System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
:本专利技术属于电压检测,具体涉及一种温度补偿式电压检测方法,增设温度检测电路,能够在温度变化的情况下对电压进行准确检测。
技术介绍
0、
技术介绍
:
1、在电子设备应用中,电压的准确检测与测量是至关重要的。对于一些高精密和成本要求不高的仪器里,电压检测值一般精度较高,不会随着环境温度的变化而产生改变。然而,随着市场产品竞争的越来越严峻,降成本已经产品的一个趋势,使得产品的温度补偿式电压检测方法需要更改方案,使用较少的,成本更低的电子元件。但是,电子元件的性能常常受到温度变化的影响,从而导致电压检测的准确性受损,因为温度变化可能会引起电阻、电容、半导体材料等元件的电特性发生变化,进而影响电压检测结果。
2、现有技术使用的方案有两种,一种是成本比较高,精确度高的方案:采用精密电压互感器,先将互感器初级线圈的电流信号按一定的比例耦合到次级线圈,再将互感器次级的电流信号转化为电压信号,进入单片机进行运算,测出ac交流电压信号,虽然电压互感器的温度性能好,但是在一定的温度范围内,耦合的系数保持不变;另一种是成本比较低,精确度也低的方案:同样是采用光耦隔离方式,借助光耦的线性区间的电流传输比(ctr),使得市电的交流电流波形传递到光耦后级弱电采样电路上,再由单片机进行采集和计算,实现ac电压的检测,由于光耦的电流传输比(ctr)随环境温度的变化而改变,环境温度会影响检测精度,导致交流电压检测误差较大。例如,中国专利202310667643.0公开的一种原边输入温度补偿式电压检测方法,包括功率变压器单元与电压检测单元;
技术实现思路
0、
技术实现思路
:
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的缺点,寻求设计一种温度补偿式电压检测方法,在温度变化的情况下对电压进行准确的检测,满足强弱电隔离和电压测量精度的要求。
2、为了实现上述目的,本专利技术涉及的温度补偿式电压检测方法是通过增设温度补偿检测电路实现电压检测,温度补偿检测电路的主体结构包括火线l、零线n、整流桥bd1、光耦pc1、单片机mcu和温度传感器rt1;火线l和零线n分别通过整流桥bd1与光耦pc1的发光二极管连接,光耦pc1的光敏三极管的一端与电源连接,另一端接地,并与单片机mcu连接,温度传感器rt1的一端与电源连接,一端与单片机mcu连接,一端接地。
3、本专利技术涉及的火线l与整流桥bd1之间设置有电阻r1,光耦pc1的光敏三极管通过电阻r2接地,通过r3与单片机mcu连接,电阻r3与单片机mcu的连接线与电阻r2后的接地线之间设置有电容c1,温度传感器rt1通过电阻r4与电源连接,通过电阻r5与单片机mcu连接,电阻r5与单片机mcu的连接线与温度传感器rt1的接地线之间设置有电容c2。
4、本专利技术涉及的强电部分在整个回路中,将交流ac电压转化成交流ac电流,ac电流流经光耦pc1的发光二极管,作为光的发射源,发光二极管在电流通过时发出设定波长的光信号,通过隔离介质,传输到另一侧的光敏元件。
5、本专利技术涉及的弱电部分:通过光的照射产生电流,电流大小与光的强度成正比,是光耦pc1的ctr(电流传输比)参数,电流信号变成电压信号,实现信号的传输和隔离,电压信号再经过rc低通滤波电路后进入单片机mcu进行计算,转换得出被测的交流电压值。
6、本专利技术涉及的温度传感器rt1紧靠光耦pc1,以便测得更精确的光耦pc1所处的环境温度,因为温度传感器rt1的电阻值随着温度的升高而减小。
7、本专利技术与现有技术相比,在原有采样电路的基础上,增加了温度补偿检测电路,在电路板上,将感温电阻布置在光耦旁边,贴近光耦,用于监测光耦的实时温度,根据光耦手册给出的光耦ctr参数与温度的变化关系,实时调整ctr,形成闭环反馈,再通过单片机的计算得到更加精确的电压值,采用温度补偿,误差小,检测本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种温度补偿式电压检测方法,通过增设温度补偿检测电路实现电压检测,其特征在于,温度补偿检测电路的主体结构包括火线L、零线N、整流桥BD1、光耦PC1、单片机MCU和温度传感器RT1;火线L和零线N分别通过整流桥BD1与光耦PC1的发光二极管连接,光耦PC1的光敏三极管的一端与电源连接,另一端接地,并与单片机MCU连接,温度传感器RT1的一端与电源连接,一端与单片机MCU连接,一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,火线L与整流桥BD1之间设置有电阻R1,光耦PC1的光敏三极管通过电阻R2接地,通过R3与单片机MCU连接,电阻R3与单片机MCU的连接线与电阻R2后的接地线之间设置有电容C1,温度传感器RT1通过电阻R4与电源连接,通过电阻R5与单片机MCU连接,电阻R5与单片机MCU的连接线与温度传感器RT1的接地线之间设置有电容C2。
3.根据权利要求1或2所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,强电部分在整个回路中,将交流AC电压转化成交流AC电流,AC电流流经光耦PC1的发光二极管,作为光的发射源,发光二极
4.根据权利要求1或2所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,弱电部分:通过光的照射产生电流,电流大小与光的强度成正比,是光耦PC1的CTR参数,电流信号变成电压信号,实现信号的传输和隔离,电压信号再经过RC低通滤波电路后进入单片机MCU进行计算,转换得出被测的交流电压值。
5.根据权利要求1所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,温度传感器RT1紧靠光耦PC1。
6.根据权利要求3所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,强电部分:市电交流AC输入电压为完整的正弦波信号,在正弦波电压的前半周期,火线L通过限流电阻R1后,经过整流桥BD1进入光耦PC1,从光耦PC1出来后再次进入整流桥BD1,最后流回零线N,构成一个回路;
7.根据权利要求2所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,温度传感器RT1通过与电阻R4串联分压,使得温度传感器RT1两端的电压随着温度的升高而减小,再经过电阻R5和电容C2组成的RC低通滤波电路后进入单片机MCU的ADC进行计算,计算出光耦PC1所处的环境温度,再通过该环境温度下的光耦PC1的CTR,计算出当时的交流电压值。
...【技术特征摘要】
1.一种温度补偿式电压检测方法,通过增设温度补偿检测电路实现电压检测,其特征在于,温度补偿检测电路的主体结构包括火线l、零线n、整流桥bd1、光耦pc1、单片机mcu和温度传感器rt1;火线l和零线n分别通过整流桥bd1与光耦pc1的发光二极管连接,光耦pc1的光敏三极管的一端与电源连接,另一端接地,并与单片机mcu连接,温度传感器rt1的一端与电源连接,一端与单片机mcu连接,一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,火线l与整流桥bd1之间设置有电阻r1,光耦pc1的光敏三极管通过电阻r2接地,通过r3与单片机mcu连接,电阻r3与单片机mcu的连接线与电阻r2后的接地线之间设置有电容c1,温度传感器rt1通过电阻r4与电源连接,通过电阻r5与单片机mcu连接,电阻r5与单片机mcu的连接线与温度传感器rt1的接地线之间设置有电容c2。
3.根据权利要求1或2所述的一种温度补偿式电压检测方法,其特征在于,强电部分在整个回路中,将交流ac电压转化成交流ac电流,ac电流流经光耦pc1的发光二极管,作为光的发射源,发光二极管在电流通过时发出设定波长的光信号,通过隔离介质,传输到...
【专利技术属性】
技术研发人员:张大鹏,刘辉辉,李彦,王俊泽,苗笛,何柏岩,
申请(专利权)人:荏原电产青岛科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。