【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用电力用半导体开关的半导体断路器，尤其，涉及一种用于抑制在半导体断路器产生的过电压的过电压抑制部。
技术介绍
1、当在供应电力的电力系统中发生故障时，过电流或故障电流等异常电流会通过电力系统流入到负载。并且，流入的异常电流可能引起负载的烧损。因此，在发生电力系统的故障的情况下，为了阻断所述异常电流流入到负载，可以使用断开电力系统和负载的断路器(circuit breaker)。
2、在现有的机械式断路器的情况下，存在如下的问题，到电路断开为止需要数十msec的较长的时间，在该时间期间异常电流流入到负载。因此，最近使用半导体断路器(sscb)，所述半导体断路器包括由能够导通大电流并且具有高速的开关频率的电力用半导体构成的开关，从而能够高速地断开电流。
3、通常的半导体断路器可以由配置在电源侧(电力系统)和负载之间的至少一个半导体开关构成。在电源侧或负载侧发生故障时，可以通过关断(off)所述电力用半导体开关来断开电源侧和负载侧的连接。由此，能够防止异常电流流入到负载侧或电源侧。
4、但是...
【技术保护点】
1.一种半导体断路器的过电压抑制部，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的过电压抑制部，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的过电压抑制部，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的过电压抑制部，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的过电压抑制部，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的过电压抑制部，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的过电压抑制部，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的过电压抑制部，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的过电压抑制部，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体断路器的过电压抑制部，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的过电压抑制部，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的过电压抑制部，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的过电压抑制部，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的过电压抑制部，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的过电压抑制部，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的过电压抑制部，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的过电...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。