【技术实现步骤摘要】
本公开涉及封装在包含介电材料的纳米管内的纳米带。
技术介绍
1、包括石墨烯和过渡金属二硫属化物在内的原子级薄材料是众多开发应用的有前途的结构单元。然而，这些极薄的层易受任何微弱外部扰动的影响，这可能会改变或损害它们的内在性能。因此可能希望封装这种材料。
2、最近，已经报道了在碳纳米管(cnt)内提供的纳米带。然而，由于cnt是导电的，因此它们通常会使包含cnt的电路短路。此外，cnt经常屏蔽来自纳米带的光发射，使得对其性质的任何研究都不可能。另一方面，当前使用绝缘材料的方法依赖于机械剥离和堆叠。尽管已经开发了干转移法，但是辅助聚合物(例如，聚二甲基硅氧烷)中的化学残留物仍然是不可避免的。
3、此外，在纳米管内合成超窄石墨烯和过渡金属二硫属化物纳米带在设计二维材料已经丰富的电子和光学行为中引入了额外的自由度(即，宽度限制)。由于宽度的减小还增加了此类材料对外部环境的敏感性和易损性，导致更快的性能衰减，因此将此类超窄纳米带封装在包含介电材料的纳米管内部可将纳米带与外部环境隔离，从而保护其免受性能衰减。
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【技术保护点】
1.一种封装纳米带，所述封装纳米带包括：
2.根据权利要求1所述的封装纳米带，其中所述介电材料包含六方氮化硼。
3.根据权利要求1所述的封装纳米带，其中所述纳米带具有Z字形边缘结构。
4.根据权利要求1所述的封装纳米带，其中所述纳米带具有扶手椅形边缘结构。
5.根据权利要求1所述的封装纳米带，还包含附接到所述纳米带的第一末端的金属电极，其中所述金属电极的至少一部分封装在所述纳米管内。
6.一种制备封装纳米带的方法，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中使所述封装的第一前体与所述第二前体...
【技术特征摘要】
1.一种封装纳米带，所述封装纳米带包括：
2.根据权利要求1所述的封装纳米带，其中所述介电材料包含六方氮化硼。
3.根据权利要求1所述的封装纳米带，其中所述纳米带具有z字形边缘结构。
4.根据权利要求1所述的封装纳米带，其中所述纳米带具有扶手椅形边缘结构。
5.根据权利要求1所述的封装纳米带，还包含附接到所述纳米带的第一末端的金属电极，其中所述金属电极的至少一部分封装在所述纳米管内。
6.一种制备封装纳米带的方法，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中使所述封装的第一前体与所述第二前体反应包括使所述封装的第一前体与所述第二前体的蒸气在升高的温度下接触足以提供所述封装纳米带的时间段。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述封装的第一前体包含过渡金属盐。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述封装的第一前体被纳米管封装，所述纳米管包含介电材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述介电材料包含六方氮化硼。
11.根据权利要求7所...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿韦季克·R·哈鲁特云岩，李煦凡，
申请(专利权)人：本田技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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