【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子处理装置以及加热装置。
技术介绍
1、在半导体集成电路元件的生产中使用等离子处理装置。为了元件的性能提升和成本减少,不断推进元件的微细化。过去,通过元件的二维的微细化,能用1片被处理基板制造的元件数增加,从而每1个元件的制造成本降低,并且,还能利用布线长度缩短等小型化的效果来谋求性能提升。但若半导体元件的尺寸成为接近于原子的尺寸的纳米级,二维的微细化的难易度就显著提高,正在进行新材料、三维的元件构造的运用等应对。由于这些构造变更,制造的难易度提高,并且制造工序增加,制造成本的增大成为深刻的问题。
2、若在制造中途的半导体集成电路元件附着微小的异物、污染物质,就会成为致命的缺陷,因此,半导体集成电路元件在排除了异物、污染物质且将温度、湿度进行了最优控制的洁净室内中制造。伴随元件的微细化,制造所需的洁净室的洁净度变高,洁净室的建设、维持运用需要巨大的费用。因此,谋求效率良好地利用洁净室空间来进行生产。出于该观点,半导体制造装置严格谋求小型化和低成本化。
3、此外,针对被处理基板的等离子处理的面内均
...【技术保护点】
1.一种等离子处理装置,具备:
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的等离子处理装置,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的等离子处理装置,其特征在于,
8.一种加热装置,具备:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子处理装置,具备:
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
【专利技术属性】
技术研发人员:田村仁,池田纪彦,
申请(专利权)人:株式会社日立高新技术,
类型:发明
国别省市:
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