二氧化硅涂覆的硫碳复合物及包含其的锂硫电池制造技术

技术编号:40525911 阅读:19 留言:0更新日期:2024-03-01 13:45
本发明专利技术涉及二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其包含硫碳复合物和在所述硫碳复合物的表面的至少一部分上涂覆的二氧化硅颗粒。在一个非限制性实例中,本发明专利技术的二氧化硅涂覆的硫碳复合物可以用作锂硫二次电池的正极活性材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及硫碳复合物及包含所述硫碳复合物的锂硫电池。本申请要求2022年5月27日提交的韩国申请10-2022-0065671号和2022年10月19日提交的韩国申请10-2022-0135073号的优先权,将上述申请的内容并入本文用于所有意图和目的,如同在本文中进行了充分阐述。


技术介绍

1、二次电池用作高容量储能电池,以及包括移动电话、摄像机和笔记本电脑在内的便携电子设备的高性能能源。

2、一种二次电池——锂离子二次电池,与镍锰电池或镍镉电池相比,具有更高的能量密度和更大的单位面积容量,不过,尽管有这些优点,锂离子二次电池具有如下缺点,例如过热导致的稳定性下降和低输出特性。

3、特别地,随着二次电池的应用扩展至电动车辆(ev)和储能系统(ess),与单位重量储能密度较低(~250wh/kg)的锂离子二次电池相比,锂硫电池技术由于单位重量理论储能密度高(~2,600wh/kg)而备受关注。

4、锂硫电池是指包含用于正极活性材料的具有硫-硫(s-s)键的含硫材料和用于负极活性材料的锂金属的电池系统。作为所述正极活性材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二氧化硅涂覆的硫碳复合物,所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物包含:

2.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物的休止角为32°以下。

3.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅颗粒的平均粒径D50为10至50nm。

4.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅颗粒为以下式1表示的纳米颗粒:

5.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅颗粒在所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物的表面的至少一部分上的涂覆厚度为20nm至5μm。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种二氧化硅涂覆的硫碳复合物,所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物包含:

2.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物的休止角为32°以下。

3.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅颗粒的平均粒径d50为10至50nm。

4.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅颗粒为以下式1表示的纳米颗粒:

5.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅颗粒在所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物的表面的至少一部分上的涂覆厚度为20nm至5μm。

6.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述二氧化硅涂覆的硫碳复合物具有以下式2的特征:

7.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述硫碳复合物与所述二氧化硅颗粒的重量比为99.9:0.1至80:20。

8.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述硫碳复合物的平均粒径d50为20μm至50μm。

9.如权利要求1所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述硫碳复合物包含:多孔碳材料;以及在所述多孔碳材料中的孔隙的内表面和外表面的至少一部分上负载的含硫化合物。

10.如权利要求9所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述多孔碳材料中存在的所述孔隙的平均直径为1至200nm。

11.如权利要求9所述的二氧化硅涂覆的硫碳复合物,其中,所述含硫化合物包括无机硫(s8)、多硫化锂(li2sn,1≤n≤8)或碳硫聚合物(c2sx)m(2.5≤x≤50,2≤m)中的至少一种。

12.如权利要求9所述的二氧化硅涂覆的硫碳...

【专利技术属性】
技术研发人员:李美真金潣守孙权男韩东夹洪京植申东析
申请(专利权)人:株式会社LG新能源
类型:发明
国别省市:

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