【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种等离子处理装置，在真空容器内部的处理室内的样品台的上表面配置半导体晶片等基板状的样品，使用对该处理室内供给处理气体而形成的等离子来对所述样品进行处理，特别涉及一种等离子处理装置，在覆盖所述样品台的上表面的电介质制的膜内具备多个膜状的加热器，在通过这些加热器来调节所述样品的温度的同时进行处理。
技术介绍
1、在等离子处理装置中，为了缩短对将形成于半导体晶片(以后也仅称作晶片)等板状的样品的表面的膜层叠多个而得到的所谓多层膜进行蚀刻处理的时间，将上下相邻的膜在相同处理室内进行处理，且在这些膜各自的处理的期间，不将晶片取出到处理室外地进行处理。
2、在这样的处理中，将配置于处理室内的样品台的温度调整到适合的温度来对晶片进行处理是重要的。因此，在等离子处理装置的样品台中内置加热器，在对晶片进行加工的情况下，调整到适于加工的温度，提高加工精度。
3、作为这样的等离子处理装置的一例，过去以来已知jp特开2007-67036号公报(专利文献1)公开的方案。在本现有技术中，公开了一种等离子处理装置，在构成配置于真空容器内部的处理室内的样品台的金属制的具有圆板或圆筒形状的基材的内部，形成冷媒在内侧流通且同心状多重配置的冷媒流路，在金属制的具有圆板或圆筒形状的基材上部通过热喷涂形成环状的加热器膜，能按每个蚀刻条件使晶片面内的温度分布变化。
4、进而，作为这样的等离子处理装置的现有技术的其他示例，已知jp特开2017-157855号公报(专利文献2)公开的方案。本现有技术公开了一种等离子处理装置，在构
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：jp特开2007-67036号公报
8、专利文献2：jp特开2017-157855号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在现有技术中，若考虑配置大量加热器并进行电极的温度控制，则产生如下的课题。关于供电用和电流回流用的孔，对于各区域需要合计2个孔，随着区域数的增加而孔的配置变得。此外，即使能配置，开大量的孔也需要高成本且难以进行加工。
3、本公开提供能安全且低成本、容易地制作多区域的加热器层(加热器线)的电极。
4、用于解决课题的手段
5、本公开的一方式的等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子；样品台，其配置在该处理室内，在其上表面载置所述晶片，且具有圆筒形；第1加热器层，其配置于覆盖所述样品台的具有圆板形状的基材的上表面的电介质制的膜的内部，具备配置在各自具有矩形形状的多个区域的各个区域的多个膜状的加热器；和多个温度传感器，其配置在该第1加热器层的所述矩形形状的区域的下方的所述基材的内部，所述多个区域与形成于所述晶片上表面的多个半导体器件的电路图案对应地配置，包含所述多个区域的各个区域与使所述矩形形状的1个边彼此相邻的区域相对配置的4个区域，将配置于该4个区域的各个区域的所述膜状的加热器作为1个集合，所述等离子处理装置具备与该集合的所述膜状的加热器各自的一部位电连接且供给来自直流电源的电力的4个供电路径、以及与各个所述膜状的该加热器的其他部位电连接且将所述电力回授到所述直流电源的1个返回路径。
6、即，采用将回流电流集中到基材的手法。具体地，通过在基材上进行过孔加工，将加热器层和基材利用钨的过孔布线进行连接，能将加热器的返回电流汇集到基材。
7、专利技术的效果
8、根据本公开的一方式的等离子处理装置，能安全且低成本、容易地制作多区域的加热器层(加热器线)的电极。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：兵藤友昭，中谷信太郎，一野贵雅，田中优贵，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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