【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及了一种基于激光直写技术的cds/tio2/graphene电极用于比率式检测黄曲霉毒素b1,属于半导体纳米材料和生物分析。
技术介绍
1、黄曲霉毒素b1(aflatoxin b1,简称afb1)是真菌毒素的一种,广泛存在于植物与各种坚果中,具有毒性强,危害大等特点。在目前已知的所有化学物质中,黄曲霉毒素b1的致癌能力居于首位,具有极强的肝毒性与致癌性,且早在1993年便被世界卫生组织(who)的国际癌症研究机构(iarc)鉴定为ⅰ类致癌物。因此,实现对黄曲霉毒素b1的准确、快速、高效的检测对保护国民食品安全具有重要的意义。
2、目前,黄曲霉毒素b1的检测方法主要有仪器分析法、化学分析法以及免疫学分析法。仪器分析法(如薄层色谱法、高效液相法等)是毒素检测常用的方法,但仪器分析法虽然能够提供准确的检测结果,但设备昂贵,时间成本高,且需要专业的操作人员进行测试;免疫学分析法(elisa)也在黄曲霉毒素b1的检测领域得到广泛的应用,但由于酶的活性易受到反应条件的影响,在稳定性、准确性、灵敏性方面尚且存在不足之处。
>3、激光直写本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于激光直写技术的CdS/TiO2/Graphene电极的制备方法,其特征在于,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的基于激光直写技术的CdS/TiO2/Graphene电极的制备方法,其特征在于,所述CdS/TiO2/Graphene为乙酰丙酮镉、乙酰丙酮氧化钛与聚醚砜所形成的复合材料,经过激光直写后生成,具体成分比例为:Cd2+与Ti4+的摩尔比为0.75-1.25,乙酰丙酮镉与聚醚砜的质量比为0.3-0.5。
3.根据权利要求1所述的基于激光直写技术的CdS/TiO2/Graphene电极的制备方法,其特征在于,所述
...【技术特征摘要】
1.一种基于激光直写技术的cds/tio2/graphene电极的制备方法,其特征在于,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的基于激光直写技术的cds/tio2/graphene电极的制备方法,其特征在于,所述cds/tio2/graphene为乙酰丙酮镉、乙酰丙酮氧化钛与聚醚砜所形成的复合材料,经过激光直写后生成,具体成分比例为:cd2+与ti4+的摩尔比为0.75-1.25,乙酰丙酮镉与聚醚砜的质量比为0.3-0.5。
3.根据权利要求1所述的基于激光直写技术的cds/tio2/graphene电极的制备方法,其特征在于,所述的dmf溶剂中,dmf溶剂的体积为10-30ml。
4.根据权利要求1所述的基于激光直写技术的cds/tio2/graphene电极的制备方法,其特征在于,步骤1中乙酰丙酮镉粉末、乙酰丙酮氧化钛与聚醚砜浸入dmf溶液中搅拌时间为1-12小时。
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱桢丽,陈毅挺,薛祥航,李艳霞,黄露,
申请(专利权)人:闽江学院,
类型:发明
国别省市:
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