System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发光装置,包括其的电子设备及用于发光装置的化合物制造方法及图纸_技高网

发光装置,包括其的电子设备及用于发光装置的化合物制造方法及图纸

技术编号:40500922 阅读:11 留言:0更新日期:2024-02-26 19:28
本申请涉及发光装置、包括发光装置的电子设备及用于发光装置的化合物。在发光装置中,电子传输层包含第一化合物,所述第一化合物包含连接物C<subgt;6</subgt;‑C<subgt;60</subgt;亚芳基基团和由式1‑1表示的脂肪族烃部分,两个或多于两个的三嗪部分连接至所述连接物C<subgt;6</subgt;‑C<subgt;60</subgt;亚芳基基团,在所述连接物C<subgt;6</subgt;‑C<subgt;60</subgt;亚芳基基团中,所述三嗪部分位于彼此相邻的位置处,或者位于其中连接物C<subgt;6</subgt;‑C<subgt;60</subgt;亚芳基基团的一个氢原子存在于所述三嗪部分之间的位置处,以及所述第一化合物的分子量小于1,000:式1‑1其中R<subgt;1</subgt;至R<subgt;3</subgt;以及*如说明书中定义。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及发光装置,包括发光装置的电子设备及用于发光装置的化合物。


技术介绍

1、发光装置是自发射装置,与相关领域的装置相比,其具有广视角、高对比度、短响应时间,和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的特性。

2、发光装置可以包括在衬底上的第一电极,以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动,并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。


技术实现思路

1、本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及具有改善的发光效率的发光装置以及包括发光装置的电子设备。

2、其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

3、根据一个或多于一个的实施方案,发光装置可以包括:

4、第一电极,

5、面对所述第一电极的第二电极,以及

6、位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层,

7、其中电子传输层可以位于所述发射层与所述第二电极之间,

8、所述电子传输层可以包含第一化合物,

9、所述第一化合物可以包含连接物c6-c60亚芳基基团和由式1-1表示的脂肪族烃部分,

10、两个或多于两个的三嗪部分可以连接至所述连接物c6-c60亚芳基基团,

11、连接至所述连接物c6-c60亚芳基基团的所述两个或多于两个的三嗪部分可以位于彼此相邻的位置处,或者位于其中连接物c6-c60亚芳基基团的一个氢原子存在于所述两个或多于两个的三嗪部分之间的位置处,以及

12、所述第一化合物的分子量可以小于1,000。

13、式1-1

14、

15、在式1-1中,r1至r3可以各自独立地是c1-c60烷基基团,r1至r3的两个或多于两个的取代基可以任选地彼此连接以形成环,并且*可以表示与相邻原子的键。

16、根据一个或多于一个的实施方案,电子设备可以包括所述发光装置。

17、根据一个或多于一个的实施方案,提供了由式1表示的化合物。

18、式1

19、

20、式1中的取代基、符号等与本文描述的相同。

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【技术保护点】

1.发光装置,包括:

2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,

3.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,

4.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是反射电极。

5.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极包含:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化锌或其任意组合;和/或

6.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二电极是半透反射电极。

7.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二电极包含锂、银、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟、镁-银、镱、银-镱、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合。

8.如权利要求1所述的发光装置,其中所述电子传输层的在460nm处的折射率是1.1至1.9。

9.如权利要求1所述的发光装置,其中所述两个或多于两个的三嗪部分中的两个或三个连接至所述连接物C6-C60亚芳基基团。

10.如权利要求1所述的发光装置,其中式1-1的R1至R3各自独立地是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团或叔癸基基团。

11.如权利要求1所述的发光装置,其中所述式1-1的脂肪族烃部分包括部分1至部分4中的一种:

12.如权利要求1所述的发光装置,其中基于100%的所述第一化合物的分子量,所述式1-1的脂肪族烃部分的质量%是12%或大于12%。

13.如权利要求1所述的发光装置,其中所述连接物C6-C60亚芳基基团是苯、萘、蒽或菲。

14.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一化合物包括以下化合物中的一种:

15.如权利要求1所述的发光装置,其中所述电子传输层进一步包含含金属的材料。

16.如权利要求1所述的发光装置,其中所述电子传输层进一步包含碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。

17.电子设备,包括权利要求1至16中任一项所述的发光装置。

18.如权利要求17所述的电子设备,进一步包括薄膜晶体管,

19.由式1表示的化合物:

20.如权利要求19所述的化合物,其中所述式1-1的脂肪族烃部分键合至的L1至L6各自包括亚苯基基团。

...

【技术特征摘要】

1.发光装置,包括:

2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,

3.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,

4.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是反射电极。

5.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极包含:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化锌或其任意组合;和/或

6.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二电极是半透反射电极。

7.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二电极包含锂、银、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟、镁-银、镱、银-镱、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合。

8.如权利要求1所述的发光装置,其中所述电子传输层的在460nm处的折射率是1.1至1.9。

9.如权利要求1所述的发光装置,其中所述两个或多于两个的三嗪部分中的两个或三个连接至所述连接物c6-c60亚芳基基团。

10.如权利要求1所述的发光装置,其中式1-1的r1至r3各自独立地是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵一薰朴元荣李大雄
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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