【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种共栅结构的输入级放大器电路。
技术介绍
1、随着cmos亚微米及深亚微米工艺发展，器件的特征频率不断提高，当前工艺节点可达到100ghz以上，可实现rf(radio frequency)前端单元器件制备，完成微波射频前端与后端数字电路集成，实现整个微波收发芯片单片集成，使硅基微系统成为现实。基于cmos工艺实现rf前端电路设计与制备为当前的研究热点之一。
2、差分放大器电路被大量应用在各种电路中，现有的差分放大器电路当输入端输入的为大差分信号时，差分输入电路中的晶体管对长时间的不对称工作会造成差分输入电路中晶体管对的器件特性发生不对称，导致差分放大器电路产生失调电压，从而降低差分放大器电路的精度。因此，现有的放大器电路已越来越不能满足用户的需要。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种共栅结构的输入级放大器电路，以解决上述技术问题。
2、本申请提供了一种共栅结构的输入级放大器电路，包括：第一差分输入级，与第一开关串联连接在正电源端和负电源端之间，上述第一差分输入级包括左右n1mos管对以及第一变压器；第二差分输入级，与第二开关串联连接在上述正电源端和上述负电源端之间，上述第二差分输入级包括左右n2mos管对以及第二变压器，其中，输入信号经过上述左右n1mos管对和上述左右n2mos管对放大后，从右n2mos管的漏极输出；畸变消除级，包括左右pmos管对、左右电感对、左右栅极隔直电容，以及左右栅极偏置电阻，左pmos管
3、本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
4、1、本专利技术提供的共栅结构的输入级放大器电路可以结合左右n1mos管对和左右n2mos管对，在保证第一差分输入级和第二差分输入级的精度的同时，减小第一差分输入级和第二差分输入级的输入失调电压；
5、2、本专利技术提供的输入级放大器电路设计采用共栅结构，共栅结构输入端近似实阻抗，esd保护电路及键合线寄生参数对输入阻抗的影响较小，能轻易解决寄生参数影响，易于实现宽带匹配，且输入端不需要额外的片外匹配元件，可以避免片外元件值偏差引起误差；
6、3、本专利技术提供的共栅结构的输入级放大器电路基于后畸变技术，利用工作在弱反型区的辅助管对，来消除共栅的三阶非线性电流和削弱二阶非线性电流；交叉耦合的辅助pmos管对的负阻特性，可以在提高电路增益的同时几乎不影响噪声特性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种共栅结构的输入级放大器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种共栅结构的输入级放大器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张萌，余建庚，姜云龙，何乐，
申请(专利权)人：航天科工通信技术研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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