一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，(1)在n型晶硅衬底的一面沉积制备本征非晶硅薄膜，沉积n型非晶硅氧薄膜，n面；(2)同理制备p面；(3)n型非晶硅氧薄膜和p型非晶硅薄膜上采用RPD制备氢掺杂的ITO薄膜；(4)在p面ITO薄膜上采用热蒸发制备全面积Ag电极；(5)在n面ITO薄膜上采用光刻刻蚀工艺刻蚀n面ITO薄膜及n型微晶硅氧薄膜；(6)不去除光刻胶，在n面采用电子束沉积减反层；(7)去除电池片n面的光刻胶及光刻胶上的减反层材料；(8)采用丝网印刷，在n面丝网印刷电极并固化，完成电池制备。相比传统的硅基异质结电池工艺，本申请仅增加一次光刻刻蚀和一次镀膜(减反膜)工艺，在工业大规模生产方面具有一定的可行性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制备，尤其涉及一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法。

技术介绍

1、

2、由于高效、稳定、低成本等特点，目前晶体硅太阳能电池主导了世界光伏市场。而硅异质结(shj)太阳能电池则是最有前途的下一代晶体硅太阳能电池技术。与商业化的同质结硅太阳能电池相比，shj太阳能电池具有更高的功率转换效率、更低的温度系数、更短的工艺流程和更低的制造温度。

3、为使现有的硅基异质结电池具备更高的短路电流需要电池片以最佳水平吸收光子并将其转化为电能。然而，前表面存在的反射损耗、吸收损耗(非晶硅的寄生吸收和tco层的自由载流子吸收)电极遮光导致的光学损耗会显著降低shj电池的短路电流，这也是目前提升shj电池效率的主要障碍。因此需要设计一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中的缺陷，提供一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法。

2、本专利技术通过下述方案实现：

3、一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，在(1)中，在本征非晶硅薄膜上沉积15-20nm的n型非晶硅氧薄膜的具体步骤为：采用PECVD方法，以SiH4、H2为反应气体，在n型晶硅衬底的一面沉积制备3-5nm本征非晶硅薄膜，然后以SiH4、H2、PH3以及CO2为反应气体，在本征非晶硅薄膜上沉积15-20nm的n型非晶硅氧薄膜，即正面，n面。

3.根据权利要求2所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于：所述CO2与SiH...

【技术特征摘要】

1.一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，在(1)中，在本征非晶硅薄膜上沉积15-20nm的n型非晶硅氧薄膜的具体步骤为：采用pecvd方法，以sih4、h2为反应气体，在n型晶硅衬底的一面沉积制备3-5nm本征非晶硅薄膜，然后以sih4、h2、ph3以及co2为反应气体，在本征非晶硅薄膜上沉积15-20nm的n型非晶硅氧薄膜，即正面，n面。

3.根据权利要求2所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于：所述co2与sih4的气体流量比为0.5-1。

4.根据权利要求1所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，在(2)中，在本征非晶硅薄膜上继续沉积15-20nm p型非晶硅薄膜的具体步骤为：采用pecvd方法，以sih4、h2为反应气体，在晶硅衬底另一面沉积制备3-5nm本征非晶硅薄膜，继而以sih4、h2以及b2h6为反应气体，在本征非晶硅薄膜上继续沉积15-20nm p型非晶硅薄膜，即背面，p面。

5.根据权利要求4所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于：所述b2h6与sih4的气体流量比大于0.015。

6.根据权利要求1所述的一种高短路电流的硅基异质结太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭佳成，周玉荣，
申请(专利权)人：中国科学院大学，
类型：发明
国别省市：