半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置具备半导体层(10)，该半导体层具有形成有元件构造的元件区域(101)和位于元件区域的周围的末端区域(102)。末端区域具有：多个保护环(16)，设在半导体层的第1深度范围；以及降低表面电场层(17)，设在半导体层的与第1深度范围不同的第2深度范围，在半导体层的深度方向上以与多个保护环对置的方式配置。多个保护环的电场强度分布和降低表面电场层的电场强度分布的从末端区域的内周侧朝向外周侧的高低关系相反。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本说明书公开的技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、日本特开2015－65238号公报公开了在半导体层的末端区域中设有p型的多个保护环和p型的多个扩散区域的半导体装置。多个保护环分别设置于在半导体层的表面露出的位置。多个扩散区域分别设置在比设置多个保护环的深度深的位置。这样，多个保护环和多个扩散区域在半导体层的末端区域中被设置在不同的深度。

2、在半导体装置断开(off)的情况下，耗尽层从元件区域朝向末端区域扩展。耗尽层一边经由多个保护环和多个扩散区域一边朝向末端区域的外周侧及深部侧扩展。通过设置多个保护环和多个扩散区域，从元件区域扩展的耗尽层朝向末端区域的外周侧及深部侧较大地扩展，能够使半导体装置的耐压提高。

技术实现思路

1、在这种半导体装置中，为了得到较高的耐压，希望适当地配置多个保护环和多个扩散区域的相对位置关系。但是，根据本专利技术人的研究结果可知，由于用来形成多个保护环的掩模和用来形成多个扩散区域的掩模的各自的掩模偏移，难以适当地配置多个保护环和多个扩散区域的相对位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置(1)，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.一种半导体装置(1)的制造方法，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.如权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置(1)，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部正和，平林康弘，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：