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一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器制造技术

技术编号:40489500 阅读:25 留言:0更新日期:2024-02-26 19:20
本发明专利技术公开了一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,涉及力传感器技术领域,包括支撑柱,支撑柱的数量为两组,支撑柱的底面固定连接有底座,在支撑柱的顶面设置有测试板,两组支撑柱设置在测试板底面的两端位置,在支撑柱与测试板之间设置有支撑杆,连接块与支撑杆的一端活动连接;实现了力传感器的功能,通过支撑杆与连接块的配合可以使磁致伸缩传感器的运行稳定,并且支撑杆是倾斜设置,具有较大的支撑力和稳定性,提高该逆磁致伸缩效应的力传感器的量程和精度,浮子磁铁固定在轴承的外侧,使浮子磁铁可以在轴承的外侧转动,转动的浮子磁铁可以具有良好的自解耦性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及力传感器,具体涉及一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器


技术介绍

1、磁致伸缩材料在磁场作用下,其长度发生变化,可发生位移而做功或在交变磁场作用可发生反复伸张与缩短,从而产生振动或声波,这种材料可将电磁能转换成机械能或声能,相反也可以将机械能,转换成电磁能,它是重要的能量与信息转换功能材料;

2、基于逆磁致伸缩效应的力传感器就是利用磁致伸缩效应将机械能转化为电磁能,现有的基于逆磁致伸缩效应的力传感器在使用时,由于力传感器的支撑力和稳定性差,所以力传感器的量程和精度降低,力传感器上的浮子磁铁其磁场固定,产生了线性误差,降低了力传感器的精度。


技术实现思路

1、为了克服上述的技术问题,本专利技术的目的在于提供一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,以解决现有技术中,由于力传感器的支撑力和稳定性差,所以力传感器的量程和精度降低,力传感器上的浮子磁铁其磁场固定,产生了线性误差,降低了力传感器的精度的问题。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:

3、一种基于逆磁致伸缩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,所述支撑杆(3)远离连接块(4)的一端插接有缓冲杆(31),所述缓冲杆(31)靠近连接块(4)的一端固定连接有支撑弹簧(33),所述缓冲杆(31)的另一端转动连接有连接座(32),所述连接座(32)的顶面与测试板(2)的底面固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,所述测试板(2)的底面靠近支撑柱(1)的位置固定连接有升降杆(21),所述支撑柱(1)的顶面靠近升降杆(21)的位置开设有与升降杆(21...

【技术特征摘要】

1.一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,所述支撑杆(3)远离连接块(4)的一端插接有缓冲杆(31),所述缓冲杆(31)靠近连接块(4)的一端固定连接有支撑弹簧(33),所述缓冲杆(31)的另一端转动连接有连接座(32),所述连接座(32)的顶面与测试板(2)的底面固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,所述测试板(2)的底面靠近支撑柱(1)的位置固定连接有升降杆(21),所述支撑柱(1)的顶面靠近升降杆(21)的位置开设有与升降杆(21)相互契合的升降槽。

4.根据权利要求1所述的一种基于逆磁致伸缩效应的力传感器,其特征在于,所述磁致伸缩传感器(6)包括传感器外壳(61),所述传感器外壳(61)的两端侧面嵌套有轴承(62),所述轴承(62)的外侧嵌套有浮子磁铁(63)。

5.根据权利要求4所述的一种基...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑小帆赵年顺黄芬吴艳赵磊高丽丽
申请(专利权)人:黄山学院
类型:发明
国别省市:

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