【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波射频领域，具体涉及一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件。
技术介绍
1、随着新型电子装备对tr组件提出更小尺寸，更轻重量，集成化程度更高的要求，tr组件设计实现需要对系统电性能、可靠性、实现难度及成本进行综合考虑，合理化设计tr组件，一定程度能够提升电性能指标，降低装配难度，降低成本，提升组件装配成功率和一致性，进而提高系统的可靠性。目前市面上存在的同类型产品，存在缺点有：1)组件由多块pcb，分别为射频板，控制电源板，本振功分板组成，pcb种类数量繁杂；2)组件所需本振信号通过绝缘子穿层传输，引入电磁辐射干扰，进而影响系统性能；3)组件内部分立式元件多，多电阻、电感和电容，造成印制板布线密度受限，分立式元件易受振动和冲击等影响，印制板机械性能低，焊点多，可靠性差；4)组件装配工艺复杂，装配焊接温度梯度多、装配配合工装需求多；5)组件结构设计复杂，盒体双面开槽，内部结构强度差；6)组件成本高，印制板成本，分立器件成本，装配用料成本和结构加工成本均比较高。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件。
2、实现本专利技术目的的具体技术方案为：
3、一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，包括射频前端单元、变频单元、中频放大单元及本振功分单元；
4、所述射频前端单元用于完成射频信号的接收与发送，所述变频单元用于完成信号的变频，所述中频放大单元用于完成信号的放大并
5、所述射频前端单元、变频单元、中频放大单元依次连接，所述本振功分单元与变频单元连接。
6、进一步的，所述射频前端单元包括环形器、限放、数控衰减器、驱放、功放、开关；
7、所述环形器、限放、数控衰减器、开关、驱放、功放依次连接；
8、所述环形器用于接收和发射ku波段信号，限放用于对接收的信号完成低噪声放大，数控衰减器用于对接收的信号完成动态调节，实现对信号的幅度控制，所述驱放和功放用于完成ku波段信号的功率放大，实现大功率输出，所述开关和变频单元连接，用于完成ku波段信号发射和接收的切换。
9、进一步的，所述变频单元包括射频滤波器、均衡器、第一混频器、第一中频滤波器、双向放大器、第二混频器、第二中频滤波器；
10、所述射频滤波器、均衡器、第一混频器、第一中频滤波器、双向放大器、第二混频器、第二中频滤波器依次连接；
11、所述射频滤波器用于完成ku波段信号滤波，均衡器将带内信号增益进行调平，第一混频器、第一中频滤波器、双向放大器、第二混频器、第二中频滤波器用于完成信号的上下变频，在接收时将ku波段信号下变频至vhf波段中频信号，并进行放大、滤波；在发射时将vhf波段中频信号上变频至ku波段射频信号。
12、进一步的，所述中频放大单元包括温补衰减器、双向环路放大器、谐波滤波器；
13、所述温补衰减器、双向环路放大器、谐波滤波器依次连接，所述温度补偿器与变频单元连接；
14、所述温补衰减器完成信号高低温情况下的增益或功率补偿，双向环路放大器实现中频信号的上下行放大，谐波滤波器实现中频信号的谐波滤波。
15、进一步的，所述双向环路放大器中的电感器、电阻和电容器分别采用螺旋电感、薄膜电容和薄膜电阻。
16、进一步的，所述本振功分单元通过路功分实现两种本振信号的功分输出，并分别输入变频单元的第一混频器和第二混频器。
17、进一步的，所述本振功分单元基于单板集成，且功分器中的功分隔离电阻采用多层薄膜电阻。
18、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
19、(1)本专利技术的方案通过对本振功分单元进行单板集成设计，取代传统多块pcb设计，有效避免本振信号通过绝缘子传输引入的电磁辐射干扰，提升系统的电性能；
20、(2)本专利技术的方案中的功分器隔离电阻采用多层薄膜电阻取代分立式电阻设计，提高集成度、布线密度、电气性能、机械性能，降低成本，同时多层薄膜电阻比单层薄膜电阻具有更高的耐功率，极大提高可靠性；
21、(3)本专利技术方案的中频放大单元采用螺旋电感、薄膜电容和薄膜电阻取代分立式电感器、电阻和电容器，提高组件集成度和可靠性，同时极大降低组件装配难度，提升装配成功率和批量一致性。
22、下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步的说明。
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1.一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，包括射频前端单元、变频单元、中频放大单元及本振功分单元；
2.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述射频前端单元包括环形器(1)、限放(2)、数控衰减器(3)、驱放(4)、功放(5)、开关(6)；
3.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述变频单元包括射频滤波器(7)、均衡器(8)、第一混频器(9)、第一中频滤波器(10)、双向放大器(11)、第二混频器(12)、第二中频滤波器(13)；
4.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述中频放大单元包括温补衰减器(14)、双向环路放大器(15)、谐波滤波器(16)；
5.根据权利要求4所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述双向环路放大器(15)中的电感器、电阻和电容器分别采用螺旋电感、薄膜电容和薄膜电阻。
6.根据权利要求3所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其
7.根据权利要求6所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字TR组件，其特征在于，所述本振功分单元基于单板集成，且功分器中的功分隔离电阻采用多层薄膜电阻。
...【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征在于，包括射频前端单元、变频单元、中频放大单元及本振功分单元；
2.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征在于，所述射频前端单元包括环形器(1)、限放(2)、数控衰减器(3)、驱放(4)、功放(5)、开关(6)；
3.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征在于，所述变频单元包括射频滤波器(7)、均衡器(8)、第一混频器(9)、第一中频滤波器(10)、双向放大器(11)、第二混频器(12)、第二中频滤波器(13)；
4.根据权利要求1所述的基于薄膜工艺的高集成度多通道数字tr组件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：荆晓超，王洪李，臧恒，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二四研究所，
类型：发明
国别省市：
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