一种光刻胶成膜树脂及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶成膜树脂及其制备方法，所述光刻胶成膜树脂包含式I所示聚合物结构，其中，x、y和z为单体的摩尔占比，0.1≤x≤0.2，y＝0.5，0.3≤z≤0.4，x+y+z＝1；R1和R2单独的选自‑H、异丙基或叔丁基，且R1和R2其中之一选自异丙基时，另一个必不为叔丁基；R3为‑H，叔丁烷基或2‑羟乙基。本发明专利技术光刻胶成膜树脂在保持树脂高Tg和强耐刻蚀性的同时，比单独添加溶解抑制剂具有更好的分散效果和溶解抑制效果，有利于改善曝光后线条粗糙度和分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻胶微电子化学，涉及一种聚合物树脂及其制备方法和光刻胶组合物。

技术介绍

1、电子信息产业的蓬勃发展依赖于集成电路性能的不断提高。光刻是集成电路制造中的关键技术，也是所有微纳器件制造过程中必不可少的一道工艺。

2、光刻是利用光化学反应原理将掩模版上的图形转印到衬底上的过程。光刻胶作为光刻技术的核心化学材料，通过匹配波长不断降低的曝光光源，可以使得曝光后图形分辨率不断提高。成膜树脂作为光刻胶的骨架组分，直接影响光刻胶的性能。

3、化学放大胶概念自在20世纪80年代被提出后，被广泛应用在248纳米波长以下制程的半导体器件的制备过程中。然而，采用化学放大胶作为光刻胶会造成非曝光区域因为酸过度扩散有微弱曝光现象，从而导致图形边缘粗糙，与设计尺寸偏离等问题，增大了产生缺陷的可能性，降低了光刻的工艺窗口。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种光刻胶成膜树脂及其制备方法，以及包含此成膜树脂的光刻胶组合物，有利于改善曝光后线条粗糙度和分辨率。

2、本专利技术目的通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶成膜树脂，其特征在于，包含式I所示聚合物结构：

2.根据权利要求1所述的光刻胶成膜树脂，其特征在于，所述成膜树脂由单体I、单体II和单体III共聚制备而成，所述单体I结构为：

3.权利要求1或2所述的光刻胶成膜树脂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述引发剂为过氧苯甲酰、过氧化环己酮、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、苯甲酸过氧化氢、叔丁氧过氧化氢、偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯；

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述引发剂的添加量为...

【技术特征摘要】

1.一种光刻胶成膜树脂，其特征在于，包含式i所示聚合物结构：

2.根据权利要求1所述的光刻胶成膜树脂，其特征在于，所述成膜树脂由单体i、单体ii和单体iii共聚制备而成，所述单体i结构为：

3.权利要求1或2所述的光刻胶成膜树脂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述引发剂为过氧苯甲酰、过氧化环己酮、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、苯甲酸过氧化氢、叔丁氧过氧化氢、偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯；

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述引发剂的添加量为单体总质量的0.01％-10％，所述溶剂的添加量为单体总质量的20％-2000％。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述引发剂添加量为单体总质量的2％-5％；溶剂的添加量为单体总质量的50％-500％。

7.根据权利要求6所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小欧，刘亚栋，季生象，魏梦君，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：发明
国别省市：