容的第一极与所述第一三极管的集电极连接，所述延时电容的第二极接地；
3.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第二三极管为PNP型三极管。
4.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻均为限流电阻。
5.一种单片机芯片的模式切换方法，应用于权利要求1-4中任一所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述单片机芯片切换至串口引导模式之后，接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，以解除所述串口引导模式判断脚的模式切换功能之后，还包括：
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，所述复位引脚被下拉至低电平，以复位所述单片机芯片，进而在所述单片机芯片复位之后恢复所述串口引导模式判断脚的模式切换功能，包括：
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的低电平信号，以释放对所述复位引脚及所述串口引导模式判断脚的控制，所述复位引脚在所述延时电容的作用下延时上电，包括：
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述复位引脚延时上电至高电平之前，接收所述第一流控引脚输出的低电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，所述串口引导模式判断脚被上拉为高电平，以使所述复位引脚在延时上电至高电平时，根据所述串口引导模式判断脚的高电平状态，将所述单片机芯片切换至串口引导模式，包括：
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述单片机芯片切换至串口引导模式之后，接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以及所述第二流控引脚输出的高电平信号，以解除所述串口引导模式判断脚的模式切换功能，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻，所述第一电阻的第一端连接第一流控引脚，所述第一电阻的第二端连接所述所述第一三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接复位引脚，所述第一三极管的发射极分别连接所述第二三极管的发射极以及第二流控引脚，所述第二三极管的集电极连接串口引导模式判断脚，所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接；
2.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述电路还包括延时电容，所述延时电容的第一极与所述第一三极管的集电极连接，所述延时电容的第二极接地；
3.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述第一三极管为npn型三极管，所述第二三极管为pnp型三极管。
4.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻均为限流电阻。
5.一种单片机芯片的模式切换方法，应用于权利要求1-4中任一所述的单片机芯片的模式切换电路，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述单片机芯片切换至串口引导模式之后，接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘可佳，王江伟，王镇山，李文权，
申请(专利权)人：凌思微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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