【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及集成电路及其制造方法，更具体而言，涉及一种电子元件及其制造方法。
技术介绍
1、随着集成电路制造技术的发展，现有技术中已经将集成电路制造技术应用于微型电容元件的生产制造中。目前市场上常见的一种微型电容元件主要是以日本村田为代表的y型三维立体电容。
2、如图1所示，所述y型三维立体电容采用光刻技术在单一衬底，例如晶圆1上雕刻成y字型立体结构，然后沉积生长成电极/绝缘层/电极的三层复合结构，利用微型结构增加表面积，实现大的容值。然而y型三维立体电容2一般采用深沟槽刻蚀的方式完成，深沟槽的深度受现有集成电路制造工艺能力的限制无法刻蚀太深，进而限制了单位面积高电容值的需求；而且如果深沟槽深度过深将引起所述深沟槽顶部和底部厚度不均匀以及造成所述晶圆外围和中心处不均匀，影响产品品质；此外深沟槽结构介电层厚度受限制，难以做到满足高电压需求；再加上此种结构拐角多，造成电极板厚度的沉积生长不均匀，影响电容容值的准确性，此外沟槽型电容的结构复杂，制作繁琐，加工时也会出现个别y字体倒塌，影响成品的良率，大幅增加成本。
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【技术保护点】
1.一种电子元件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子元件，其中所述介电层的侧壁上形成的绝缘材料的宽度比所述导电层的侧壁上形成的绝缘材料的宽度小0-300nm。
3.如权利要求1所述的电子元件，其中相邻的所述电容器组之间相对侧壁的结构设置呈镜像对称。
4.如权利要求1所述的电子元件，进一步包括在所述电容器组上表面上形成的正负电极结构和/或在电容器组下表面上形成的正负电极结构。
5.如权利要求4所述的电子元件，其中所述下表面上形成的正负电极结构是形成在背离所述电容器组的衬底表面上。
6.如权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种电子元件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子元件，其中所述介电层的侧壁上形成的绝缘材料的宽度比所述导电层的侧壁上形成的绝缘材料的宽度小0-300nm。
3.如权利要求1所述的电子元件，其中相邻的所述电容器组之间相对侧壁的结构设置呈镜像对称。
4.如权利要求1所述的电子元件，进一步包括在所述电容器组上表面上形成的正负电极结构和/或在电容器组下表面上形成的正负电极结构。
5.如权利要求4所述的电子元件，其中所述下表面上形成的正负电极结构是形成在背离所述电容器组的衬底表面上。
6.如权利要求5所述的电子元件，其中通过在所述电容器组的双侧壁上形成导电结构以全部或部分分别连接电容器单元在对应侧所露出的导电层的部分表面。
7.如权利要求6所述的电子元件，其中所述导电结构填充满相邻所述...
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