一种ZrC-SiC复相陶瓷超支化前驱体、ZrC-SiC陶瓷基复合材料及其制备方法技术

技术编号:40512866 阅读:22 留言:0更新日期:2024-03-01 13:29
本发明专利技术涉及一种ZrC‑SiC复相陶瓷超支化前驱体、ZrC‑SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法:将镁和(氯甲基)甲基‑二氯硅烷在四氢呋喃中进行反应,得到含有第一反应单体的溶液;镁与(氯甲基)甲基‑二氯硅烷的摩尔比为(1~4):1;往含有第一反应单体的溶液中加入第二反应单体二氯二茂锆和氢化铝锂进行反应,制得ZrC‑SiC复相陶瓷超支化前驱体;二氯二茂锆与(氯甲基)甲基‑二氯硅烷的摩尔比为(1~5):(1~5)。本发明专利技术将ZrC‑SiC复相陶瓷前驱体设计为超支化构型,具有粘度低,溶解性好,有利于提高陶瓷产率的特点,且超支化结构可控,可调控Si、Zr元素比,提高陶瓷相的耐烧蚀性和抗冲刷性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷材料,尤其涉及一种zrc-sic复相陶瓷超支化前驱体、zrc-sic陶瓷基复合材料及其制备方法。


技术介绍

1、超高温陶瓷基复合材料具有突出的耐超高温性能,同时又具有在应力作用下表现为非脆性断裂失效方式等优点,被认为是制备航天领域飞行器热结构件最具前途的一种候选材料。超高温陶瓷基复合材料以连续纤维为增强体,以超高温陶瓷(如zrb2、hfb2、zrc、hfc和tac等)及其复合陶瓷为基体。碳化锆(zrc)作为航天领域中热门的超高温陶瓷,具有超高的熔点(3420℃)和硬度(25.5gpa)、相对较低的密度(6.56g/cm3)、优异的热传导性能和较低的热膨胀率等优点。然而,纯碳化锆陶瓷在高温环境中抗氧化性较差,相关研究表明:zrc晶格极其容易吸收氧气分子,材料表面的氧化区域分为含碳量低的疏松多孔的外部氧化层和含碳量高的极少空隙的内部氧化层,然而这两种氧化层均无法阻止氧气分子的扩散,导致纯碳化锆的抗氧化性较差。将sic引入zrc陶瓷形成的zrc-sic复相陶瓷可以有效地解决这一问题,提高材料的抗氧化性能。sic不仅可以在高温时生成液态玻璃相提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ZrC-SiC复相陶瓷超支化前驱体的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)为:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中:

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中:

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

6.由权利要求1至5中任一项所述的制备方法制得的ZrC-SiC复相陶瓷超支化前驱体。

7.一种ZrC-SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:>

8.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种zrc-sic复相陶瓷超支化前驱体的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)为:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中:

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中:

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

6....

【专利技术属性】
技术研发人员:郝乃蓉孙娅楠杨良伟杨小健刘俊鹏刘伟
申请(专利权)人:航天特种材料及工艺技术研究所
类型:发明
国别省市:

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