【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子装置和一种制造方法，且涉及一种包含屏蔽结构的电子装置和一种用于制造所述电子装置的方法。
技术介绍
1、在当前电子装置中，金属盖或线(metal lids or wires)可用于处理电磁干扰(electromagnetic interference,emi)问题。金属盖通常具有在所设计组件上方延伸的檐(eaves)。缺点在于檐可能限制所设计组件的高度。金属线可通过线接合工艺(wirebonding processes)形成，且必须为竖直线(vertical wires)以实现屏蔽效果(shieldingeffects)。然而，模流(mold flow)可能冲击或撞击金属线，导致金属线在模制过程(molding process)中倾斜或被扫走，从而使其难以维持其竖直度(verticality)，由此降低屏蔽效果。
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种电子装置包括第一电子组件、第二电子组件和导电元件。所述导电元件包含第一部分和第二部分。所述第一部分配置为阻挡所述第一电子组件...
【技术保护点】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二部分从所述第一部分的上表面突出，所述第二部分具有上表面和侧面，且所述第二部分的所述上表面或所述侧面接触所述屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第二部分的所述上表面和所述侧面接触所述屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中在所述导电元件的侧视图中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其更包括包封所述导电元件的包封物，其中所述第二部分的侧面与所述包封物的侧面对齐。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二部分从所述第一部分的上表面突出，所述第二部分具有上表面和侧面，且所述第二部分的所述上表面或所述侧面接触所述屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第二部分的所述上表面和所述侧面接触所述屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中在所述导电元件的侧视图中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其更包括包封所述导电元件的包封物，其中所述第二部分的侧面与所述包封物的侧面对齐。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述屏蔽层接触所述第二部分的所述侧面和所述包封物的所述侧面。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述第一部分与所述包封物的所述侧面间隔开。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中在所述导电元件的截面图中，所述第一部分和所述第二部分共同界定第一阶梯和第二阶梯，且所述第一阶梯与所述第二阶梯重叠。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其中从所述电子装置的俯视图看，所述第一阶梯和所述第二阶梯沿着所述电子装置的一侧延伸。
10.根据权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林志远，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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