【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子器件，更具体地说，是涉及一种mems芯片、麦克风和电子设备。
技术介绍
1、mems传感器组件于消费性电子产品已普及应用，为突破各种环境应用限制，产品可靠性要求于抗吹特性及抗跌落特性等为主，专利技术人发现为了满足产品可靠性要求，一般的设计方式是在振模上设置开孔或设计阀门图形结构等，来平衡内腔与外腔之间的压差，但开孔设计易导致低频讯号流失，阀门图形结构会受到尺寸的限制，其泄压能力有限。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开实施例的目的在于提供一种mems芯片、麦克风和电子设备，旨在解决专利技术人发现的开孔设计易导致低频讯号流失，阀门图形结构会受到尺寸的限制，其泄压能力有限的技术问题。
2、为实现上述目的，本公开采用的技术方案是：提供一种mems芯片，其包括：
3、振膜，所述振膜具有相对的第一表面和第二表面；以及
4、缓冲腔结构，所述缓冲腔结构位于所述振膜的边缘，所述缓冲腔结构具有一个或多个腔体结构，所述缓冲腔结构被配置为连通所述第一表面所在的一侧的第一空间与所述第二表面所在的一侧的第二空间。
5、进一步地，所述的mems芯片还包括承载部，所述承载部位于所述第一表面所在的一侧，且所述振膜与所述承载部之间形成有导流间隙；所述第一空间与所述缓冲腔结构之间通过所述导流间隙相连通。
7、所述第一背板具有第一膜通孔；所述第二空间通过所述第一膜通孔，以与所述第一背板与所述振膜之间的间隙空间相连通；所述第一背板与所述振膜之间的间隙空间与所述缓冲腔结构相连通。
8、进一步地，所述第一背板的边缘与所述承载部相连接，其中，所述第一背板通过第一支撑结构与所述承载部相连接；所述第一支撑结构包括主支体，所述第一背板、所述主支体和所述承载部共同围成有第一容纳区。
9、进一步地，所述主支体与所述承载部之间形成有第二容纳区，所述第一背板与所述主支体之间形成有第三容纳区。
10、进一步地，所述第三容纳区、所述第二容纳区和所述第一容纳区均与所述缓冲腔结构相连通；
11、所述第三容纳区、所述第二容纳区和所述第一容纳区中均填充有牺牲结构；
12、或，所述第一容纳区中填充有牺牲结构，所述第三容纳区和所述第二容纳区分别与所述缓冲腔结构相连通；
13、或，所述第三容纳区中填充有牺牲结构，所述第二容纳区和所述第一容纳区分别与缓冲腔结构相连通；
14、或，所述第三容纳区中填充有牺牲结构，所述第二容纳区和所述第一容纳区分别与缓冲腔结构相连通，所述第一背板与所述承载部之间具有延伸通孔，所述延伸通孔贯穿所述第一背板与所述承载部之间的第一支撑结构，所述延伸通孔与所述第一容纳区相连通，所述延伸通孔与第二空间相连通。
15、进一步地，所述承载部包括基板，所述基板具有背腔，所述背腔与所述导流间隙相连通。
16、进一步地，所述承载部还包括第二背板，所述第二背板具有第二膜通孔，所述第二膜通孔与所述背腔相连通；所述第二背板位于所述第一表面所述在的一侧，且所述第二背板位于所述振膜与所述基板之间。
17、进一步地，所述缓冲腔结构整体呈环状，且呈环状的所述缓冲腔结构围绕所述振膜设置。
18、进一步地，所述缓冲腔结构具有开口部，所述开口部用以连通所述第二空间与所述第一空间；所述开口部的宽度不小于1微米。
19、进一步地，所述振膜包括主体部，所述第一表面具有导向流道，所述导向流道被配置为使流体能够沿所述导向流道的导向方向在所述第一表面上流动；
20、其中，所述导向流道的一端靠近所述主体部的中部，所述导向流道相对的另一端远离所述主体部的中部；
21、所述导向流道与所述缓冲腔结构相连通。
22、进一步地，所述振膜还包括形成于所述第一表面上的线状凸起，所述线状凸起的数量为多个，多个所述线状凸起沿一圆的周向间隔分布；
23、相邻两个所述线状凸起，以及相邻两个所述线状凸起之间的所述第一表面的部分用于形成所述导向流道。
24、进一步地，所述线状凸起具有相对的第一端和第二端，所述第一端靠近所述主体部的中部，所述第二端远离所述主体部的中部。
25、进一步地，所述线状凸起凸出所述第一表面的高度由所述第一端向所述第二端逐渐减小；
26、和/或，所述线状凸起呈弯曲状。
27、进一步地，所述线状凸起的第二端延伸至所述主体部的边缘，或所述线状凸起的第二端伸出所述主体部的边缘。
28、进一步地，所述第一容纳区与所述缓冲腔结构相连通。
29、本公开还提供一种麦克风，其包括：电路板以及所述的mems芯片，所述mems芯片安装于所述电路板上。
30、本公开还提供一种电子设备，其包括所述的麦克风。
31、本公开提供的mems芯片、麦克风和电子设备，有益效果主要在于：
32、本公开通在振膜的边缘设置缓冲腔结构，这样当流体(如气体)由从所述第一表面所在的一侧的第一空间吹向第一表面时，经第一表面的导引，使得流体进入振膜的边缘的缓冲腔结构，流体在缓冲腔结构得到缓冲后，而进入第二表面所在的一侧的第二空间，从而利于平衡振膜两侧的空间的压差，也即平衡mems芯片内外腔之间的压差，这样避免了直接在振膜上开孔设计，从而利于感测低频讯号，并且也可以不受阀门图形结构会受到尺寸的限制，在mems芯片的非感测区域设计较大的通道，提高泄压能力。
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1.一种MEMS芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，还包括承载部，所述承载部位于所述第一表面所在的一侧，且所述振膜与所述承载部之间形成有导流间隙；所述第一空间与所述缓冲腔结构之间通过所述导流间隙相连通。
3.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，还包括第一背板，所述第一背板位于所述第二表面所在的一侧，且所述第一背板与所述振膜之间间隔设置，所述第二空间位于所述第一背板背向所述第二表面的一侧；
4.如权利要求3所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一背板的边缘与所述承载部相连接，其中，所述第一背板通过第一支撑结构与所述承载部相连接；所述第一支撑结构包括主支体，所述第一背板、所述主支体和所述承载部共同围成有第一容纳区。
5.如权利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述主支体与所述承载部之间形成有第二容纳区，所述第一背板与所述主支体之间形成有第三容纳区。
6.如权利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第三容纳区、所述第二容纳区和所述第一容纳区均与所述缓冲腔结构相连通；
...【技术特征摘要】
1.一种mems芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的mems芯片，其特征在于，还包括承载部，所述承载部位于所述第一表面所在的一侧，且所述振膜与所述承载部之间形成有导流间隙；所述第一空间与所述缓冲腔结构之间通过所述导流间隙相连通。
3.如权利要求2所述的mems芯片，其特征在于，还包括第一背板，所述第一背板位于所述第二表面所在的一侧，且所述第一背板与所述振膜之间间隔设置，所述第二空间位于所述第一背板背向所述第二表面的一侧；
4.如权利要求3所述的mems芯片，其特征在于，所述第一背板的边缘与所述承载部相连接，其中，所述第一背板通过第一支撑结构与所述承载部相连接；所述第一支撑结构包括主支体，所述第一背板、所述主支体和所述承载部共同围成有第一容纳区。
5.如权利要求4所述的mems芯片，其特征在于，所述主支体与所述承载部之间形成有第二容纳区，所述第一背板与所述主支体之间形成有第三容纳区。
6.如权利要求5所述的mems芯片，其特征在于，所述第三容纳区、所述第二容纳区和所述第一容纳区均与所述缓冲腔结构相连通；
7.如权利要求2所述的mems芯片，其特征在于，所述承载部包括基板，所述基板具有背腔，所述背腔与所述导流间隙相连通。
8.如权利要求7所述的mems芯片，其特征在于，所述承载部还包括第二背板，所述第二背板具有第二膜通孔，所述第二膜通孔与所述背腔相连通；所述第二背板位于所述第一表面所述在的一侧，且所述第二背板位于所述振膜与所述基板之间。
9.如权利要求1所述的mems...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志哲，
申请(专利权)人：神谱科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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