【技术实现步骤摘要】
本公开涉及液晶显示器的薄膜晶体管(tft)架构。
技术介绍
1、已知为边缘场切换(ffs)模式的液晶(lc)模式涉及通过改变在液晶材料的同一侧上以不同水平布置的像素电极和公共电极之间的电位差来引起液晶材料的lc指向矢的旋转。
2、与诸如面内切换(ips)模式之类的其它lc模式相比，ffs模式的特征是操作电压相对低且透射率相对高。
3、ffs装置的产生可以涉及建立层的堆叠，层的堆叠限定像素电极和公共电极以及tft的有源矩阵阵列，tft的有源矩阵阵列用于相对于公共电极处的电位变化像素的像素电极处的电位。传统上，像素电极和公共电极位于堆叠内与tft导体不同的水平处。
技术实现思路
1、本申请的专利技术人已经开发了用于ffs显示装置的新架构。
2、因此，提供了一种装置，该装置包括层的堆叠，该层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
3、根据一个实施例，该装置包括在所述第二水平处的至少两个导体图案，这两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。
4、根据一个实施例，所述栅极导体至少部分地由所述两个导体图案中的至少第一导体图案限定；并且
5、根据一个实施例，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。
6、根据一个实施例，该装置包括在所述第一水平处的至少两个导体图案，这两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。
7、根据一个实施例，所述源极导体至少部分地由所述第一水平处的所述两个导体图案两者限定；并且所述像素导体均至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。
8、根据一个实施例，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。
9、因此，还提供了一种显示装置，该显示装置包括容纳在如上所述的装置和对向部件之间的液晶材料；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
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1.一种装置，包括：层的堆叠，所述层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起所述像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
2.根据权利要求1所述的装置，包括在所述第二水平处的至少两个导体图案，其中两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述栅极导体至少部分地由所述两个导体图案中的至少第一导体图案限定；并且所述公共导体至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置，包括在所述第一水平处的至少两个导体图案，其中两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述源极导体至少部分地由在所述第一水平处的所述两个导体图案两者限定；并且所述像素导体均至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现出比第一导体图案更高的可见光透射率。
8.一种显示装置，包括：液晶材料，所述液晶材料容纳在根据权利要求1至7中的任一项所述的装置和对向部件之间；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起所述像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
...【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：层的堆叠，所述层的堆叠限定：第一水平处的源极导体和像素导体；第二水平处的栅极导体和公共导体；所述源极导体和像素导体之间的半导体沟道；以及将所述半导体沟道电容性耦合到所述栅极导体的栅极电介质；其中，所述像素导体和公共导体被配置为使得在使用中，像素区域中的像素导体和公共导体之间的电位差的改变引起所述像素区域中的液晶材料的一个或多个光学性质的改变。
2.根据权利要求1所述的装置，包括在所述第二水平处的至少两个导体图案，其中两个导体图案具有不同的设计并且表现出不同的光学和/或电学性质。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述栅极导体至少部分地由所述两个导体图案中的至少第一导体图案限定；并且所述公共导体至少部分地仅由所述两个导体图案中的第二导体图案限定。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，第一导体图案表现出比第二导体图案更高的电导率，并且第二导体图案表现...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·哈丁，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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