System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种稀土镁合金材料及其制备方法和稀土镁合金壳体技术_技高网

一种稀土镁合金材料及其制备方法和稀土镁合金壳体技术

技术编号:40452461 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-22 23:10
本公开提供了一种稀土镁合金材料,包括:Al、Y、Mn和Mg;所述Al、Y和Mn形成金属间化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镁合金材料,尤其涉及一种稀土镁合金材料及其制备方法和稀土镁合金壳体


技术介绍

1、笔记本电脑长久以来采用铝合金材质,随着对笔记本电脑性能提升的需求,其内部结构部件日益加重,但对整机重量减重的需求却日益提升,因此,采用密度为铝合金2/3的镁合金来进行逐步升级替换成为必然趋势。

2、虽然镁合金具有低密度高强度,但其耐蚀性较差,初期的镁合金在笔记本电脑及消费电子产品的应用主要以az91d压铸材料为主,而且为了避免材料在使用中发生腐蚀,需要经过重防腐处理的喷漆工艺,然而,喷漆造成了缺失材料应有的金属质感,漆膜的重量对减重大大折扣,无法显现其金属的特质,无法更好的吸引更多的消费者,因此,在3c电子领域里有其应用的局限性。

3、如何实现金属材料的质感,解决方法有两种:1、仿金属质感的表面处理,例如涂装、纳米压印、omr、iml等方法;2、开发耐蚀性能更佳的镁合金材料。若要实现金属高光、拉丝效果,目前只有上述方法2可行,且为实现低成本的量产化,开发可加工高亮的高耐蚀镁合金压铸材料是必然的选择。

4、为了突破镁合金的应用瓶颈,各3c厂家均采用了具有较好品质的az31变形镁合金来加工制造高品质的产品,az31变形镁合金具有细致的晶粒度,较高的力学强度和一定的耐腐蚀性能,是目前业内广泛采用的材质。但由于az31屈服强度、抗拉强度低,延伸率高,只能适用于挤压变形的加工工艺。但挤压变形镁合金的加工需要大量的工时,产品成本较高,且无法实现大面积的金属高亮加工。另外,az31的耐腐蚀性能和力学性能很难进一步提高,不能满足日益提高的行业需求,业内亟需具备更好耐蚀性能与力学性能的镁合金材料。


技术实现思路

1、本公开提供了一种稀土镁合金材料,包括:al、y、mn和mg;所述al、y和mn形成金属间化合物。

2、本申请实施例通过在镁合金材料中加入al、y和mn元素,形成金属间化合物均匀分散于镁合金材料中,其具有提高材料耐腐蚀性能的作用,同时还可以细化晶粒,具有弥散强化功能,提高了镁合金材料的耐蚀性能,制备的镁合金材料具有良好的致密性,可以用于制备高亮高光工件。

3、可选的,所述稀土镁合金材料中,al的含量为8.5wt%~9.8wt%,优选为9.1wt%~9.8wt%,进一步优选为9.3wt%~9.6wt%,示例性的,其具体含量包括但不限于9.0wt%、9.3wt%、9.4wt%、9.5wt%、9.6wt%、9.7wt%、9.8wt%等。

4、可选的,所述稀土镁合金材料中,所述y的含量为0.025wt%~0.19wt%,优选为0.05wt%~0.19wt%,更优选为0.10wt%~0.15wt%,示例性的,其具体含量包括但不限于0.05wt%、0.10wt%、0.11wt%、0.12wt%、0.13wt%、0.14wt%、0.15wt%、0.19wt%等。

5、可选的,所述稀土镁合金材料中,所述mn的含量为0.05wt%~0.15wt%,优选为0.1%~0.15%,示例性的,其具体含量包括但不限于0.10wt%、0.12wt%、0.13wt%、0.14wt%、0.15wt%等。

6、本申请实施例提供的稀土镁合金材料还可以包括ce、la、ga中的至少一种。

7、可选的,所述ce的含量为0.5wt%以下。

8、可选的,所述la的含量为0.25wt%以下。

9、可选的,所述ga的含量为0.5wt%以下。

10、上述稀土元素ce、la、ga的加入,可以进一步细化晶粒,提高镁合金整体的耐蚀力。

11、上述各元素的质量含量是以稀土镁合金材料整体为100%计算,mg补足100%。

12、本申请实施例提供的稀土镁合金材料还包括不可避免的杂质,所述杂质为原料中不可避免的带入。

13、可选的,所述不可避免的杂质为fe、cu、ni、si中的一种或多种。

14、可选的,所述fe的含量低于0.01wt%。

15、可选的,所述cu的含量低于0.01wt%。

16、可选的,所述ni的含量低于0.01wt%。

17、可选的,所述si的含量低于0.01wt%。

18、示例性的,在一些具体实施例中,所述稀土镁合金材料包括:al 9.5wt%,y0.15wt%,mn 0.1wt%,余量的mg和不可避免的杂质。

19、示例性的,在一些具体实施例中,所述稀土镁合金材料包括:al 9.0wt%,y0.19wt%,mn 0.1wt%,余量的mg和不可避免的杂质;

20、示例性的,在一些具体实施例中,所述稀土镁合金材料包括:al 9.8wt%,y0.05wt%,mn 0.1wt%,余量的mg和不可避免的杂质。

21、示例性的,在一些具体实施例中,所述稀土镁合金材料包括:al 9.1wt%,y0.15wt%,mn 0.1wt%,余量的mg和不可避免的杂质。

22、本申请实施例提供了上述稀土镁合金材料的制备方法,包括以下步骤:

23、将镁、铝、mn源化合物和y源化合物混合进行精炼,以获得制备镁合金件的稀土镁合金材料。

24、上述镁、铝、mn源化合物和y源化合物的用量根据稀土镁合金的成分含量计算得到。

25、可选的,所述制备方法包括以下步骤:

26、使镁锭融化进行第一次精炼;

27、加入mn源化合物进行第二次精炼;

28、加入铝锭和y源化合物,进行第三次精炼,以获得制备镁合金件的稀土镁合金材料。

29、本申请实施例首先将镁锭精炼,然后加入mn源化合物进行第二次精炼,在添加mn元素的同时,加入的锰源化合物还可以除去部分fe杂质,起到净化体系的作用。

30、可选的,所述mn源化合物为mncl2。

31、可选的,所述y源化合物为mg2y合金。

32、上述第一次精炼的温度优选为680~700℃,更优选690℃,时间优选为4~6min,更优选5min。

33、上述第二次精炼的温度优选为710~720℃,更优选715℃,时间优选为4~6min,更优选5min。

34、上述第三次精炼的温度优选为720~730℃,更优选725℃,时间优选为4~6min,更优选5min。

35、当所述稀土镁合金材料还包括ce、la、ga中的至少一种时,所述制备方法还包括:

36、进行第三次精炼后,加入ce源化合物、la源化合物、ga源化合物中的至少一种,进行第四次精炼。

37、可选的,所述ce源化合物为mgce合金。

38、可选的,所述la源化合物为mgla合金。

39、可选的,所述ga源化合物为mgga合金。

40、当同时添加la和ce元素时,可以采用mgla合金和mgce合金作为原料,也可以采用mglace合金作为la和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种稀土镁合金材料,包括:Al、Y、Mn和Mg;所述Al、Y和Mn形成金属间化合物。

2.根据权利要求1所述的稀土镁合金材料,其特征在于,所述Al的含量为8.5wt%~9.8wt%;

3.根据权利要求1所述的稀土镁合金材料,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1所述的稀土镁合金材料,其特征在于,还包括不可避免的杂质;

5.权利要求1~4任一项所述的稀土镁合金材料的制备方法,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述半固态成型包括:

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述半固态成型还包括:

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,还包括对所述镁合金工件进行表面处理的步骤;

10.一种稀土镁合金壳体,通过如权利要求5~9中任一项所述的制备方法获得。

【技术特征摘要】

1.一种稀土镁合金材料,包括:al、y、mn和mg;所述al、y和mn形成金属间化合物。

2.根据权利要求1所述的稀土镁合金材料,其特征在于,所述al的含量为8.5wt%~9.8wt%;

3.根据权利要求1所述的稀土镁合金材料,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1所述的稀土镁合金材料,其特征在于,还包括不可避免的杂质;

5.权利要求1~4任一项所述的稀土镁合金材料的制备方法,包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄巍郝宁辛志峰
申请(专利权)人:联想北京有限公司
类型:发明
国别省市:

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