【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶圆光学检测方法与装置，特别涉及一种晶粒对晶粒比对的晶圆光学检测方法与装置。
技术介绍
1、一般晶圆aoi(自动光学检测)，面临晶格里的复杂图案或纹路时，通常需要建立晶圆母片(golden sample wafer)，以『晶圆母片』比对『正在生产的晶圆』进行光学检测(wafer to wafer)，若『正在生产的晶圆』不合格，则要将『正在生产的晶圆』挑出，甚至要停止工艺机器，检查并排除造成『正在生产的晶圆』不合格的问题，以免继续产出有问题的晶圆。建立晶圆母片(golden sample wafer)的专利譬如：中国台湾专利技术专利第i762039号的半导体微影工艺中的晶圆缺陷检测系统，中国台湾专利技术专利第i300887号的晶圆缺陷管理方法，中国台湾专利技术专利第i477790号的图案化晶圆缺陷检测系统及方法，中国台湾专利技术专利第i760523号的用于检测一缺陷的方法、非暂时性计算机可读媒体及系统等等。
2、建立晶圆母片的方式会造成一些问题，如：1)因为半导体工艺种类复杂且庞大，建立母片策略非常耗时。2)采用母片比对的策略容易因为工艺不同变异，造成需要定期重新建立母片。3)采用母片比对的误判率仍高，许多正常『正在生产的晶圆』其实没有问题，却误认为瑕疵品(伪阳率高)，譬如『正在生产的晶圆』的色泽与『晶圆母片』有差异，然而此种差异有时仅是工艺中化学反应稍有不同造成，但晶粒(die)的集成电路是没有问题。但若想降低此种伪阳率，又会大大增加伪阴率，譬如晶圆刮伤的伪阴率(瑕疵品却被认为正常品)，因此有需要改
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种晶粒对晶粒(die to die)的晶圆光学检测方法。
2、本专利技术的另一主要目的在于提供一种晶粒对晶粒(die to die)的晶圆光学检测装置。
3、为达成上述的目的，本专利技术的晶圆光学检测方法，用于检测晶圆是否有瑕疵，晶圆包括n个晶粒，其中50≦n≦900000，该方法包括下列步骤：由n个晶粒中选择两邻近晶粒；取得两邻近晶粒的光学影像；比对两邻近晶粒的两光学影像是否有不一致的瑕疵；以及，若是，判定晶圆具有瑕疵。
4、本专利技术另提供一种晶圆光学检测装置100，用于检测一晶圆1是否有瑕疵，晶圆1包括n个晶粒，其中50≦n≦900000，该晶圆光学检测装置包括处理模块以执行下列步骤：由该n个晶粒中选择两邻近晶粒；取得该两邻近晶粒的光学影像；以及，比对该两邻近晶粒的两光学影像是否有不一致的瑕疵，若是，判定该晶圆具有瑕疵。
5、藉由本专利技术利用同一晶圆的晶粒影像比对晶粒影像的方式找出具有不一致瑕疵的晶粒，在不需建立母片的状况下，于同一晶圆内找出具有不规律瑕疵的晶粒，可提高检测单一晶圆缺陷的精确度，同时也可降低仅因工艺中化学反应稍有不同造成晶圆与母片(golden sample wafer)色泽不相同而误判晶圆有缺陷的机率。
6、以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆光学检测方法，用于检测一晶圆是否有瑕疵，该晶圆包括n个晶粒，其中50≦n≦900000，其特征在于，该方法包括：
2.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，若判别该两邻近晶粒的光学影像没有该不一致的瑕疵，重复步骤A至步骤C至少次。
3.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，若判别该两邻近晶粒的光学影像没有不一致的瑕疵，重复步骤A至步骤C直到至少找到该两邻近晶粒的光学影像第一次有该不一致的瑕疵，或直到找不到该两邻近晶粒的光学影像有不一致的瑕疵。
4.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，选择其中两邻近晶粒的是以进行一九宫格方式进行，且该两邻近晶粒的其中之一为位于该九宫格的中心。
5.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，选择其中两邻近晶粒的方式是优先从该晶圆外围的晶粒进行选择。
6.一种晶圆光学检测装置，用于检测一晶圆是否有瑕疵，该晶圆包括n个晶粒，其中50≦n≦900000，其特征在于，该晶圆光学检测装置包括：
7.如权利要求6所述的晶圆光学检测装置，其特征
8.如权利要求6所述的晶圆光学检测装置，其特征在于，若判别该两邻近晶粒的光学影像没有不一致的瑕疵，重复步骤A至步骤C直到至少找到该两邻近晶粒的光学影像第一次有该不一致的瑕疵，或直到找不到该两邻近晶粒的光学影像有不一致的瑕疵。
9.如权利要求6所述的晶圆光学检测装置，其特征在于，选择其中两邻近晶粒是以进行一九宫格方式进行，且该两邻近晶粒的其中之一为位于该九宫格的中心。
10.如权利要求6所述的晶圆光学检测装置，其特征在于，选择其中两邻近晶粒的方式是优先从该晶圆外围的晶粒进行选择。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆光学检测方法，用于检测一晶圆是否有瑕疵，该晶圆包括n个晶粒，其中50≦n≦900000，其特征在于，该方法包括：
2.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，若判别该两邻近晶粒的光学影像没有该不一致的瑕疵，重复步骤a至步骤c至少次。
3.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，若判别该两邻近晶粒的光学影像没有不一致的瑕疵，重复步骤a至步骤c直到至少找到该两邻近晶粒的光学影像第一次有该不一致的瑕疵，或直到找不到该两邻近晶粒的光学影像有不一致的瑕疵。
4.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，选择其中两邻近晶粒的是以进行一九宫格方式进行，且该两邻近晶粒的其中之一为位于该九宫格的中心。
5.如权利要求1所述的晶圆光学检测方法，其特征在于，选择其中两邻近晶粒的方式是优先从该晶圆外围的晶粒进行选择。
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【专利技术属性】
技术研发人员：邱威尧，徐颢，林盈志，
申请(专利权)人：倢恩科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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