【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所描述的实施例涉及计量系统及方法，且更特定来说，涉及用于提高测量准确度的方法及系统。
技术介绍
1、诸如逻辑及存储装置的半导体装置通常通过应用于样本的处理步骤序列制造。半导体装置的各种特征及多个结构层级通过这些处理步骤形成。例如，其中光刻是涉及在半导体晶片上产生图案的一个半导体制程。半导体制程的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可在单个半导体晶片上制造且接着分离成个别半导体装置。
2、在半导体制程期间的各个步骤中使用计量过程来检测晶片上的缺陷以促成更高良率。基于光学、电子束及x射线的计量技术提供高通量且无样品破坏风险的潜力。包含散射测量及反射测量实施方案及相关联分析算法的诸多技术常用于特性化纳米级结构的临界尺寸、膜厚度、组成及其它参数。
3、随着装置(例如逻辑及存储装置)朝向更小纳米级尺寸发展，特性化变得更困难。并入复杂三维几何形状及具有各种物理性质的材料的装置增加特性化难度。装置形状及轮廓显著改变。在一个实例中，最近构思的半导体装置并入新复杂三维几何形状及具有各种定向及物...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个参考形状轮廓是用户产生的。
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述一组可观测几何参数变换成所述一组潜在变量的所述值涉及主成分分析或经训练自动编码器。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1所述的方法，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个参考形状轮廓是用户产生的。
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述一组可观测几何参数变换成所述一组潜在变量的所述值涉及主成分分析或经训练自动编码器。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
10.一种计量系统，其包括：
11.根据权利要求10所述的计量系统，所述计算系统进一步经配置以：
12.根据权利要求11所述的计量系统，其中所述多个参考形状轮廓由可信任计量系统通过所述半导体结构的多个例子中的每一者的测量来产生。
【专利技术属性】
技术研发人员：S·I·潘戴夫，A·杰亚瑞曼，P·C·罗伊，朴孝原，A·吉里纽，柳孙澈，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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