【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产，特别是涉及一种半导体清洗药液管道结构和一种半导体工艺设备。
技术介绍
1、晶圆清洗是半导体行业晶圆加工中的重要一环，在整个晶圆加工过程中，通常采用spm(surfuric/peroxide mi，半导体清洗液)进行湿法清洗。但是spm特性遇水能发生巨大化学反应，高温的spm与残留的diw(deionized water，去离子水)产生大量的热量，容易造成厂务管道溶解、坍塌。而现有的spm工艺管路中，spm槽在排废液与排水之间未做任何处理。通过机台的软件设置排酸的阀门和排水的阀门互斥，使得排酸的阀门和排水的阀门不能同时开启。机台的软件记录当前spm槽内的液体类型，进而开启排酸的阀门和排水的阀门，在如机台断电或者机台数据丢失时，导致记录丢失，从而需要人为判断spm槽内的液体类型，操作人员依据现场的数据分析，容易判断错误，从而存在错误排放的风险，会导致酸性溶液溶解厂务管路，滴漏酸性物质至地板上，留下了严重安全隐患，导致半导体工艺设备的安全性不足。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体清洗药液管道结构和一种半导体工艺设备。
2、为了解决上述问题，在本专利技术的第一个方面，本专利技术实施例公开了一种半导体清洗药液管道结构，包括：
3、清洗药液循环管路，用于在进行半导体清洗工艺时，循环给排清洗药液；
4、排水管路，与所述清洗药液循环管路的出口连接；>
5、排液管路，与所述清洗药液循环管路的出口连接；
6、排放检测组件，设置于所述清洗药液循环管路，用于检测所述清洗药液的状态，生成状态信息；
7、控制组件，与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接，用于基于所述状态信息，接通所述排水管路与所述排液管路中的一个。
8、可选地，所述状态信息包括温度值和浓度值，所述排放检测组件包括：
9、浓度检测器，设置于所述清洗药液循环管路中，用于检测所述清洗药液的浓度，生成所述浓度值；
10、温度检测计，设置于所述清洗药液循环管路的出口，用于检测所述清洗药液的温度，生成所述温度值。
11、可选地，所述控制组件包括：
12、排水控制电路，与所述浓度检测器、所述温度检测计连接，用于基于所述浓度值和所述温度值，控制所述排水管路开启；
13、排液控制电路，与所述浓度检测器连接，用于基于所述浓度值控制所述排液管路开启。
14、可选地，所述排水管路通过第一控制阀与所述清洗药液循环管路连接；所述排水控制电路包括：
15、第一继电器，所述第一继电器的线圈与所述浓度检测器、所述温度检测计连接，在所述浓度值满足预设第一浓度条件且所述温度值满足预设温度条件时通电；
16、所述第一继电器的第一开关与所述第一控制阀连接，所述第一继电器的线圈通电时闭合，所述第一继电器的第一开关接通所述第一控制阀，以使所述排水管路与所述清洗药液循环管路连通。
17、可选地，还包括：进酸管路，
18、所述进酸管路通过进酸控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
19、可选地，所述第一继电器的第二开关与所述进酸控制阀连接，所述第一继电器的线圈通电时所述第一继电器的第二开关断开，以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。
20、可选地，所述预设第一浓度条件为低于预设第一浓度阈值；所述预设温度条件为低于预设温度阈值。
21、可选地，所述排液管路通过第二控制阀与所述清洗药液循环管路连接；所述排液控制电路包括：
22、第二继电器，所述第二继电器的线圈与所述浓度检测器连接，在所述浓度值满足预设第二浓度条件时通电；
23、所述第二继电器的第一开关与所述第二控制阀连接，所述第二继电器的线圈通电时闭合，所述第二继电器的第一开关接通所述第二控制阀，以使所述排液管路与所述清洗药液循环管路连通。
24、可选地，还包括：进水管路，
25、所述进水管路通过进水控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
26、可选地，所述第二继电器的第二开关与所述进水控制阀连接，所述第二继电器的线圈通电时所述第二继电器的第二开关断开，以隔断所述进水管路与所述清洗药液循环管路。
27、可选地，所述预设第二浓度条件为高于预设第二浓度阈值。
28、在本专利技术的第二个方面，本专利技术实施例还公开了一种半导体工艺设备，包括：清洗槽、晶圆承载结构、和上所述的半导体清洗药液管道结构，所述晶圆承载结构位于所述清洗槽中；所述半导体清洗药液管道结构与清洗槽连接，用于向清洗槽输出清洗药液中，通过所述清洗药液清洗所述晶圆承载结构承载的待清洗件；并排出所述清洗槽中的清洗药液。
29、本专利技术实施例包括以下优点：
30、本专利技术实施例通过清洗药液循环管路在进行半导体清洗工艺时，循环给排清洗药液；排水管路，与所述清洗药液循环管路的出口连接；排液管路，与所述清洗药液循环管路的出口连接；排放检测组件，设置于所述清洗药液循环管路，检测所述清洗药液的状态，生成状态信息；控制组件，与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接，基于所述状态信息，接通所述排水管路与所述排液管路中的一个；通过控制组件检测清洗药液循环管路中的状态，确定清洗药液循环管路中的液体的类型，从而可以自动地基于当前清洗药液循环管路中的液体类型控制排水管路或排液管路进行排放，减少人工现场确认的步骤，从而减少人力以及避免了认为判断错误的现象发生；并且通过控制组件进行硬件切换的方式实现排液控制，避免高温高浓度的药液与去离子水混淆排放的情况，提高排液的安全性和可靠性。
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1.一种半导体清洗药液管道结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述状态信息包括温度值和浓度值，所述排放检测组件包括：
3.根据权利要求2所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述控制组件包括：
4.根据权利要求3所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述排水管路通过第一控制阀与所述清洗药液循环管路连接；所述排水控制电路包括：
5.根据权利要求4所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，还包括：进酸管路，
6.根据权利要求5所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述第一继电器的第二开关与所述进酸控制阀连接，所述第一继电器的线圈通电时所述第一继电器的第二开关断开，以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。
7.根据权利要求4所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述预设第一浓度条件为低于预设第一浓度阈值；所述预设温度条件为低于预设温度阈值。
8.根据权利要求3所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述排液管路通过第二控制阀与所述清洗
9.根据权利要求8所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，还包括：进水管路，
10.根据权利要求9所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述第二继电器的第二开关与所述进水控制阀连接，所述第二继电器的线圈通电时所述第二继电器的第二开关断开，以隔断所述进水管路与所述清洗药液循环管路。
11.根据权利要求8所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述预设第二浓度条件为高于预设第二浓度阈值。
12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：清洗槽、承载结构、和如权利要求1至11任一项所述的半导体清洗药液管道结构，所述承载结构位于所述清洗槽中，用于承载待清洗件；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗药液管道结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述状态信息包括温度值和浓度值，所述排放检测组件包括：
3.根据权利要求2所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述控制组件包括：
4.根据权利要求3所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述排水管路通过第一控制阀与所述清洗药液循环管路连接；所述排水控制电路包括：
5.根据权利要求4所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，还包括：进酸管路，
6.根据权利要求5所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述第一继电器的第二开关与所述进酸控制阀连接，所述第一继电器的线圈通电时所述第一继电器的第二开关断开，以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。
7.根据权利要求4所述的半导体清洗药液管道结构，其特征在于，所述预设第一浓度条件...
【专利技术属性】
技术研发人员：林立，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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