【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抗干扰测温装置，更具体地是涉及一种经颅磁刺激线圈温度测量直O
技术介绍
经颅磁刺激是使用脉冲磁场影响脑的电活动的方法。该方法通过在脑外头皮上施 加强脉冲磁场，脉冲磁场在脑内感应出电场，从而实现对脑的电活动的干预。经颅磁刺激系统主要有高压脉冲电源和线圈两部分组成，它是基于电磁感应基本 原理，通过一个充电的高压电容对一个电感线圈瞬时放电来产生很强的脉动电流从而获得 强磁场用于经颅磁刺激激。其中放电线圈是一个基本的RLC(如图1所示)。由于要获得强磁场，需要对线圈 施加一个几百伏甚至上千伏的高压脉冲，且线圈的电阻要尽量小，大致为几欧姆，由此对线 圈放电时将在线圈上产生极大的瞬时电流，从而将使线圈发热，若连续放电，将会使线圈的 温度不断上升，以致影响线圈的性能，甚至损坏线圈。为此需要实时测量线圈的温度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种抗干扰测温装置，以实时测量线圈的温度。为实现上述目的，本专利技术提供的抗干扰测温装置，主要包括一经颅磁刺激线圈，所述经颅磁刺激线圈的内圈处设置一温度传感器，由绝缘导 热硅橡胶灌封为一体；所述温度传感器与信号采集系统...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周珩，许海田，夏伟杰，
申请(专利权)人：香港脑泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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