用于制造具有集成反偏磁体的磁场传感器芯片的方法技术

技术编号:40501023 阅读:22 留言:0更新日期:2024-02-26 19:28
本公开描述了一种用于制造具有集成反偏磁体(140)的磁场传感器芯片(200)的方法。提供了具有第一基板表面(101)和相对的第二基板表面(102)的基板(100),其中,至少一个磁场传感器(110)布置在第一基板表面(101)中。将空腔(120)构造到第二基板表面(102)中。该方法包括:通过将包括磁性材料的松散粉末(160)引入第一空腔(102)中并通过原子层沉积将粉末(160)聚结为机械上坚固的磁性体结构,在第一空腔(120)内产生集成反偏磁体(140)。根据本发明专利技术,产生反偏磁体(140)的步骤在时间上在布置磁场传感器(110)的步骤之后执行。

【技术实现步骤摘要】

本文描述的创新概念涉及小型化磁场传感器芯片以及用于制造磁场传感器芯片的方法。磁场传感器芯片包括其上布置有至少一个磁场传感器的基板。另外,至少一个反偏磁体被集成到磁场传感器芯片中。


技术介绍

1、磁场传感器几乎用于所有
与基于对地球的自然磁场的确定的应用(例如,导航和指南针)相比,永磁体(其磁场可以被检测并且其相对于传感器的位置可以通过该方式来监测)用于对装备和设备中的移动、速度或位置进行检测。备选地,如果磁场通过其移动被调制,则可以监测软磁体,例如由钢制成的齿轮。

2、该磁场(也被称为反偏)由牢固连接到传感器的反偏永磁体提供。目前,其尺寸超过1mm并且与传感器一起(即,以混合方式)安装在相同外壳中的常规制造的永磁体用于反偏。与可以使用微构造技术制造的传感器元件相比,永磁体占据外壳的最大部分。

3、在常规的磁场传感器中,有源传感器区(例如,霍尔板)以2至3mm的距离布置。由于传感器区应位于相同磁场强度的区域中,因此反偏磁体必须足够宽以确保这一点并能够补偿调整公差。由于磁场强度附加地取决于磁体的纵横比,因此在竖直磁化的情况下,同本文档来自技高网...

【技术保护点】

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2.根据权利要求1所述的方法,

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6.根据权利要求5所述的方法,

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【技术特征摘要】

1.一种用于制造具有集成反偏磁体(140)的磁场传感器芯片(200)的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,

3.根据权利要求1所述的方法,

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5.根据权利要求3所述的方法,还包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:托马斯·里塞奇比约恩·戈伊达克汉斯彼得·霍姆丹尼尔·齐雄马库斯·施塔尔奥弗格尔德
申请(专利权)人:弗劳恩霍夫应用研究促进协会
类型:发明
国别省市:

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