【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机光电材料,涉及一种含薁稠环芳烃及其制备方法。
技术介绍
1、有机半导体材料是有机电子器件发展的基础,有机场效应晶体管(organicfield-effect transistor,ofet)的快速发展迫切需要高迁移率、高稳定性和易加工的有机光电材料。因此,设计合成性能优良的有机半导体材料具有重要的意义。
2、与电子带隙为零的石墨烯不同,稠环芳烃(pah)的非零带隙特性提供了其独特的光电学和半导体特性。一方面,稠环芳烃具有刚性平面共轭结构,其分子π电子云密度较高,电子在共轭平面上高度离域;另一方面,稠环芳烃存在着较强的分子间π-π相互作用,促使其自组装形成高度有序的结构。由于其独特性的电子特性和自组装性能,被广泛应用在各种有机半导体器件,例如有机发光二极管(oled)、有机场效应晶体管和有机光伏电池(opv)等。近年,随着电子器件不断向低成本开发、柔软性、重量轻的方向发展,中小尺寸的稠环芳烃化合物的应用潜力被不断发掘,其高发光性能、高载流子迁移率和抗氧化性能,再加上结构的可确定性,这些都显示了其在有机光电领域
...【技术保护点】
1.一种含薁稠环芳烃,其特征在于,该稠环芳烃的结构式包括:
2.一种如权利要求1所述的含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述铂催化剂包括二氯化铂或二(三苯基膦)二氯化铂,所述第一溶剂包括甲苯或1,2-二氯乙烷。
4.根据权利要求2所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述炔基薁类化合物与铂催化剂的摩尔比为1:(0.05-0.2),所述炔基薁类化合物与第一溶剂的质量/体积比为1g:(0.1-0.15L)。
5.根据权利要求2所述
...【技术特征摘要】
1.一种含薁稠环芳烃,其特征在于,该稠环芳烃的结构式包括:
2.一种如权利要求1所述的含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述铂催化剂包括二氯化铂或二(三苯基膦)二氯化铂,所述第一溶剂包括甲苯或1,2-二氯乙烷。
4.根据权利要求2所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述炔基薁类化合物与铂催化剂的摩尔比为1:(0.05-0.2),所述炔基薁类化合物与第一溶剂的质量/体积比为1g:(0.1-0.15l)。
5.根据权利要求2所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述反应的温度为80-100℃,时间为6-12h。
6.根据权利要求2所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述炔基薁类化合物的制备方法包括以下步骤:
7.根据权利要求6所述的一种含薁稠环芳烃的制备方法,其特征在于,所述钯催化剂包括四(三苯基膦)钯...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛涵申,郭建文,杜芳鑫,余波,杜鹏程,
申请(专利权)人:上海大学,
类型:发明
国别省市:
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