半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置，包括：衬底，具有有源区；栅极条，设置在所述有源区内的衬底上，其中栅极条沿第一方向延伸；源极掺杂区，位于有源区中并沿第一方向邻近所述栅极条的第一侧；以及体掺杂区，位于有源区中且邻近栅极条的第一侧边，其中体掺杂区与源极掺杂区具有相反的导电类型，其中所述体掺杂区沿着不同于所述第一方向的第二方向具有第一长度，其中第一长度沿着第一方向逐渐变化。采用上述方式，可以在保证体掺杂区的面积大小足够的情况下，缩短栅极条之间的间距，以在相同面积下布置更多数量的栅极条，并且还可以让体掺杂区在最靠近栅极条的位置处的宽度更小，减少对电流的负面影响，从而提高半导体装置的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、诸如笔记本个人计算机、个人数字助理和无线通信设备之类的电池供电的电子系统通常使用功率金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)装置作为低导通电阻(on-resistance，ron)电子开关来分配电池功率(或电源)。对于电池供电的应用，低导通电阻对于确保尽可能少的电池功耗尤其重要。这确保了较长的电池寿命。然而，导通电阻增加的问题在高密度功率mos装置中变得显著。

2、因此，需要一种具有新颖的功率mos电子装置的半导体装置。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体装置，以解决上述问题。

2、根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体装置，包括：

3、衬底，具有有源区；

4、栅极条，设置在所述有源区内的衬底上，其中所述栅极条沿第一方向延伸；

5、源极掺杂区，位于所述有源区中并沿所述第一方向邻近所述栅极条的第一侧；以及</p>

6、体掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该体掺杂区具有沿该第一方向位于两个端部之间的中心部分，其中该体掺杂区从该中心部分向两个端部渐缩。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一长度在所述体掺杂区的中心部分处具有最大值。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述体掺杂区沿所述第一方向邻近于所述源极掺杂区设置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述体掺杂区沿所述第二方向向着所述栅极条逐渐变细。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该体掺杂区具有沿该第一方向位于两个端部之间的中心部分，其中该体掺杂区从该中心部分向两个端部渐缩。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一长度在所述体掺杂区的中心部分处具有最大值。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述体掺杂区沿所述第一方向邻近于所述源极掺杂区设置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述体掺杂区沿所述第二方向向着所述栅极条逐渐变细。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述体掺杂区沿着所述第一方向具有第一宽度，其中所述第一宽度沿着所述第二方向逐渐变化。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一宽度在最接近所述栅极条的位置处具有最小值。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一宽度在所述第一接触部所在的位置处具有最大值。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述源极掺杂区沿着所述第二方向具有第二长度，其中所述第二长度沿着所述第一方向逐渐变化。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述源极掺杂区具有沿所述第一方向位于两个端部之间的中心部分，其中所述源极掺杂区从所述中心部分向两个端部逐渐变细。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二长度在所述源极掺杂区的中心部分处具有最大值。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述源极掺杂区的中心部分连接到所述体掺杂区的端部之一。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述体掺杂区的中心部分连接到所述源极掺杂区的端部之一。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述源极掺杂区沿着所述第二方向远离所述栅极条逐渐变细。

16.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：林振华，季彦良，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：