【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书中的公开内容涉及半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了在半导体衬底的两面配置有主电极的半导体装置。现有技术文献的记载内容作为本说明书中的技术要素的说明而通过参照加以引用。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021－5692号公报
技术实现思路
1、在专利文献1中，将形成有元件的有源区域延长至接线部(terminal)的下部的外侧。并且，将元件设置为，使得当接通了延长到外侧的区域内的开关元件和接线部下部的区域内的开关元件时，延长区域内的电流密度比接线部下部的区域内的电流密度低。这样，延长区域内的电流密度低。从上述观点或未言及的其他观点来看，对半导体装置要求进一步的改良。
2、本公开是鉴于这样的课题而做出的，目的在于提供能够提高有源区域扩大的效果的半导体装置。
3、这里公开的半导体装置，具备：半导体衬底，具有一面以及与一面在板厚方向上相反的背面；保护膜，配置在半导体衬底的一面上，具有开口部；第1主电极，配置在半导体衬底的一面上，具有从开口部露出而提供接合区域的露出部；以及第2主电极，配置在半导体衬底的背面上；半导体衬底具有有源区域，该有源区域是作为在第1主电极与第2主电极之间流过电流的纵型元件的反并联地连接着二极管的igbt的形成区域；在板厚方向上的平面观察中，开口部以与有源区域重叠的方式设置；有源区域包括在平面观察中与第1主电极的露出部重叠的重叠区域、以及不与露出部重叠的非重叠区域；非重
4、根据公开的半导体装置，有源区域包括重叠区域和非重叠区域。即，扩大了有源区域。并且，相比于重叠区域中的二极管的形成区域的比率，提高了非重叠区域中的二极管的形成区域的比率。
5、相应于非重叠区域中的二极管的形成区域的比率的提高，虽然在重叠区域中igbt的形成区域的比率变高，但是通过igbt的动作而产生的热能够从第1主电极的露出部向接合对象排散。此外，通过在非重叠区域中提高二极管的形成区域的比率，能够抑制非重叠区域的温度变得比重叠区域的温度高的情况。即，能够抑制由于非重叠区域的温度上升从而必须将igbt断开的情况。结果，能够提高有源区域扩大的效果。
6、本说明书公开的多个技术方案为了达成各自的目的而采用相互不同的技术手段。在权利要求书及其项目中记载的括号内的标号例示性地表示与后述实施方式的部分的对应关系，并不意欲限定技术范围。本说明书公开的目的、特征及效果通过参照后续的详细说明及附图会变得更明确。
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1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，<...
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