【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空度测量仪器的，特别涉及一种薄膜真空计及其制备方法。
技术介绍
1、薄膜真空计是测量真空度的计量仪器，具有测量精度高、动态响应快、不会改变被测真空环境、测量结果与气体成分无关等优点，被广泛应用于化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)等镀膜设备工艺中。
2、电容薄膜真空计测量的是全残留气体绝对压强，变形膜片两侧设有腔室，即参考真空腔室和欲测真空腔室，腔室内还设有一固定膜片，变形膜片和固定膜片之间形成电容。其作用原理是由于变形膜片两侧腔室的压强不等，变形膜片上的压差变化产生该变形膜片和固定膜片之间距离的变化，从而产生电容量的变化，再通过电容测试电路将电容的变化表示成电压或电流的变化，根据电压和电流的变化计算真空度，该电容薄膜真空计的测量是直接反映了真空度或压强的变化值。
3、电容薄膜真空计中的薄膜也就是膜片是其核心部件，通常被要求具有高灵敏度，即压差有微小变化时，变形膜片也会随之变形，电容变化产生信号；不易产生机械疲劳，耐久性强；不易被腐蚀等。一般地，变形膜片越薄灵敏度越高，但越薄的变形膜片，其耐久性、耐腐蚀性就越差。如此对变形膜片与薄膜真空计的制备工艺也产生了很高的要求，如膜片材料的强度、耐腐蚀性；制备过程中的张紧力、密封性等。现有的变形膜片材料的选择性较低，成本较高；而且薄膜真空计的制备工艺通过对膜片进行加热并将膜片焊接至腔室中，然后采用自然冷却的方式使膜片自然收缩后以满足变形膜片张紧力的要求，但直接对变形膜片进行加热，容易使变形膜片发生褶皱，难以把控变形膜片的收缩情况，最终影响到
4、可见，现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种薄膜真空计及其制备方法，旨在改善加热后变形膜片容易发生褶皱，难以把控变形膜片收缩情况和变形膜片在常温下进行焊接时容易发生应力不均的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：
3、一种薄膜真空计的制备方法，包括如下步骤：
4、制备膜片组件：在透明载板上制备导电膜和/或半导体分离膜；在导电膜和/或半导体分离膜上制备电铸膜片，形成膜片组件；
5、设置载膜框：在薄膜真空计的腔室中设置载膜框；
6、焊接固定膜片组件和载膜框：将膜片组件进行加热，将载膜框进行冷却；将加热后的膜片组件和冷却后的载膜框通过焊接实现固定；
7、分离电铸膜片：利用导电膜和/或半导体分离膜将透明载板、导电膜和/或半导体分离膜与电铸膜片分离；
8、密封薄膜真空计。
9、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，所述焊接固定膜片组件和载膜框的步骤中，先通过第一次激光焊接实现膜片组件和载膜框位置的初步固定，再通过第二次焊接实现膜片组件和载膜框的封装固定。
10、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，所述电铸膜片与所述载膜框为同心设置，所述电铸膜片的边缘均匀地分布在所述载膜框的上表面。
11、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，所述导电膜和/或半导体分离膜通过物理气相沉积法或化学气相沉积法沉积于所述透明载板的下表面。
12、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，沉积形成所述导电膜和/或半导体分离膜的氧化物为氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种。
13、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，所述导电膜和/或半导体分离膜的电阻率为1×10-3～105ω·m。
14、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，所述电铸膜片设置为一层以上。
15、所述的薄膜真空计的制备方法，其中，每一层的所述电铸膜片的厚度为0.5～300μm，电镀的成分为镍铁合金、镍钴合金、镍铬合金、镍铬铁合金、铜合金中的一种；电铸膜片的应力为0.1～1gpa。
16、所述的薄膜真空计的制备方法，采用辐照法、机械剥离法、超声剥离法中的一种或多种方式使所述透明载板和所述导电膜和/或所述半导体分离膜与所述电铸膜片分离。
17、一种薄膜真空计，由所述的薄膜真空计的制备方法制得；所述薄膜真空计包括壳体、绝缘片、固定电极、固定电极引出线、载膜框，以及电铸膜片，所述绝缘片位于所述壳体的内部，并将所述壳体的内部分隔成参考真空腔室和欲测真空腔室；所述固定电极和所述载膜框位于所述绝缘片的上表面，所述电铸膜片的边缘与所述载膜框的上表面固定连接；所述固定电极引出线的一端用于连接所述固定电极和所述绝缘片，所述固定电极引出线的另一端延伸至所述壳体的外部；所述载膜框上设置有斜面或凹槽，所述电铸膜片的边缘焊接于所述斜面或所述凹槽中。
18、有益效果：
19、本专利技术提供了一种薄膜真空计的制备方法，通过利用透明载板、导电膜和/或半导体分离膜的承载功能，使厚度较薄的电铸膜片与透明载板、导电膜和/或半导体分离膜形成一个整体，确保电铸膜片在加热过程中的平整性，防止发生皱褶。此外，利用焊接将膜片组件和载膜框实现连接，利用对载膜框的冷却收缩和/或对电铸膜片的加热膨胀，保证制备过程中电铸膜片张紧度和其均匀性的可控性，进一步提升薄膜真空计的测量灵敏度和精度。
20、本专利技术还提供了一种薄膜真空计，以多种的实施方式展示了电铸膜片不同的焊接方式，以及固定电极不同的开孔方式，以制得多种的薄膜真空计，适用于多种不同的应用场景，每一种薄膜真空计各有优点，而且薄膜真空计的灵敏度高、响应迅速，质量好，能满足多种不同的测量条件需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种薄膜真空计的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述焊接固定膜片组件和载膜框的步骤中，先通过第一次激光焊接实现膜片组件和载膜框位置的初步固定，再通过第二次焊接实现膜片组件和载膜框的封装固定。
3.根据权利要求2所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述电铸膜片与所述载膜框为同心设置，所述电铸膜片的边缘均匀地分布在所述载膜框的上表面。
4.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述导电膜和/或半导体分离膜通过物理气相沉积法或化学气相沉积法沉积于所述透明载板的下表面。
5.根据权利要求4所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，沉积形成所述导电膜和/或半导体分离膜的氧化物为氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述导电膜和/或半导体分离膜的电阻率为1×10-3～105Ω·m。
7.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其
8.根据权利要求7所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，每一层的所述电铸膜片的厚度为0.5～300μm，电镀的成分为镍铁合金、镍钴合金、镍铬合金、镍铬铁合金、铜合金中的一种；电铸膜片的应力为0.1～1GPa。
9.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，采用辐照法、机械剥离法、超声剥离法中的一种或多种方式使所述透明载板和所述导电膜和/或所述半导体分离膜与所述电铸膜片分离。
10.一种薄膜真空计，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的薄膜真空计的制备方法制得；所述薄膜真空计包括壳体、绝缘片、固定电极、固定电极引出线、载膜框，以及电铸膜片，所述绝缘片位于所述壳体的内部，并将所述壳体的内部分隔成参考真空腔室和欲测真空腔室；所述固定电极和所述载膜框位于所述绝缘片的上表面，所述电铸膜片的边缘与所述载膜框的上表面固定连接；所述固定电极引出线的一端用于连接所述固定电极和所述绝缘片，所述固定电极引出线的另一端延伸至所述壳体的外部；所述载膜框上设置有斜面或凹槽，所述电铸膜片的边缘焊接于所述斜面或所述凹槽中。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜真空计的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述焊接固定膜片组件和载膜框的步骤中，先通过第一次激光焊接实现膜片组件和载膜框位置的初步固定，再通过第二次焊接实现膜片组件和载膜框的封装固定。
3.根据权利要求2所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述电铸膜片与所述载膜框为同心设置，所述电铸膜片的边缘均匀地分布在所述载膜框的上表面。
4.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述导电膜和/或半导体分离膜通过物理气相沉积法或化学气相沉积法沉积于所述透明载板的下表面。
5.根据权利要求4所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，沉积形成所述导电膜和/或半导体分离膜的氧化物为氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的薄膜真空计的制备方法，其特征在于，所述导电膜和/或半导体分离膜的电阻率为1×10-3～105ω·m。
7.根据权利要求1所述的薄膜真空计的制备方法，其特...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。