一种利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法技术

本发明专利技术属于稀土氟氧化物制备领域，具体涉及一种利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，包括如下步骤：将稀土氧化物与有机氟源按照一定的摩尔比混合配料，向混合粉料中加入分散剂并经球磨、干燥、过筛后烧结制得稀土氟氧化物。本发明专利技术以成本低的有机氟化物作为单一氟源，通过调整稀土氧化物与有机氟源的配比及调整烧结温度和时间，实现稀土氟氧化物的可控制备；另外，本发明专利技术制备过程引入的杂质少，所制得的稀土氟氧化物结晶度高、无杂相；此外，本发明专利技术制备过程中烧结温度低，制备原料氟化物来源广泛成本低，制备工艺简单，经济效益明显。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀土氟氧化物制备领域，具体而言，涉及一种利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法。

技术介绍

1、含氟等离子体通常用于晶圆的高速刻蚀和垂直刻蚀，然而含氟等离子体在刻蚀硅晶圆的过程中，会对刻蚀机腔内零部件造成侵蚀。相对于有机和金属材料，陶瓷材料(如al2o3、y2o3)一般都具有较好的耐物理和化学腐蚀性能以及很高的工作温度被用作刻蚀机腔内零部件的保护涂层。但由于f的电负性大于o，氧化物陶瓷材料在含氟等离子环境中服役时会发生氟化反应，并在含氟等离子的碰撞作用下从材料表面脱落影响刻蚀机的使用寿命，同时产生污染颗粒影响晶圆良率，增加生产成本。通过调研及前期研究发现，对陶瓷材料如稀土氧化物材料进行预氟化处理，可以有效缓减材料在等离子体环境下的损伤行为及污染颗粒的产生，稀土氟氧化物成为一种面向含氟等离子环境的新型保护材料。

2、稀土氟氧化物reoxfy(x＞0,y＞0)(re＝sc、y、la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu)，包括化学计量式比(reof)和非化学式计量比vernier型(renon-本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述稀土氧化物包括Sc2O3、Y2O3、La2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3、Pr6O11、Tb4O7中的至少一种。

3.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述有机氟源包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、全氟(乙烯-丙烯)共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氟乙烯、聚偏氟乙烯中...

【技术特征摘要】

1.一种利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述稀土氧化物包括sc2o3、y2o3、la2o3、nd2o3、sm2o3、eu2o3、gd2o3、dy2o3、ho2o3、er2o3、tm2o3、yb2o3、lu2o3、pr6o11、tb4o7中的至少一种。

3.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述有机氟源包括聚四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、全氟(乙烯-丙烯)共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氟乙烯、聚偏氟乙烯中的至少一种。

4.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述分散剂包括乙醇，所述混合粉料与分散剂的重量比为1:(0～10)。

5.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述球磨为将混合粉料、分散剂于行星式球磨机中以200～600r/min转速球磨3～48h。

6.根据权利要求1所述利用单一有机氟源制备稀土氟氧化物的方法，其特征在于，所述干燥为将球磨后的物料于50～150℃干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋希文，王晓娜，王炫力，王宇鹏，戚典，
申请(专利权)人：内蒙古科技大学，
类型：发明
国别省市：