【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种绝缘测试领域的技术，具体是一种基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法。
技术介绍
1、功率器件通常情况下一般工作在开关模式，其封装绝缘承受电应力特点包括：电压上升时间短，电压转换速率可高达上百v/ns，且重复频率高。由于在方波上升沿和下降沿时刻，电场急剧变化，在电路中会产生较大的位移电流，其幅值可能超过击穿时刻电路中的传导电流，常见的过流保护方法如熔断器和继电器等在该情况下可能出现误触发或不动作，影响老化实验进程或损坏电路元件，还会干扰老化状态监测。因此高dv/dt方波电压下的老化测试中，老化状态监测及击穿时刻的过流保护是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术针对现有高dv/dt方波高电压模拟功率器件封装绝缘老化特性中存在的监测状态量不明和过流保护方法有效性不足的问题，提出一种基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，对待测封装绝缘样品施加连续的高dv/dt方波电压，监测其两端电压及流经电流的积分，及其与老化初始状态下电压电流积分的差值，判断其老化状态，并实时比较电压电流积分值与所设定的击穿阈值，实现在高dv/dt方波下封装绝缘试样老化至击穿时的过流保护。
2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术涉及一种基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，通过构造高压方波老化测试电路后，对待测封装绝缘样品两端连续施加高频、高dv/dt方波高电压，并按固定时间间隔采集霍尔电流传感器和高压差分探
4、所述的高压方波老化测试电路包括：高压直流电源、输入电阻ri、上升沿电阻rr、高压晶体管开关和下降沿电阻rf组成的回路，其中：高压晶体管开关的输出端依次设有可调电阻ra和待测封装绝缘样品，输入电阻ri的输出端和下降沿电阻rf的输出端之间设有高压储能电容cs。
5、技术效果
6、本专利技术通过对老化过程中电流和电压在固定时间区间内的积分值，将其与老化初期值对比，判断其老化状态并实现击穿时刻电路的过流保护。相比现有技术，本专利技术实现了高dv/dt方波下老化实验的状态监测和击穿时刻电路的便捷高效过流保护，有效保护设备免受过电流的损坏。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，其特征在于，通过构造高压电源测试电路后，对待测封装绝缘样品两端连续施加高频、高dV/dt方波高电压，并按固定时间间隔采集霍尔电流传感器和高压差分探头上的信号后分别进行积分和比较运算，通过计算待测封装绝缘样品老化过程中两端电压和流经电流积分和老化初期的差值获得其老化状态信息，当封装绝缘试样老化到最终击穿时，控制输入电压和电流迅速降为0，关闭触发脉冲信号单的输出，实现对电路各元件的过流保护，通过积分差值数据的组数和采样时间间隔得到待测封装绝缘样品的寿命；
2.根据权利要求1所述的基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，其特征是，具体包括：
3.根据权利要求1或2所述的基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，其特征是，所述的高压电源输出电压和最大电流可控，其上升时间最短50ns，最大电压超过10kV，该高压电源的控制端与控制模块相连以控制输出直流高电压的幅值和最大输出电流，最大电流的输出限制取决于电路中各元器件的额定功率和耐受电压。
4.根据权利要求2所述的基于电流电
...【技术特征摘要】
1.一种基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，其特征在于，通过构造高压电源测试电路后，对待测封装绝缘样品两端连续施加高频、高dv/dt方波高电压，并按固定时间间隔采集霍尔电流传感器和高压差分探头上的信号后分别进行积分和比较运算，通过计算待测封装绝缘样品老化过程中两端电压和流经电流积分和老化初期的差值获得其老化状态信息，当封装绝缘试样老化到最终击穿时，控制输入电压和电流迅速降为0，关闭触发脉冲信号单的输出，实现对电路各元件的过流保护，通过积分差值数据的组数和采样时间间隔得到待测封装绝缘样品的寿命；
2.根据权利要求1所述的基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，其特征是，具体包括：
3.根据权利要求1或2所述的基于电流电压积分监测的功率器件封装绝缘老化测试方法，其特征是，所述的高压电源...
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