【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及植物培养，尤其涉及一种海南石梓试管苗及其培养方法与培育海南石梓待移栽苗的方法。
技术介绍
1、海南石梓又名苦梓(gmelina hainanensis oliv)，为马鞭草科，石梓属乔木，树高可达15m。被列入国家二级重点保护野生植物名录。其材质坚韧，干燥后少开裂，不变性，耐腐蚀，切面光滑有光泽，轮纹美观，常用于建筑、造船、上等家具用材。
2、目前，海南石梓的栽培主要靠种子繁殖和扦插繁殖，并未发现利用组织培养的方法来培育成活率高的海南石梓的方案。
3、基于此，提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种海南石梓试管苗及其培养方法与培育海南石梓待移栽苗的方法，为海南石梓优良品种的快速繁殖提供新途径。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种海南石梓生根培养基，以wpm培养基为基础还包括如下浓度的组分：
4、0.1～0.5mg/l吲哚乙酸、0.1～0.5mg/l萘乙酸、0.01～0.05mg/l2,4-二氯苯氧乙酸、15～25g/l蔗糖、6.0～8.0g/l琼脂；
5、所述海南石梓生根培养基的ph为5.7～5.9。
6、本专利技术还提供了一种海南石梓试管苗的培养方法，包括如下步骤：
7、(1)将海南石梓外植体消毒后，得到无菌外植体；
8、(2)将所述无菌外植体接种至分化培养基中，培养28～32d，得到海
9、(3)取单个海南石梓丛生芽转接至继代培养基中，培养21～25d，得到海南石梓增殖苗；
10、(4)将海南石梓增殖苗转接至海南石梓生根培养基中，培养40～50d，得到海南石梓试管苗；
11、步骤(4)所述海南石梓生根培养基为所述的海南石梓生根培养基。
12、作为优选，所述海南石梓外植体为海南石梓的芽或茎；
13、所述海南石梓外植体消毒的方法为：先将海南石梓外植体置于酒精中浸泡30～40s，之后置于氯化汞溶液中浸泡1～2min；
14、所述酒精的初始浓度为70～80vt％；
15、所述氯化汞溶液为氯化汞水溶液；
16、所述氯化汞溶液的初始浓度为0.09～0.11wt％。
17、作为优选，所述分化培养基以1/2ms培养基为基础，还包括如下浓度的组分：
18、0.3～1.5mg/l6-苄氨基嘌呤、0.03～0.15mg/l萘乙酸、20～40g/l蔗糖、6.0～8.0g/l琼脂；
19、所述分化培养基的ph为5.7～5.9。
20、作为优选，所述继代培养基以ms培养基为基础，还包括如下浓度的组分：
21、0.6～2.0mg/l6-苄氨基嘌呤、0.07～0.25mg/l萘乙酸、0.1～0.4mg/l激动素、20～40g/l蔗糖、6.0～8.0g/l琼脂；
22、所述继代培养基的ph为5.7～5.9。
23、作为优选，步骤(2)～步骤(4)所述培养的温度独立为23～25℃；
24、所述培养的湿度独立为50～65％；
25、所述培养的光照强度独立为2700～2900lux；
26、所述培养的光照时间独立为14～16h/d。
27、本专利技术还提供了所述的培养方法培养得到的海南石梓试管苗，所述海南石梓试管苗的株高为7～10cm。
28、本专利技术还提供了一种育苗基质，所述育苗基质中包括如下质量比的组分：
29、蛭石：河沙：珍珠岩：泥炭土为1.5～2.5：1.5～2.5：0.5～1.5：4.5～5.5；
30、所述育苗基质用于将所述的海南石梓试管苗培育成待移栽苗。
31、本专利技术还提供了一种海南石梓待移栽苗的培育方法，包括如下步骤：
32、(1)将海南石梓试管苗炼苗4～7d，得到待培育苗；
33、(2)将所述的待培育苗移栽至育苗基质中培养15～20d，得到海南石梓待移栽苗；
34、步骤(1)所述海南石梓试管苗为所述的海南石梓试管苗；
35、步骤(2)所述育苗基质为所述的育苗基质。
36、作为优选，所述炼苗的光照强度为3800～4400lux；
37、所述炼苗的湿度为60～70％；
38、所述炼苗的温度为25～27℃。
39、本专利技术提供了一种海南石梓试管苗及其培养方法与培育海南石梓待移栽苗的方法，本专利技术的方法与现有技术方法的优势在于：
40、利用本专利技术的分化培养基，可以分化得到含有3～5个的海南石梓丛生芽，将丛生芽切成单个，转接至继代培养基中，可以得到具有茎段的增殖苗。将增殖苗转接至生根培养基中可以得到生根数量为5～9根，株高7～10cm，4～6片叶片的海南石梓试管苗。整个过程仅仅需要89～107d。将该试管苗炼苗后移栽，移栽成活率为90～95％。为海南石梓的培育以及优良品种的选育提供新途径。
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1.一种海南石梓生根培养基，其特征在于，以WPM培养基为基础还包括如下浓度的组分：
2.一种海南石梓试管苗的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的培养方法，其特征在于，所述海南石梓外植体为海南石梓的芽或茎；
4.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，所述分化培养基以1/2MS培养基为基础，还包括如下浓度的组分：
5.根据权利要求4所述的培养方法，其特征在于，所述继代培养基以MS培养基为基础，还包括如下浓度的组分：
6.根据权利要求2～5任意一项所述的培养方法，其特征在于，步骤(2)～步骤(4)所述培养的温度独立为23～25℃；
7.权利要求2～6任意一项所述的培养方法培养得到的海南石梓试管苗，其特征在于，所述海南石梓试管苗的株高为7～10cm。
8.一种育苗基质，其特征在于，所述育苗基质中包括如下质量比的组分：
9.一种海南石梓待移栽苗的培育方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的培育方法，其特征在于，所述炼苗的光照强度为38
...【技术特征摘要】
1.一种海南石梓生根培养基，其特征在于，以wpm培养基为基础还包括如下浓度的组分：
2.一种海南石梓试管苗的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的培养方法，其特征在于，所述海南石梓外植体为海南石梓的芽或茎；
4.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，所述分化培养基以1/2ms培养基为基础，还包括如下浓度的组分：
5.根据权利要求4所述的培养方法，其特征在于，所述继代培养基以ms培养基为基础，还包括如下浓度的组分：
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【专利技术属性】
技术研发人员：李月灵，金则新，杨党，孙中帅，王晓燕，
申请(专利权)人：台州学院，
类型：发明
国别省市：
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