存储元件用半导体基板的蚀刻组合物和使用其的存储元件用半导体基板的制造方法技术

提供一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其能够提供具有改善的性能的存储元件用半导体基板。一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、和(C)金属钨防腐剂，前述(C)金属钨防腐剂包含选自由下述式(1)所示的铵盐和具有碳数14～30的烷基的杂芳基盐组成的组中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物和使用其的存储元件用半导体基板的制造方法。

技术介绍

1、近年来，越来越要求存储元件的进一步小型化、高功能化，正在推进半导体基板的微细化、三维集成化等技术开发。

2、在能够实现这样的存储元件的小型化、高功能化的半导体基板中，适宜使用金属钨作为其材料。金属钨能够通过cvd(化学气相沉积)成膜，具有不易引起电迁移、电阻低、耐热性高这样的特征。因此，金属钨在dram等存储元件中被用于嵌入字线等。

3、已知上述嵌入字线例如能够通过以下的方法来制造。即，在具有通过蚀刻形成的凹部的硅基板上依次制出二氧化硅膜、包含钛和/或钛合金的含钛膜(阻挡膜)、金属钨膜。接着，通过cmp(化学机械研磨)进行平坦化，进而通过干式蚀刻等选择性地蚀刻含钛膜和金属钨膜、或金属钨膜(也可以省略cmp)。之后，通过选择性地蚀刻含钛膜来制造存储元件的嵌入字线(非专利文献1)。

4、如此，在存储元件用半导体基板的制造方法中，包括在不对金属钨造成损伤下选择性地去除钛、钛合金的工序(钛/钛合金的选择性蚀刻工序)。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、和(C)金属钨防腐剂，

2.根据权利要求1所述的存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其中，所述R1为碳数14～30的取代或者非取代烷基(多)杂亚烷基、或碳数14～30的取代或者非取代芳基(多)杂亚烷基。

3.根据权利要求2所述的存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其中，所述R1为碳数14～20的取代或非取代芳基(多)杂亚烷基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其表面张力为50mN/m以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的存储...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其包含(a)氧化剂、(b)氟化合物、和(c)金属钨防腐剂，

2.根据权利要求1所述的存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其中，所述r1为碳数14～30的取代或者非取代烷基(多)杂亚烷基、或碳数14～30的取代或者非取代芳基(多)杂亚烷基。

3.根据权利要求2所述的存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其中，所述r1为碳数14～20的取代或非取代芳基(多)杂亚烷基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其表面张力为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾家俊行，安谷屋智幸，杨智量，王舶纮，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：