【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于静态随机存储器领域，具体涉及一种基于10t-sram的带符号乘法运算电路，一种基于10t-sram的乘累加运算电路，以及对应的cim芯片。
技术介绍
1、为了克服冯诺依曼架构额计算机系统中，存储器和处理器（cpu）间的数据传输速率无法与处理器超高的数据处理速率相适应，进而给计算机系统数据处理效率造成瓶颈的问题。为了克服这一瓶颈，技术人员提出了一种可以在存储器中完成逻辑运算的新型计算机构，即存内运算（cim,computing -in-memory），cim架构可以基于多种储存器实现。
2、在多种支持存算架构的存储器芯片中，静态随机存储器（static ram，sram）由于其功耗低、速度快的优良特性，已经被证明是cim体系中成熟结构之一。一方面是因为 sram比较容易获得，sram在标准cmos工艺下即可得到，技术比较成熟。另一方面则因sram的存取速度是所有主流存储器中最接近cpu的，基于它进行存内计算开发，最容易解决内存墙问题。
3、现有的基于sram的存内运算电路存在主要缺陷有：（一）电路需要...
【技术保护点】
1.一种基于10T-SRAM的带符号乘法运算电路，其特征在于，其具备数据存储功能和乘法运算功能；所述乘法运算电路由8个NMOS管N0、N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7；以及2个PMOS管P0、P1构成，电路连接关系如下：
2.如权利要求1所述的基于10T-SRAM的带符号乘法运算电路，其特征在于：其实现无符号数与单比特权重间的乘法运算的策略如下：
3.如权利要求2所述的基于10T-SRAM的带符号乘法运算电路，其特征在于：其实现带符号数与单比特权重间的乘法运算的策略如下：
4.如权利要求3所述的基于10T-SRAM的带符号乘...
【技术特征摘要】
1.一种基于10t-sram的带符号乘法运算电路，其特征在于，其具备数据存储功能和乘法运算功能；所述乘法运算电路由8个nmos管n0、n1、n2、n3、n4、n5、n6、n7；以及2个pmos管p0、p1构成，电路连接关系如下：
2.如权利要求1所述的基于10t-sram的带符号乘法运算电路，其特征在于：其实现无符号数与单比特权重间的乘法运算的策略如下：
3.如权利要求2所述的基于10t-sram的带符号乘法运算电路，其特征在于：其实现带符号数与单比特权重间的乘法运算的策略如下：
4.如权利要求3所述的基于10t-sram的带符号乘法运算电路，其特征在于：在逻辑运算功能中，当存储节点q为高电平、qb为低电平，表征单比特权重为“1”；当存储节点q为低电平、qb为高电平，表征单比特权重为“0”。
5.如权利要求1所述的基于10t-sram的带符号乘法运算电路，其特征在于：所述6t-sram单元部分的电路连接关系如下：p0、p1的源极接电源vdd，p0、n0、n2的漏极与p1、n1的栅极电连接，并作为存储节点q；p1、n1、n3的漏极与p0、n0的栅极电连接，并作为存储节点qb；n2、n3的栅极接字线wl；n2的源极接位线bl，n3的源极接位线blb。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭春雨，王玲，张蓓蓓，朱志国，赵强，戴成虎，卢文娟，蔺智挺，吴秀龙，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：
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