【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
1、金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapordeposition，mocvd)设备是制备uv-led器件和半导体功率器件的重要设备，主要用于gan基(algainn系列材料)和gaas基(algainp/algainas系列材料)的iii-v族半导体薄膜材料的生长。
2、mocvd的基本生长过程是：由载气携带金属有机化合物和氢化物分子由不同管路连续地输运到反应腔内部被加热衬底的上方，在衬底表面生成外延层薄膜。
3、为了使晶圆在加工过程中保持温度不变，减少热量散失，可环绕晶圆设置保温结构，但是在工艺过程中，难以避免地，反应副产物会在保温结构上形成覆盖层。在工艺结束后，需要对晶圆进行降温，同时，保温结构也将同时降温，而覆盖层此时由于温度降低，将发生脱落现象，产生大量颗粒落在晶圆上，影响工艺结果。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的保温结构上形成的覆盖层降温后产生大量颗粒落在晶圆上，影响工艺结果的问题，提出了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。
2、为实现本技术的目的而提供一种半导体工艺腔室，包括腔体，腔体内设置有托盘组件以及保温圈组件，托盘组件用于承载晶圆，保温圈组件包括保温圈以及第一加热组件，保温圈环绕设置于托盘组件的周围；第一加热组件环绕设置于保温圈的周围，用于控制保温圈的温度，使之保持在设定温度。>
3、可选地，第一加热组件包括加热元件、温度传感器和控制器，其中，
4、加热元件环绕设置于托盘组件的周围，用于加热保温圈；
5、温度传感器用于检测保温圈的内周壁温度；
6、控制器用于根据温度传感器检测到的保温圈的内周壁温度，和设定温度，控制加热元件的加热功率，以使保温圈的内周壁温度保持在设定温度。
7、可选地，保温圈背离托盘组件的一侧设置有用于容纳加热元件的凹槽，加热元件设置于凹槽内。
8、可选地，加热元件包括多条环绕设置于保温圈周围的电阻丝，多条电阻丝沿竖直方向间隔设置，且相互串联，每条电阻丝环绕保温圈至少一圈。
9、可选地，多条电阻丝与保温圈的外周面之间的径向间距相等。
10、可选地，电阻丝包括石墨电阻丝。
11、可选地，保温圈组件还包括第一驱动组件，第一驱动组件用于驱动保温圈升降；
12、托盘组件还包括托盘以及驱动托盘旋转的第二驱动组件。
13、可选地，保温圈包括在竖直方向上依次连接的第一环体和第二环体，第一环体位于第二环体的下方，且第一环体的内径在竖直方向上处处相等；第二环体的内径在竖直方向上由下而上递减。
14、可选地，半导体工艺腔室还包括第二加热组件，第二加热组件设置于托盘组件的下方，用于加热托盘组件。
15、为实现本技术的目的还提供一种半导体工艺设备，包括上述技术方案中的半导体工艺腔室以及用于向半导体工艺腔室内输送工艺气体的输气组件。
16、本技术具有以下有益效果：
17、本技术提供的半导体工艺腔室，利用在保温圈组件中设置的第一加热组件在晶圆加工过程中控制保温圈的温度，并使得保温圈稳定保持在设定温度，这样，在晶圆冷却过程中，保温圈的温度仍然可以保持在设定温度不变，从而可以避免保温圈上附着的副产物产生的覆盖层发生脱落，进而可以减少晶圆表面的颗粒物数量，提高了产品质量。
18、本技术提供的半导体工艺设备，利用上述半导体工艺腔室，能够有效地在工艺过程中，减少晶圆上的颗粒数量，提高产品质量。
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1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体，所述腔体内设置有托盘组件以及保温圈组件，所述托盘组件用于承载晶圆，所述保温圈组件包括保温圈以及第一加热组件，所述保温圈环绕设置于所述托盘组件的周围；所述第一加热组件环绕设置于所述保温圈的周围，用于控制所述保温圈的温度，使之保持在设定温度。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一加热组件包括加热元件、温度传感器和控制器，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述保温圈背离所述托盘组件的一侧设置有用于容纳所述加热元件的凹槽，所述加热元件设置于所述凹槽内。
4.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述加热元件包括多条环绕设置于所述保温圈周围的电阻丝，多条所述电阻丝沿竖直方向间隔设置，且相互串联，每条所述电阻丝环绕所述保温圈至少一圈。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，多条所述电阻丝与所述保温圈的外周面之间的径向间距相等。
6.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述电阻丝包括石墨电阻丝。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体，所述腔体内设置有托盘组件以及保温圈组件，所述托盘组件用于承载晶圆，所述保温圈组件包括保温圈以及第一加热组件，所述保温圈环绕设置于所述托盘组件的周围；所述第一加热组件环绕设置于所述保温圈的周围，用于控制所述保温圈的温度，使之保持在设定温度。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一加热组件包括加热元件、温度传感器和控制器，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述保温圈背离所述托盘组件的一侧设置有用于容纳所述加热元件的凹槽，所述加热元件设置于所述凹槽内。
4.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述加热元件包括多条环绕设置于所述保温圈周围的电阻丝，多条所述电阻丝沿竖直方向间隔设置，且相互串联，每条所述电阻丝环绕所述保温圈至少一圈。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，多条所述电阻丝与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王兴达，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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