【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单片机芯片,具体涉及一种单片机芯片的模式切换方法及电路。
技术介绍
1、随着单片机技术的发展,单片机芯片在开发或使用过程中,需要在不同的模式之间进行切换,包括正常运行模式和串口引导模式(又称下载模式),在串口引导模式下,能够实现对单片机芯片的调试或烧录。为实现两种模式之间的切换,通常需要利用特定引脚,例如usb转串口芯片(又称usbttl芯片)中实现模式切换的特定引脚为串口引导模式判断脚(又称boot模式判断引脚)。
2、在相关技术中,通常通过usb转串口芯片的流控脚来直接控制复位引脚和串口引导模式判断脚,从而实现模式的切换。但是这种方式由于流控脚是直接与复位引脚以及串口引导模式判断脚相连,当复位引脚或串口引导模式判断脚被流控脚占用以控制单片机芯片的工作模式时,复位引脚或串口引导模式判断脚就无法同时作为普通的通用输入输出(general purpose input/output,gpio)引脚来读取或发送数据,导致实现模式切换的特定引脚的正常gpio功能受到影响。
技术实现思路<
...【技术保护点】
1.一种单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻,所述第一电阻的第一端连接第一流控引脚,所述第一电阻的第二端连接所述所述第一三极管的基极,所述第一三极管的集电极连接复位引脚,所述第一三极管的发射极分别连接所述第二三极管的发射极以及第二流控引脚,所述第二三极管的集电极连接串口引导模式判断脚,所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接;
2.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述电路还包括延时电容,所述延时电容的第一极与所述第一三极
...【技术特征摘要】
1.一种单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻,所述第一电阻的第一端连接第一流控引脚,所述第一电阻的第二端连接所述所述第一三极管的基极,所述第一三极管的集电极连接复位引脚,所述第一三极管的发射极分别连接所述第二三极管的发射极以及第二流控引脚,所述第二三极管的集电极连接串口引导模式判断脚,所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接;
2.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述电路还包括延时电容,所述延时电容的第一极与所述第一三极管的集电极连接,所述延时电容的第二极接地;
3.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述第一三极管为npn型三极管,所述第二三极管为pnp型三极管。
4.根据权利要求1所述的单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述第一电阻与所述第二电阻均为限流电阻。
5.一种单片机芯片的模式切换方法,应用于权利要求1-4中任一所述的单片机芯片的模式切换电路,其特征在于,所述方法包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在所述单片机芯片切换至串口引导模式之后,接收所述第一流控引脚输出的高电平信号以...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘可佳,王江伟,王镇山,李文权,
申请(专利权)人:凌思微电子杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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