【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/821,464号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年8月22日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体元件结构及其制备方法，尤其涉及一种包括减小孔隙的通道层的半导体元件结构。
技术介绍
1、随着电子工业的快速发展，集成电路(integrated circuits，ic)的发展已经实现了高性能化和小型化，ic材料和设计方面的技术进步产生了多代的ic，每一代都具有比上一代更小、更复杂的电路。
2、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)设备是一种随机存取存储器，它将每一位(bit)的数据存储在集成电路内的单独电容中。通常，dram以每个单元一个电容和晶体管的方形阵列排列。已经为4f2 dram单元开发了垂直晶体管，其中f代表微影的最小特征宽度或临界尺寸(critical dimension，cd)。然而，最近随着字元线间距的不断缩小，dram制造商面临着缩小存储器单元面积的巨大挑战。例如，位元线的通道容易与字元线接触，从而由于微影制程的重叠误差而引起短路。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供一种半导体元件结构，该半导体元件结构包括一基底、一字元线、一通道层及一位元线。该字元线设置于该基底上。
2、本公开的另一方面提供另一种半导体元件结构，该半导体元件结构包括一基底、一字元线、一位元线、一通道层及一孔隙调整组件。该字元线设置于该基底上。该位元线设置在该字元线上并与该字元线物理上间隔开。该通道层延伸在该基底和该位元线之间。该孔隙调整组件设置于该字元线与该位元线之间。该孔隙调整组件具有与该字元线的侧壁实质上共平面的一侧壁。
3、本公开的另一方面提供一种半导体元件结构的制备方法，该制备方法包括：提供一基底；形成一通道层的一第一部分在该基底中；形成一字元线在该基底的上方；形成一经图形化的遮罩结构，其暴露出该字元线，其中该经图形化的遮罩结构定义出具有一第一孔隙的一第一凹陷，其中该第一凹陷垂直地对准该通道层的该第一部分；形成一孔隙调整组件，其覆盖该经图形化的遮罩结构，其中该孔隙调整组件定义一第二凹陷，该第二凹陷具有小于该第一孔隙的一第二孔隙；进行一蚀刻制程，以形成由该字元线定义的一沟渠；及形成该通道层的一第二部分在该沟渠内。
4、本公开的实施例提供一种半导体元件结构，其通道层与字元线物理上间隔开。可以利用孔隙调整组件来辅助防止通道层和字元线之间的短路，同时可以减小通道层的尺寸。结果，半导体元件结构的性能将得以提高。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其中该电容结构包括一第一电极、一第二电极以及介于该第一电极与该第二电极之间的一绝缘层，该第二电极围绕该第一电极。
4.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该第一电极的侧面与该通道层的该第一部分的侧面实质上共平面。
5.如权利要求3所述的半导体元件结构，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿该第二方向上与该电容结构的该第一电极重叠。
7.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿该第二方向上不与该电容结构的该第二电极重叠。
8.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿该第二方向上不与该电容结构的该绝缘层重叠。
9.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该电容结构的该绝缘层与该通道层的该第一部分的侧面相接触。
10.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该电容结构的该第二电极沿该第一方向上与该通道层的该第一部分
11.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：
12.如权利要求11所述的半导体元件结构，其中该孔隙调整组件具有与该字元线的侧壁实质上共平面的侧壁。
13.如权利要求12所述的半导体元件结构，其中该孔隙调整组件的侧壁的粗糙度与该字元线的侧壁的粗糙度实质上相同。
14.一种半导体元件结构，包括：
15.如权利要求14所述的半导体元件结构，其中该孔隙调整组件的侧壁的粗糙度与该字元线的侧壁的粗糙度实质上相同。
16.如权利要求15所述的半导体元件结构，还包括：
17.如权利要求16所述的半导体元件结构，其中该电容结构包括一第一电极、一第二电极以及介于该第一电极与该第二电极之间的一绝缘层，该第二电极围绕该第一电极。
18.如权利要求17所述的半导体元件结构，还包括：
19.如权利要求18所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿一第二方向上与该电容结构的该第一电极重叠。
20.一种半导体元件结构的制备方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其中该电容结构包括一第一电极、一第二电极以及介于该第一电极与该第二电极之间的一绝缘层，该第二电极围绕该第一电极。
4.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该第一电极的侧面与该通道层的该第一部分的侧面实质上共平面。
5.如权利要求3所述的半导体元件结构，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿该第二方向上与该电容结构的该第一电极重叠。
7.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿该第二方向上不与该电容结构的该第二电极重叠。
8.如权利要求5所述的半导体元件结构，其中该栅极介电层沿该第二方向上不与该电容结构的该绝缘层重叠。
9.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该电容结构的该绝缘层与该通道层的该第一部分的侧面相接触。
10.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该电容结构的该第二电极沿该第一方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧渝，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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