【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备方法，尤其涉及一种低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法。
技术介绍
1、甲基磺酸作为一种有机强酸，在工业清洗、电子电镀、有机合成等领域具有广阔的市场需求。现有甲磺酸的主流生产工艺是以二甲基二硫作为起始原料，经硝酸等强氧化剂氧化制备。研究发现，该氧化过程会生成一定量硫酸根及重组分杂质，氧化产物经脱轻除去硝酸等组分后，还需进一步精制以脱除硫酸根及重组分杂质，不仅能耗较高，而且部分硫酸根不可避免地随产品蒸出，导致产品中残留硫酸根的含量普遍大于50ppm，甚至达到几千ppm，大大影响产品品质。尤其在电子电镀领域，大量硫酸根的存在，使得电镀过程中镀渣更易生成；而在更高端的硅片镀液中，必须经过反复纯化方可满足使用要求，给工业化应用带来了很大的困难。
2、因此，有必要开发新的工艺条件以尽可能的降低甲基磺酸中的硫酸根及重组分杂质含量。
技术实现思路
1、为了解决以上技术问题，本专利技术提出一种低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法。本专利技术通过控制原料中二甲基多硫化物的含量，可以解决...
【技术保护点】
1.一种低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述催化剂为硝酸、一氧化氮、二氧化氮中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述催化剂含量为二甲基二硫重量的0.01-0.50％。
4.根据权利要求1或2所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述氧化剂为氧气或空气。
5.根据权利要求4所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述氧化剂含量是基于二甲基二硫摩尔量的3-15
6...
【技术特征摘要】
1.一种低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述催化剂为硝酸、一氧化氮、二氧化氮中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述催化剂含量为二甲基二硫重量的0.01-0.50％。
4.根据权利要求1或2所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述氧化剂为氧气或空气。
5.根据权利要求4所述的低硫酸根残留的甲基磺酸制备方法，其特征在于，所述氧化剂含量是基于二甲基二硫摩尔量的3-15倍。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李胜勇，郭劲资，沈宏强，
申请(专利权)人：万华化学集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。