System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料及其制备与应用制造技术_技高网
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一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料及其制备与应用制造技术

技术编号:40529651 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-01 13:50
本发明专利技术涉及一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料及其制备与应用,制备方法包括:(1)在氮化硼溶液中,滴加壳聚糖和聚丙烯酸溶液,在85℃油浴下搅拌30min‑60min,置于常温水浴搅拌3~4h;(2)置于行星分散机中进行分散处理,后置于超声波清洗机中超声20~30min,用挤出设备将水凝胶均匀挤出,放入冰箱冷冻室于零下18℃到零下22℃进行冰组装10~20min,薄膜在乙醇中解冻,于丙酮中进行溶剂交换,最后将薄膜取出放在烘箱中常压65℃烘干。本发明专利技术的氮化硼导热材料具有三维网络结构,在横向和纵向均具有优良的导热性,具有优良的电阻率和良好的柔韧性,可以应用于不同形状的电子器件上。而且制备工艺简单,无需对填料进行任何改性处理,制作周期较短,且重复率较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于导热复合材料,具体涉及一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料及其制备与应用


技术介绍

1、随着电子器件的集成化和小型化趋势的不断发展,电子封装领域的有效散热成为一个关键问题。通过在热源(即工作设备单元)和散热器之间使用热界面材料(thermalinterface material, tim)能够减少或防止系统过热。因此,具有高导热性的tim对微电子产品的可靠和长寿命运行至关重要。将具有较高热导率填料加入聚合物基体中来可以制备高性能聚合物基tim,使复合材料的机械性能与单个部件的热膨胀和收缩兼容的同时,获得足够的导热性。氮化硼因为其本身具有相对较高热导率同时也具有良好的绝缘性,被广泛用作电子封装领域中tim的填料。为了有效提高复合材料的热导率,对填料在基体中进行定向排列,形成导热通道,能大大提升复合材料的导热性能。

2、中国专利cn113214583a公开的“一种具有垂直三明治结构的热界面材料及其制备方法”,该方法通过配制含导热填料的聚合物凝胶混合溶液,并将其滴到平整基材上。用含有钙离子的冰压延凝胶溶液成膜并冷冻,冷冻凝胶膜经过溶剂交换及常压干燥后,即可获得具有垂直三明治结构的复合薄膜。该公开技术表明具有垂直三明治结构的热界面材料有双向高导热性和优异的机械性能,能有效提高散热性能,但所述方法需要将氮化硼在混合溶剂中超声剥离,再离心分离,存在制备产率低、周期长等缺点。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料及其制备与应用,以解决目前氮化硼的制备产率低、周期长等问题。

2、一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料的制备方法,包括以下步骤:

3、(1)制备氮化硼、壳聚糖水溶液和聚丙烯酸水溶液,在氮化硼溶液搅拌的过程中,逐渐将壳聚糖和聚丙烯酸溶液滴入其中,全部滴加完毕后,在85℃油浴下搅拌30min-60min,置于常温水浴搅拌3~4h后得到氮化硼导热复合材料水凝胶;

4、(2)将步骤(1)得到水凝胶置于行星分散机中进行分散处理,后置于超声波清洗机中超声20~30min,用挤出设备将水凝胶均匀挤出到玻璃培养皿上,放入冰箱冷冻室于零下18℃到零下22℃进行冰组装10~20min,薄膜在乙醇中解冻,于丙酮中进行溶剂交换,最后将薄膜取出放在烘箱中常压65℃烘干,得到具有三维网络结构的氮化硼导热材料。

5、本专利技术在氮化硼溶液搅拌的过程中,逐渐将壳聚糖和聚丙烯酸溶液滴入其中,最开始就让它们充分接触,缩短形成均匀水凝胶体系的时间,能够让氮化硼均匀被水凝胶吸附包裹,有利于形成均匀的水凝胶体系。其次,在水凝胶进行冰自组装的过程中,填料受到温度梯度的诱导,在基体中自发构建三维网络结构。

6、水凝胶置于行星分散机中进行分散处理,有利于氮化硼均匀分布在水凝胶中,而且在这个过程中,能让氮化硼更加均匀分布在水凝胶中,同时水凝胶在搅拌过程中产生的气泡也会被全部排除,使三者结合的更加紧密,有利于冰组装过程中的形成三维结构。

7、再将水凝胶置于超声波清洗机中超声,有利于氮化硼在水凝胶中进行横向取向排列。将水凝胶用挤出设备均匀挤出,有利于氮化硼在冰组装过程中纵向取向排列,两者结合能够大大提高三维网络结构重复率。

8、进一步的,所述壳聚糖和聚丙烯酸的质量比为2:1~1:2。壳聚糖在水凝胶于零下18℃到零下22℃进行冰自组装过程中,有利于氮化硼形成三维网络结构。聚丙烯酸能够提升薄膜的柔韧性。当壳聚糖含量过高时,氮化硼形成的三维网络结构会过于疏松;当壳聚糖含量过低时,不利于氮化硼形成三维网络结构。

9、进一步的,所述氮化硼在具有三维网络结构的氮化硼导热材料中的质量分数为20%~50%。

10、进一步的,步骤(1)中所述氮化硼形貌为片状、中位径d50为5μm~10μm。片状氮化硼具有超高的面内导热性和良好的电绝缘性能。

11、进一步的,步骤(2)中行星分散机分散处理时间为2~4min,分散速率为800~1000r/min。

12、进一步的,所述壳聚糖水溶液中壳聚糖的质量分数为1~5%。

13、进一步的,所述聚丙烯酸水溶液中聚丙烯酸的质量分数为1~5%。

14、上述的方法制备得到的具有三维网络结构的氮化硼导热材料。本专利技术的氮化硼导热材料在横向和纵向均具有优良的导热性,尤其适合需要横向和纵向均具有较优导热性的电子器件,如显示面板、芯片等。

15、上述具有三维网络结构的氮化硼导热材料可用于电子器件领域,尤其适用于如显示面板、芯片等领域。

16、与现有技术相比,本专利技术具有以下优势:

17、(1)本专利技术的氮化硼不需要长时间的超声等前处理,可以直接使用,不仅不会发生团聚现象,还能均匀的分散在基体中;整体制作工艺较为简单,制作周期较短,且重复率较高;能够同时做到节约成本和提高效率;有利于在工业上进行大规模生产和应用。

18、(2)本专利技术通过行星分散机真空脱泡、零下18℃到零下22℃进行冰自组装,再结合超声取向、挤出取向等取向手段,获得具有三维网络结构的氮化硼导热材料,在横向和纵向均具有优良的导热性,具有优良的电阻率,有利支撑应用于电子器件领域。

19、(3)本专利技术实验周期较短,实验操作较为简单,无需昂贵设备即可实施,且在实验过程中不会对环境产生污染,有利于工业上大规模应用。

20、(4)本专利技术制备的氮化硼导热复合材料具有良好的柔韧性,可折叠性,可以应用于不同形状的电子器件上,应用范围非常广。

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【技术保护点】

1.一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述壳聚糖和聚丙烯酸的质量比为2:1~1:2。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氮化硼在具有三维网络结构的氮化硼导热材料中的质量分数为20%~50%。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述氮化硼形貌为片状、中位径D50为5μm~10μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中行星分散机分散处理时间为2~4min,分散速率为800~1000r/min。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述壳聚糖水溶液中壳聚糖的质量分数为1~5%。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述聚丙烯酸水溶液中聚丙烯酸的质量分数为1~5%。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的具有三维网络结构的氮化硼导热材料。

9.根据权利要求8所述的具有三维网络结构的氮化硼导热材料的应用,其特征在于,用于电子器件领域。

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【技术特征摘要】

1.一种具有三维网络结构的氮化硼导热材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述壳聚糖和聚丙烯酸的质量比为2:1~1:2。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氮化硼在具有三维网络结构的氮化硼导热材料中的质量分数为20%~50%。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述氮化硼形貌为片状、中位径d50为5μm~10μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步...

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁福身陈胜周艺轩袁珊吴火保夏红纪穆为
申请(专利权)人:汕头大学
类型:发明
国别省市:

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