【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及电源芯片领域，具体涉及一种低通滤波集成电路和一种电源芯片。
技术介绍
1、在电源管理芯片中，包括功率管、误差放大器、稳压调整级电路等，其中，噪声抑制是其非常重要的一项指标。常见的噪声主要来源电路中器件的热噪声和1/f噪声(1/f噪声又称为闪烁噪声，几乎所有电子设备中都会出现，其是与半导体设备制造过程和物理特性相关的固有噪声)，1/f噪声主要分布在低频段，过滤掉低频段的噪声需要足够大的rc电路常数，因而需要采用足够大的电阻滤波电容，十分占用芯片面积。
技术实现思路
1、针对现有技术中所存在的不足，本专利技术提供了一种低通滤波集成电路和一种电源芯片，主要解决低频滤波的效果和体积过大问题。
2、本专利技术的目的是通过以下方案进行实现的：
3、根据本专利技术第一方面提供一种低通滤波集成电路，所述低通滤波集成电路包括mos晶体管、滤波电容以及加速电路，其中，所述mos晶体管与所述滤波电容串联以形成低通滤波单元，所述加速电路用于产生所述滤波电容的预充电流；所述mos晶体管被配置为导通偏执差小于临界电压以使得所述mos晶体管处于弱导通状态，所述mos晶体管与所述滤波电容之间并联所述加速电路。
4、在本专利技术的一些实施例中，所述加速电路包括传输门和比较器，其中，所述传输门并联于所述mos晶体管的源极和漏极之间，所述比较器的正负信号输入端分别连接于所述mos晶体管的源极和漏极以获得所述比较器的参考输入电压，所述比较器的输出端连接于
5、优选的，所述临界电压与所述导通偏执差的差值所属的范围为(0,100mv)。
6、在本专利技术的一些实施例中，所述比较器的正负信号输入端采用差分输入端，所述差分输入端包括两个输入端，其中，第一输入端包括两个并联的第一mos晶体管，第二输入端包括第二mos晶体管；所述mos晶体管为p型mos管，所述第一输入端作为比较器的正向输入端连接于所述mos晶体管的漏极，所述第二输入端作为比较器的负向输入端连接所述mos晶体管的源极。
7、优选的，所述第一mos晶体管和第二mos晶体管的结构相同。
8、根据本专利技术第二方面，提供一种电源芯片，所述电源芯片包括功率管、误差放大器、稳压调整级电路以及根据本专利技术第一方面提供的低通滤波集成电路，其中，所述稳压调整级电路的输出端通过所述低通滤波集成电路连接所述误差放大器，所述误差放大器的输出端连接所述功率管的控制端。
9、相比于现有技术，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术实施例采用的低通滤波集成电路利用了mos晶体管在若导通的状态下的大电阻特性，降低了低通滤波器中大电阻对集成电路面积占用，提高了集成密度，此外，为了提高低通滤波集成电路的滤波效果，采用所述加速电路对滤波电容进行初始化，解决了采用mos晶体管进行低通滤波集成电路设计的滤波效果。
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1.一种低通滤波集成电路，其特征在于，所述低通滤波集成电路包括MOS晶体管、滤波电容以及加速电路，其中，所述MOS晶体管与所述滤波电容串联以形成低通滤波单元，所述加速电路用于产生所述滤波电容的预充电流；
2.根据权利要求1所述的低通滤波集成电路，其特征在于，所述加速电路包括传输门和比较器，其中，所述传输门并联于所述MOS晶体管的源极和漏极之间，所述比较器的正负信号输入端分别连接于所述MOS晶体管的源极和漏极以获得所述比较器的参考输入电压，所述比较器的输出端连接于所述传输门的控制端。
3.根据权利要求1或2所述的低通滤波集成电路，其特征在于，所述临界电压与所述导通偏执差的差值所属的范围为(0,100mV)。
4.根据权利要求3所述的低通滤波集成电路，其特征在于，所述比较器的正负信号输入端采用差分输入端，所述差分输入端包括两个输入端，其中，第一输入端包括两个并联的第一MOS晶体管，第二输入端包括第二MOS晶体管；
5.根据权利要求4所述的低通滤波集成电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的结构相同。
6.一
...【技术特征摘要】
1.一种低通滤波集成电路，其特征在于，所述低通滤波集成电路包括mos晶体管、滤波电容以及加速电路，其中，所述mos晶体管与所述滤波电容串联以形成低通滤波单元，所述加速电路用于产生所述滤波电容的预充电流；
2.根据权利要求1所述的低通滤波集成电路，其特征在于，所述加速电路包括传输门和比较器，其中，所述传输门并联于所述mos晶体管的源极和漏极之间，所述比较器的正负信号输入端分别连接于所述mos晶体管的源极和漏极以获得所述比较器的参考输入电压，所述比较器的输出端连接于所述传输门的控制端。
3.根据权利要求1或2所述的低通滤波集成电路，其特征在于，所述临界电压与所述导通偏执差的差值所属的范围为(0,...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，冉波，林明翰，
申请(专利权)人：重庆本原聚芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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