【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波射频领域，具体涉及一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件。
技术介绍
1、随着新型电子装备对tr组件提出更小尺寸，更轻重量，集成化程度更高的要求，tr组件设计实现需要对系统电性能、可靠性、实现难度及成本进行综合考虑，合理化设计tr组件，一定程度能够提升电性能指标，降低装配难度，降低成本，提升组件装配成功率和一致性，进而提高系统的可靠性。目前市面上存在的同类型产品，存在缺点有：1)组件由多块pcb，分别为射频板，控制电源板，本振功分板组成，pcb种类数量繁杂；2)组件所需本振信号通过绝缘子穿层传输，引入电磁辐射干扰，进而影响系统性能；3)组件内部分立式元件多，多电阻、电感和电容，造成印制板布线密度受限，分立式元件易受振动和冲击等影响，印制板机械性能低，焊点多，可靠性差；4)组件装配工艺复杂，装配焊接温度梯度多、装配配合工装需求多；5)组件结构设计复杂，盒体双面开槽，内部结构强度差；6)组件成本高，印制板成本，分立器件成本，装配用料成本和结构加工成本均比较高。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，包括射频前端单元、变频单元、中频放大单元及本振功分单元；
2.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述射频前端单元包括环形器(1)、限放(2)、数控衰减器(3)、驱放(4)、功放(5)、开关(6)；
3.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述变频单元包括射频滤波器(7)、均衡器(8)、第一混频器(9)、第一中频滤波器(10)、双向放大器(11)、第二混频器(12)、第二中频滤波器(13)；
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【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征在于，包括射频前端单元、变频单元、中频放大单元及本振功分单元；
2.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征在于，所述射频前端单元包括环形器(1)、限放(2)、数控衰减器(3)、驱放(4)、功放(5)、开关(6)；
3.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征在于，所述变频单元包括射频滤波器(7)、均衡器(8)、第一混频器(9)、第一中频滤波器(10)、双向放大器(11)、第二混频器(12)、第二中频滤波器(13)；
4.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：荆晓超，王洪李，臧恒，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二四研究所，
类型：发明
国别省市：
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