一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及CMP抛光技术领域，具体涉及一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液及其制备方法，硅溶胶100份，碱性速率促进剂3‑6份，表面活性剂0.5‑2份，pH调节剂0.5‑2份，铵盐速率调节剂0‑0.8份，杀菌剂0.1‑0.5份，去离子水90份；CMP抛光液的pH值至少是8；碱性速率促进剂选自1,3‑二氮唑、无水哌嗪、三乙烯四胺、吡啶、四甲基胍、乙二胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺中的至少一种。本发明专利技术能够实现对二氧化硅和氮化硅速率选择比的调节，在对二氧化硅和氮化硅去除速率影响较小的前提下，能够提高多晶硅的去除速率，且不引入金属离子的污染，适用于先进制程的多晶硅栅极化学机械平坦化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及cmp抛光，具体涉及一种用于多晶硅栅极结构的cmp抛光液及其制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路技术日新月异的发展，半导体器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统的平面场效应(metal oxide semiconductor，mos)晶体管由于受到短沟道效应的作用而不能再有效地控制电流，从而产生三维鳍式场效应晶体管(finfield-effect transistor，finfet)器件。

2、从平面cmos晶体管设计转变为finfet晶体管，在虚拟栅多晶硅薄膜中产生了新的cmp工艺。平面晶体管中，淀积的多晶硅薄膜有平坦的表面形貌，不需要化学机械抛光(cmp)；但在finfet设计中，同样的淀积薄膜的表面形貌不平整，必须在栅刻蚀前完成平坦化。无论是传统体硅finfet器件，还是新型soi finfet器件，cmp工艺流程都包括在二氧化硅和氮化硅薄膜上选择性地平坦化多晶硅层。因此实现多晶硅cmp去除速率可控以及多晶硅对二氧化硅和氮化硅高去除速率选择比变得至关重要。在这个过程中，对化学机械抛光液提出了更高的要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液，其特征在于，包括如下重量份的成分：硅溶胶100份，碱性速率促进剂3-6份，表面活性剂0.5-2份，pH调节剂0.5-2份，铵盐速率调节剂0-0.8份，杀菌剂0.1-0.5份，去离子水90份；

2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液，其特征在于，所述碱性速率促进剂是1,3-二氮唑、三乙烯四胺、吡啶、四甲基胍、乙二胺、二乙烯三胺中的一种与无水哌嗪按照质量比3:2配制的。

3.根据权利要求2所述的一种用于多晶硅栅极结构的CMP抛光液，其特征在于，所述CMP抛光液包括如下重量份的成分：硅溶胶100份，碱性速率...

【技术特征摘要】

1.一种用于多晶硅栅极结构的cmp抛光液，其特征在于，包括如下重量份的成分：硅溶胶100份，碱性速率促进剂3-6份，表面活性剂0.5-2份，ph调节剂0.5-2份，铵盐速率调节剂0-0.8份，杀菌剂0.1-0.5份，去离子水90份；

2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅栅极结构的cmp抛光液，其特征在于，所述碱性速率促进剂是1,3-二氮唑、三乙烯四胺、吡啶、四甲基胍、乙二胺、二乙烯三胺中的一种与无水哌嗪按照质量比3:2配制的。

3.根据权利要求2所述的一种用于多晶硅栅极结构的cmp抛光液，其特征在于，所述cmp抛光液包括如下重量份的成分：硅溶胶100份，碱性速率促进剂5份，表面活性剂1份，ph调节剂0.6份，铵盐速率调节剂0-0.6份，0.4份，去离子水90份；所述cmp抛光液的ph值在9-11之间。

4.根据权利要求3所述的一种用于多晶硅栅极结构的cmp抛光液，其特征在于，所述铵盐速率调节剂选自氯化铵、硫酸铵、酒石酸铵、碳酸铵、柠檬酸三铵中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述的一种用于多晶硅栅极结构的cmp抛光液，其特征在于，所述表面活性剂选自十二烷基二甲基氧化胺、聚乙烯吡...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋丽娇，张俊华，王超铭，井锋，
申请(专利权)人：江苏山水半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：